説明

ソニー株式会社により出願された特許

34,041 - 34,050 / 34,172


【目的】 有機シリコン系化合物と酸化剤との反応により成膜した層間絶縁膜の膜質を向上させる方法を提供する。
【構成】 段差を有する基体上に、TEOS/H2O/NH3系のガスを用いて、プラズマCVD法にて第2層間絶縁膜4を形成する。その後、NH3ガスを用いてプラズマ処理を施し、第2層間絶縁膜4中の脱水縮合を促進させる。これにより、膜中の炭素原子は膜外に除去され、層間絶縁膜の膜質が向上する。 (もっと読む)


【目的】 配線間容量の増大による配線間のクロストークの問題を解決しつつデバイスの絶対段差を揃え、デバイス表面の平坦度の向上を可能としたダミーパターンの形成方法を提供する。
【構成】 多層Al配線構造を有するデバイスにおいて、ダミーパターンを定義すべき領域のデータをChip、i層Al配線の配線パターンの占める領域のデータをIMi、最終的に求めるべきi層のダミーパターンデータをIDiとし、データデクリメントによって得られるダミーパターン領域のデータを(Chip−IMiD と定義し、このダミーパターン領域データ(Chip−IMiD と(i+1)層の配線パターンデータIM(i+1)又はダミーパターンデータID(i+1)との論理積をとることによってダミーパターンデータIDiを生成し、このダミーパターンデータIDiに基づいてi層のダミーパターンを形成する。 (もっと読む)


【構成】 1次巻線15、2次巻線16及び制御巻線17を有する直交トランス6により、ダイナミックフォーカス電圧となるパラボラ波電圧を得る。制御巻線17には、直交トランス6の磁束を制御する制御回路18が接続されている。
【効果】 直交トランス6においては、水平周期に同期した鋸歯状波電流の増幅及び積分と、出力制御とを行うことができるので、装置構成を小型化しつつ、良好なダイナミックフォーカス電圧を得ることができる。 (もっと読む)


【目的】 密着層と高融点金属層との積層膜を1ステップで異方性加工できるプラズマエッチング方法を提供する。
【構成】 W膜14とTiN膜13とを、Cl2+HBrの混合ガスでプラズマエッチングする。その条件は、Cl2/HBr=75/25sccM,マイクロ波出力300W,RF出力10W,ステージ温度70℃,圧力0.4Paとした。このエッチングで、W膜14のエッチングレートが250nm/分,TiN膜13が150nm/分であった。また、TiN膜13:シリコン酸化膜12の選択比は50:1が得られた。このように、W膜とTiN膜とが1ステップで異方性加工することができた。 (もっと読む)




【目的】入力ビデオ信号によつて形成された画像をメモリに記憶し、メモリの入力ビデオ信号を所定のリードアドレス発生手段のリードアドレスによつて読み出すことにより、画像に対して所定の画像変換を施す画像変換装置において、湾曲した種々の形状に画像を変換するレンズ効果を得る。
【構成】変換画像の中心からの角度に応じて当該中心からの距離が変化するような関数を用いて変換画像を形成するようにしたことにより、種々の形状のレンズ効果を得ることができる。 (もっと読む)


【構成】 基板上に少なくとも、Crを主体とし膜厚10〜30nmである下地層が形成された後、CoとPdを主体としPdが15〜40原子%含有された磁性薄膜或いは、さらにNiも含有しNiとPd合わせて15〜40原子%含有された磁性薄膜が記録層として形成されてなる磁気記録媒体。
【効果】 保磁力及び垂直異方性磁界の大きな磁気記録媒体を生産性よく提供することができる。 (もっと読む)


【目的】 高周波信号が伝送される信号線路の幅と、その信号線路及び接地導体間のギャップ間隔を調節して該信号線路の特性インピーダンスを一定又はほぼ一定とすることにより、隣り合う信号線路間の影響を抑制できる高周波伝送線路を提供する。
【構成】 コプレーナ導波路の構造を有し、その信号線路20の幅を連続して変化させると共に、その変化に応じて信号線路20の特性インピーダンスが一定となるよう当該信号線路20と接地導体18,19との間のギャップ間隔23を設定する。 (もっと読む)


【目的】 録画,再生機構部及び光学機構部を集中して配置することで、斬新なデザインでかつ、小型化を達成することのできるカメラ一体型VTRを得る。
【構成】 撮影レンズ群,CCD撮像素子及びファインダ等を有する光学機構部Bと、カセコン本体3及び開閉動作するカセコン蓋5を有する録画,再生機構部Aとを備え、本体部2側のカセコン本体3に録画,再生機構部Aを配置させ、可動部4側のカセコン蓋5に光学機構部B及びバッテリー収納部12を配置させ、カセコン本体3の底面に回路基板13を配し、この回路基板13と対応する本体部2の底面に録画,再生機構部Aの操作スイッチ群14を設けた。 (もっと読む)


34,041 - 34,050 / 34,172