【課題】 所定の特性インピーダンスを確保し、かつ、小型化が可能で周波数特性が優れている高周波伝送線路及び高周波伝送線路を有した電子部品を得る。
【解決手段】 伝送線路導体２２ａ，２２ｂ，２２ｃは、引出し部を残して、誘電体シート２５を挟んで対向している。この伝送線路導体２２ａ〜２２ｃはビアホール２６ａ，２６ｂを介して電気的に直列に接続され、１本の伝送線路２２を形成している。さらに、伝送線路２２は、上下に配置された二つのグランド導体の間に配設されている。そして、積層方向において、最も外側に位置している伝送線路導体２２ａ，２２ｃと内側に位置している伝送線路導体２２ｂのそれぞれの導体幅が異っている。 （もっと読む）

【課題】 半絶縁性半導体基板上に形成される放熱効率の高い小型のマルチフィンガバイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】 半絶縁性半導体基板６１上面に、階段状で凸形状の基本セル１〜４を配列形成している。各基本セル１〜４は、ｎ型半導体層６２、ｐ型半導体層６３、ｎ型半導体層６４を順に積層形成してなり、ｎ型半導体層６２の上面にコレクタフィンガ電極３１ａ〜３４ａ、３１ｂ〜３４ｂを、ｐ型半導体層６３の上面にベースフィンガ電極２１ａ〜２４ａ、２１ｂ〜２４ｂを、ｎ型半導体層６４の上面にエミッタフィンガ電極１１〜１４を形成している。エミッタフィンガ電極１１〜１４は、第１ビアホール１０１〜１０４、中間電極４０、および第２ビアホール２０１〜２０８を介して半絶縁性半導体基板６１の下面に形成された接地電極５０に導通している。 （もっと読む）

１０００℃以下の温度で焼結させることができ、焼結体の比誘電率が５５０以上であり、容量変化率の温度特性がＪＩＳ規格のＢ特性を満足し、電圧印加時においても比誘電率が実質的に変化しない、Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｔａ−Ｏ系の誘電体セラミック組成物を提供する。 主成分がＡｇ_ａＣｕ_ｂＮｂ_ｃＴａ_ｄＯ_３で表される組成を有し、Ａｇ_ａＣｕ_ｂＮｂ_ｃＴａ_ｄＯ_３において、０．７≦ａ≦０．９５、０．０５≦ｂ≦０．３、０．４≦ｃ≦０．６、および０．４≦ｄ≦０．６の各条件を満足するとともに、０．９５≦（ａ＋ｂ）／（ｃ＋ｄ）≦１．０２の条件を満足する、誘電体セラミック組成物。 （もっと読む）

誘電体基板の片面側に高周波信号の電磁界エネルギを集中させ、電子部品等との接続損失を低減させる。 誘電体基板２の表面２Ａには第１，第２の電極３Ａ，３Ｂ間に挟設された第１のスロット４を設けると共に、裏面２Ｂには第１のスロット４と対向した位置で第３，第４の電極５Ａ，５Ｂ間に挟設された第２のスロット６を設ける。そして、第１のスロット４の幅寸法は第２のスロット６の幅寸法よりも狭くする。これにより、第１のスロット４に高周波信号の電磁界エネルギを集中させることができる。 （もっと読む）

基本波を利用しており、高次モードによるスプリアスが抑圧された良好な特性を有する圧電共振部品を提供する。 ポアソン比が１／３を超える圧電材料からなる圧電板２に、複数の共振電極として、第１，第２の分割電極３，４と共振電極５とが設けられており、基本波を利用している圧電共振部品であって、基本波が励振された際に変位している振動領域と、該振動領域の外側の領域の少なくとも一部とで圧電板の分極方向が異なっている、圧電共振部品１。 （もっと読む）

