【課題】 高速駆動が可能な駆動回路とオフ電流の低い負荷回路とを備えたアクティブマトリクス基板の形成を低温プロセスによって実現する技術等を提供する。
【解決手段】 駆動回路を構成するＴＦＴの半導体膜として略単結晶状態の活性半導体膜を形成する一方、画素回路を構成するＴＦＴの半導体膜として微結晶状態の活性半導体膜を形成する。具体的には、駆動回路を構成するＴＦＴが形成される領域には、結晶化の際に該活性半導体膜を局所的に加熱する局所加熱機構を設ける一方、画素回路を構成するＴＦＴが形成される領域には、該局所加熱機構を設けない。 （もっと読む）

【課題】 高速駆動が可能な駆動回路とオフ電流の低い負荷回路とを備えたアクティブマトリクス基板の形成を低温プロセスによって実現する技術等を提供する。
【解決手段】 駆動回路を構成するＴＦＴの半導体膜として略単結晶状態の半導体膜を形成する一方、画素回路を構成するＴＦＴの半導体膜として微結晶状態の半導体膜を形成する。具体的には、駆動回路を構成するＴＦＴが形成される領域には、該ＴＦＴの半導体膜が結晶化する際の起点となるべき微細孔１４を設ける一方、画素回路を構成するＴＦＴが形成される領域には、該ＴＦＴが結晶化する際の起点となるべき微細孔を設けない。 （もっと読む）

【課題】 引っ張り応力がかかった半導体層が設けられた基板上に高電圧駆動デバイスを形成できるようにする。
【解決手段】 酸化防止膜４をマスクとしてエピタキシャル成長を行うことにより、第１単結晶半導体層３上に第２単結晶半導体層５を形成し、酸化防止膜４をマスクとして第２単結晶半導体層５の熱処理を行うことにより、第２単結晶半導体層５を熱酸化させるとともに、第２単結晶半導体層５の構成成分を歪み半導体領域Ｒ１の第１単結晶半導体層３内に拡散させ、歪み半導体領域Ｒ１の第１単結晶半導体層３を第３単結晶半導体層３´に変換し、エピタキシャル成長を用いることにより、無歪み半導体領域Ｒ２の第１単結晶半導体層３上および歪み半導体領域Ｒ１の第３単結晶半導体層３´上に第４単結晶半導体層７を形成する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、全画素同時に受光して電荷を蓄積し、一括転送する一括電子シャッター機能と、ノイズ先行読み出しによるＣＤＳ機能の両方を実現する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、入射した光によって光電変換素子が発生した電荷を蓄積する蓄積ウェル４と、電荷をキャリアポケット７へ転送するための転送制御素子Ｔｒと、キャリアポケット７に転送された電荷に基づいて増幅された画素信号を出力するための変調トランジスタＴｓと、を備えた単位画素を、複数配列して構成される。転送制御素子Ｔｒは、基板の表面側において形成され、基板を、基板の平面に対して直交する方向からみたときに一部が蓄積ウェル４の上を覆うように、表面に絶縁膜を介して設けられた転送ゲート２２を有し、基板内であって転送ゲート２２の下に電荷を保持する電荷保持領域２４を有する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、全画素同時に受光して電荷を蓄積し、一括転送する一括電子シャッター機能と、ノイズ先行読み出しによるＣＤＳ機能の両方を実現する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、入射した光によって光電変換素子が発生した電荷を蓄積する蓄積ウェル２と、電荷をフローティングディフュージョン領域へ転送するための転送制御素子領域ＴＴと、フローティングディフュージョン領域に転送された電荷に基づいて増幅された画素信号を出力するための出力用トランジスタＴｍと、を備えた単位画素を、複数配列して構成される。転送制御素子ＴＴは、第１及び第２の転送制御素子Ｔｒ１，Ｔｒ２と、第１及び第２の転送制御素子間に設けられた電荷を保持する電荷保持領域Ｃ１とを有する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、セルピッチを小さくして、基板変調型センサの微細化を実現できる。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、２次元マトリックスの一方向において隣り合う１組の光電変換領域毎に１つずつ設けられ、変調用ウェルに保持された前記光発生電荷によってチャネルの閾値電圧が制御され、前記光発生電荷に応じた画素信号を出力する複数の変調トランジスタＴｍを有する。さらに、隣り合う１組の光電変換領域毎に１組設けられ、１組の光電変換領域のそれぞれの蓄積ウェル４と、対応する変調用ウェルとの間の光発生電荷転送経路の電位障壁を変化させ、光発生電荷の転送を制御する複数の転送制御素子Ｔｒとを有する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、ＣＤＳ機能を実現しながら、一括電子シャッター機能も実現でき、セルピッチの微細化をセルピッチを小さくしてセンサの微細化を実現できる。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、２次元マトリックスの一方向において隣り合う１組の光電変換領域毎に１つずつ設けられ、フローティングディフュージョン領域に保持された光発生電荷に応じた画素信号を出力する複数の変調トランジスタＴｍを有する。さらに隣り合う１組の光電変換領域毎に１組設けられ、１組の光電変換領域のそれぞれの蓄積ウェルと、対応するフローティングディフュージョン領域との間の光発生電荷転送経路の電位障壁を変化させ、光発生電荷の転送を制御する複数の転送制御素子Ｔｒとを有する。複数の転送制御素子Ｔｒのそれぞれは、基板表面に絶縁膜を介して設けられた転送ゲート２２と、基板内であって転送ゲートの下に光発生電荷を保持する電荷保持領域２４を有する。 （もっと読む）

