【課題】上層の電極のコンタクトホール内でのカバレージを向上させること。
【解決手段】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法において、第１エッチング工程で形成されるコンタクトホール３００ａの上部領域３００Ｕａの中心部分からずれた位置に、第２エッチング工程で形成されるコンタクトホールの下部領域３００Ｄａが形成される。これにより、上部領域３００Ｕａの下底部分に水平領域が存在し、その近くにおいては、第２電極３０のオーバハング３０ｈが生じにくくなり、カバレージが向上する。 （もっと読む）

【課題】金属配線に用いられるＡｌにＣｕを添加した合金導電膜の膜質を改善して、ストレスマイグレーション耐性を向上させること。
【解決手段】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、Ａｌ−Ｃｕ膜の成膜後に予め決められた温度変化で冷却する工程が存在する。これにより、Ａｌ−Ｃｕ膜は、結晶粒と粗密差が生じる領域が従来例よりも狭くなってヒロックの発生が抑制される膜質に改善される。その後に続く製造工程における熱履歴によってヒロックの発生が抑制され、その結果、このＡｌ−Ｃｕ膜を有する配線層から形成された配線のストレスマイグレーション耐性が向上する。 （もっと読む）

【課題】迅速かつ簡易的な測定方法によりイオン注入装置によって注入されるイオンのドーズ量を推定すること。
【解決手段】本発明の実施形態に係るドーズ量管理方法においては、結晶性のＳｉの水に対する接触角を測定することにより、モニタ基板に注入されたイオンのドーズ量を推定するため、迅速かつ簡易的な測定方法を用いて、イオン注入装置によって注入されたイオンのドーズ量を管理することができる。また、推定したドーズ量に応じてイオン注入装置の設定を補正することにより、半導体基板に対して注入するイオンのドーズ量を目標のドーズ量に近づけることができる。 （もっと読む）

【課題】第１ケースと操作子基板との間隔を容易に規制すると共に、放射状配置の操作子とそれらの中央に位置する操作子とを効率よく配設する。
【解決手段】操作子ユニット５０は、共通基端部５１を中心に放射状に延設されたヒンジ部５２の先端に被操作部５３が配設されてなる。操作子ユニット５０の共通基端部５１は、同一円に沿った囲み形状の肉部５７を有し、共通基端部５１が上ケース１０と操作子基板４０との間に挟持された状態で操作子ユニット５０が配設される。操作子基板４０に配設される中央操作子体４１が、共通基端部５１の肉部５７の内側を貫通して配設される。 （もっと読む）

【課題】ＴＣＲ値が小さく、実用上必要な膜厚を確保できるＴａＮ膜からなる薄膜抵抗体を、その配線形成時のＴａＮ膜の損傷を防止して形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が形成された半導体基板上に第１層間絶縁膜を形成し、基板温度を常温から４００℃までの温度に設定し、反応ガス中の窒素ガス分圧比を３乃至１０％として、第１スパッタリングにより、前記第１層間絶縁膜上に窒化タンタル膜を形成する。その後、第１層間絶縁膜上に形成した第２層間絶縁膜に窒化タンタル膜に至るビアホールを湿式エッチングにより形成し、第２スパッタリングにより金属膜を堆積して前記ビアホール内に金属膜を形成し、前記窒化タンタル膜に接続するビアを設ける。 （もっと読む）

【課題】下半身が不自由な演奏者であっても、上半身によりペダルを連続量で操作可能にして、豊かな演奏表現を可能にする。
【解決手段】ペダル演奏補助装置の本体の内部において、ピアノのペダル２４を把持するペダル把持部が、ペダルアクチュエータ３４に連結され、ペダル２４を連続量で駆動する。ＣＰＵ１１は、検出信号ｓｄに基づいて電流指示値ｕｐ（ｔ）を生成して、この電流指示値ｕｐ（ｔ）を、ペダルアクチュエータ３４に供給する。検出装置は、演奏者の頭部に装着され、演奏者の吸気及び排気の動作を検出して、検出信号ｓｄとして連続量で出力する。検出信号ｓｄに応じた電流指示値ｕｐ（ｔ）が、ペダルアクチュエータ３４に供給されると、プランジャが駆動され、それに連動して、ペダル把持部を介してペダル２４が連続量で変位する。 （もっと読む）