アンテナ構造（１）は、グランド部が形成されている基板（２）と、基板（２）の片端側に配置される放射電極（３）と、放射電極（３）と基板（２）のグランド部との間を接続する接地用延伸部（４）とを有する。放射電極（３）の接地端Ｓ側の両側縁部にそれぞれ接続されている接地用延伸部（４）は、それぞれ、放射電極（３）の接地端（Ｓ）側との接続部分から放射電極（３）の開放端（Ｋ）側に向かって延伸された形態と成し、接地用延伸部（４）の延伸先端部は基板（２）のグランド部に接続している。 （もっと読む）

ループアンテナ（２）やコンデンサ（３）が上面に設けられたアンテナ基板（４）と、送受信回路やチップ型コイル（５）が上面に設けられたコントロール基板（６）と、アンテナ基板（４）とコントロール基板（６）との間に配置された磁性体シート（１０）とを備えた非接触ＩＣカード用リーダライタ（１）。コントロール基板（６）上のチップ型コイル（５）で発生した磁束（φ１）がループアンテナ（２）を挿通して磁気結合しているので、ループアンテナ（２）と送受信回路とを通信ケーブルで結線する必要がなくなる。 （もっと読む）

【課題】ケースの開口寸法と圧電振動板の寸法との寸法差をできるだけ小さくでき、スライド型を使用せずに成形できるインサート端子付きケースを提供する。
【解決手段】底壁と４つの側壁とを有し、上面に開口部を有するケース２０であって、側壁のうち少なくとも１つの側壁２０ｂには板状金属板よりなる端子２２がインサート成形によって縦向きに固定されており、端子が固定された側壁２０ｂの外側面に、下方に向かって縦方向に延びる凹溝２８が形成され、凹溝２８に端子２２の外側面の一部が露出しており、凹溝２８に露出した端子２２の外側面と対向する内側面の一部が側壁２０ｂの内側面に露出している。そのため、ケース２０に端子２２をインサート成形する際、上下の金型のみで成形でき、かつ側壁２０ｂの内面に端子２２を確実に露出させることができる。 （もっと読む）

２つの圧電振動子（Ｓａ，Ｓｂ）は、加速度等の力学量によって加わる応力が互いに逆となるように設ける。電流電圧変換−信号加算回路（１１）は、２つの圧電振動子（Ｓａ，Ｓｂ）に流れる電流信号を電圧信号に変換する。電圧増幅−振幅制限回路（１２）は、その２つの電圧信号の加算信号を増幅し、振幅を制限する。位相差電圧変換回路（１５）は加算信号と加速度検出素子（１０）へ与える帰還電圧信号（Ｖｏｓｃ）との位相差を検出する。位相シフト回路（１６）は、帰還電圧信号が所定の位相となるように位相制御する。フィルタ回路（１７）は発振周波数より高域の不要周波数帯の周波数成分を抑圧する。 抵抗（ＲＬａ，ＲＬｂ）の抵抗値を大きくしてダンピング比を大きくすることによって温度安定性を高め、フィルタ回路（１７）により異常発振を防止し、位相制御回路（２０）により特性のばらつきを抑える。 （もっと読む）

【課題】小型化および低背化対応した多層構造の電子部品において、電子部品を構成する絶縁層の上下層に構成された配線部を電気的に接続する信頼性の高い電子部品を提供する。
【解決手段】第一の絶縁層１、第二の絶縁層２および第三の絶縁層３により構成される多層配線構造において、第一の絶縁層１上に設けられた第一の配線部と第二の絶縁層２上に設けられた第二の配線部との電気的な接続を、第二の絶縁層２に設けられた、一部に傾斜部４を有する貫通孔５に形成された導通配線部６により行なう。傾斜部４は、凸部１５の上面に囲われる構成となる。
【効果】傾斜部４およびそれに繋がる第二の絶縁層２上に設けられらた導通配線部６が、凸部１５の上面に保護されることで、信頼性の高い配線形成ができる。。また、信頼性の高い小型化および低背化に対応した電子部品を提供することが可能となる。 （もっと読む）