【課題】 電極と、その周囲に配置された半導体リングとの間に、堆積物が溜まりにくくする。
【解決手段】上面に半導体基板１０が載置され、上面の面積が半導体基板１０の面積よりも小さい下部電極１と、下部電極１を囲むように配置された半導体リング４と、半導体リング４が載置された第1の支持部材３と、弾性部材５を介して第1の支持部材３を支持する第２の支持部材２とを具備する。半導体リング４は、半導体基板１０が下部電極１に載置されていない状態では、上面内周側４ａが下部電極１の上面より高い。半導体基板１０が下部電極１に載置されるときに、上面内周側４ａに半導体基板１０の外周部が載置される。そして、弾性部材５は、半導体基板１０の重さによって縮み，半導体基板１０の中央部を下部電極１に載置させる。 （もっと読む）

【課題】水素による強誘電体素子の劣化を抑制し、かつ配線間の浮遊容量の増大0を抑制
する。
【解決手段】強誘電体素子１１の上面及び側面を第1の水素バリア膜１２で被覆する工程
と、第1の水素バリア膜１２上に層間絶縁膜１３を形成する工程と、層間絶縁膜１３上に
第２の水素バリア膜１４を形成する工程と、第２の水素バリア膜１４、層間絶縁膜１３及び第１の水素バリア膜１２に、強誘電体素子１１上に位置する接続孔１３ａを形成する工程と、接続孔１３ａ中及び第２の水素バリア膜１４上に導電膜１５，１６を形成する工程と、層間絶縁膜１３上から、導電膜１５，１６及び第２の水素バリア膜１４を除去することにより、接続孔１３ａに導電体１５ａ，１６ａを埋め込む工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 ビアホールを介して強誘電体層に水素が到達することを抑制する。
【解決手段】 下部電極と、下部電極上に形成された強誘電体層と、強誘電体層上に位置し、金属膜と、金属酸化物膜とを合計で４層以上積層することにより形成される上部電極と、上部電極上に形成された絶縁膜とを具備し、上部電極中に金属酸化物膜は２層以上含まれる。上部電極は、酸化Ｉｒ膜及びＩｒ膜を交互に積層したものであってもよいし、酸化Ｐｔ膜及びＰｔ膜を交互に積層したものであってもよい。また、上部電極は、酸化Ｐｔ膜、Ｐｔ膜、酸化Ｉｒ膜及びＩｒ膜をこの順に積層したものであってもよいし、Ｐｔ膜、酸化Ｐｔ膜、酸化Ｉｒ膜及びＩｒ膜をこの順に積層したものであってもよい。 （もっと読む）