【課題】オーディオ信号処理回路に最適なＴａＮ膜とＴａ膜との積層膜を使用して、ＴＣＲ値が小さく、シート抵抗が大きく、実用上必要な膜厚を確保できる高抵抗の高音質抵抗膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高音質抵抗膜は、窒化タンタル膜２ａとタンタル膜２ｂとの積層膜２からなり、この積層膜全体として、抵抗値温度係数ＴＣＲが−５０乃至＋５０ｐｐｍ／℃であると共に、シート抵抗が１００Ω／□以上であり、前記窒化タンタル膜は、半導体装置の製造工程で常温から４００℃までの温度で、窒素分圧比を３乃至１５％として、２．５ｋＷ以下の低パワーで、スパッタリングにより成膜されたものである。前記ＴａＮ膜のスパッタリング時の基板温度をＴとし、窒素ガス分圧比をｍとしたとき、前記基板温度Ｔ及び窒素ガス分圧比ｍは、（２／１６５）Ｔ＋（９１／３３）≦ｍ≦（１／６６）Ｔ＋（１５５／３３）を満たすことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】アナログ音声信号について簡易な構成で音質を調整する。
【解決手段】反転アンプ１２にはアナログ音声信号が入力される。反転アンプ１２は１個のオペアンプ２２に対し複数個の抵抗回路網２４−１、２４−２、…、２４−ｎが並列に用意されている。抵抗回路網２４−１、２４−２、…、２４−ｎは相互に材料が異なる抵抗素子で構成されている。操作者による音楽種類選択操作に基づき単一の抵抗回路網が選択されてオペアンプ２２に接続される。これにより音楽の種類（あるいは操作者の好み）に合った音質で音楽を再生することができる。 （もっと読む）

【課題】自動伴奏中に、直感的かつ簡単な操作で変拍子のフィルインパターンを入れる。
【解決手段】この自動伴奏装置では、少なくともメインパターンＰｍ及びフィルインパターンＰｆを含む所定拍子の自動伴奏パターンデータがデータ記憶部Ａに用意されており、フィルインスイッチの操作により、自動伴奏パターンデータＰａの再生を制御することができる。自動伴奏パターンデータとしてメインパターンＰｍを再生しているときに、フィルインスイッチの操作に基づくフィルイン指示があると（ｔ１）、これに応じて、所定拍子を維持しつつその後の所定タイミングｔｐでフィルインパターンＰｆの再生に移行し、フィルインパターンＰｆを再生しているときに、フィルインスイッチ操作に基づくフィルイン指示があると（ｔ２）、少なくともその次の拍で（ｔｒ）フィルインパターンＰｆの再生を打ち切ってメインパターンＰｍの再生に移行するように制御される。 （もっと読む）

【課題】ＴａＮ膜の単層膜を使用して、ＴＣＲ値が小さく、シート抵抗が大きく、実用上必要な膜厚を確保できる高抵抗の高音質抵抗膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高音質抵抗膜は、抵抗値温度係数ＴＣＲが−５０乃至＋５０ｐｐｍ／℃であり、シート抵抗が１００Ω／□以上である窒化タンタル膜２の単層膜であり、この窒化タンタル膜２は、半導体装置の製造工程で常温から３５０℃までの温度で、窒素ガス分圧比を３乃至１０％として、２．５ｋＷ以下の低パワーで、スパッタリングにより成膜されたものである。前記スパッタリング時の基板温度をＴとし、窒素ガス分圧比をｍとしたとき、前記基板温度Ｔ及び窒素ガス分圧比ｍは、（１／１６５）Ｔ＋（９５／３３）≦ｍ≦（１／６６）Ｔ＋（１５５／３３）を満たす。 （もっと読む）