説明

三菱マテリアル株式会社により出願された特許

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【課題】 サーミスタ特性の範囲を広げることができるようにする。
【解決手段】 ウェハ1の両面に所定パターンにて表面電極2,3を形成する。ウェハ1を枡目状に切断し、サーミスタ素体4を得る。基板5の板面に接着剤8を塗付し、サーミスタ素体4を各枡目に入れるように接着する。板体を切断し、短冊状板体10を得る。樹脂9を印刷、乾燥、加熱硬化させた後、端子電極14を形成し、切断してチップ型サーミスタ15を得る。 (もっと読む)




【目的】 トリアルコキシ-Si(CH2)3NHC(=NH)NH-Z1 (Z1は-CN または-C(=NH)NH-Z2、Z2はH、アルキル、または置換もしくは非置換フェニル) で示されるグアニジル基含有アルコキシシランの溶液で抗菌防黴処理した場合に認められる、処理後の材料の変色を防止する。
【構成】 上記抗菌防黴処理後に、ヒドロキシ基を有していてもよいアルキルスルホン酸またはアルキル硫酸またはこれらの塩の水溶液で処理する。
【効果】 上記シラン化合物による抗菌防黴効果を低下させずに変色を防止できる。 (もっと読む)


【目的】 パンチに剪断用傾斜を形成した打ち抜き装置において、製品2の切断時にシートが滑ったり歪んだりすることを防ぐ。
【構成】 製品パンチ34の下面は、一対角線上の両角部が谷部39をなし、他の両角部が山部36をなすように剪断用傾斜を形成してある。下型11の両側部でシート1が重なる位置に支持孔61を設ける。上型12には、支持孔61に嵌合する支持パンチ62を設ける。これら支持パンチ62は、上型12が下型11へ閉じていくとき、製品パンチ34が対応するダイ17の孔部20に嵌合するのに先立って、支持孔61に嵌合する。
【効果】 シート1から製品2を打ち抜くとき、支持パンチ62がシート1を貫通して押さえることにより、シート1が位置ずれや撓みを生じることを防ぐ。これにより、打ち抜き精度も向上する。 (もっと読む)


【目的】 耐食性の優れたNd−Fe−B系ボンド磁石の製造方法を提供する。
【構成】 Nd−Fe−B系磁石粉末と樹脂バインダーからなるコンパウンドを金型に充填し圧縮成形してボンド磁石を製造する方法において、金型に充填されたコンパウンドに、樹脂バインダーを溶剤に溶かした溶液または金属アルコキシドの加水分解物を溶剤に溶かした溶液を添加したのち圧縮成形する。 (もっと読む)


【目的】 ポリシリコン膜を有しない張り合わせによるSOI構造の半導体基板を得る。その製造工程を簡略化する。
【構成】 活性層基板Aの少なくとも片面に段差を有する酸化シリコン膜13を形成し、酸化シリコン膜13を、コロイダルシリカを主成分とする研磨剤を用いて剛体定盤により研磨する。研磨された接合面13aに支持基板Bの鏡面を重ね合わせてこれらを張り合わせ、SOI構造のシリコンウェーハを得る。接合用に形成されていた酸化シリコン膜上のポリシリコン層を省略することができる。湿式コロイダル法の真球コロイダルシリカを用い、まず平均粒径70nmの研磨剤を用い、二酸化シリコン膜表面の平坦化研磨を行う。研磨レートを高めかつ大きな段差の除去を行う。次に、平均粒径が30nmのコロイダルシリカの研磨剤で研磨する。 (もっと読む)


【目的】 緻密で平滑性のよいX線吸収体を有するX線マスクの製造方法及びそれにより得られたX線マスクを提供する。
【構成】 薄厚の基板31の平滑な面に非晶質または微結晶のいずれかからなるX線吸収体21を形成する吸収体形成工程と、X線吸収体21上にダイヤモンド膜22を成膜するダイヤモンド成膜工程と、基板31を除去する基板除去工程と、X線吸収体21に所定のパターンを形成するパターン形成工程とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【目的】同一アルミ缶に充填された飲料中のアルミニウム濃度の経時的変化を測定してアルミ缶の保護膜のピンホール量を評価する。
【構成】 気体導入管42から所定の温度、圧力の二酸化炭素を連続的に導入し、缶容器本体10を気体48の雰囲気中に置く。この状態で一定期間、缶容器本体10および気体48を保管し、缶容器本体10からアルミニウムを溶出させ、一定周期でポテンショスタット44により標準電極38と測定電極322(缶胴10)との間の電流を測定し、気体48の抵抗値を算出する。算出された各時点における抵抗値に基づいて水溶液46中のアルミニウム濃度を求めることができ、このアルミニウム濃度に基づいて缶胴10の保護膜の品質を評価、および、検査することができる。 (もっと読む)


【目的】 耐食性と耐摩耗性に優れたNi基焼結合金を提供する。
【構成】 Ni基焼結合金が重量%で、Cr:10〜30%、Mo:3〜15%、Sn:16〜30%、C:0.005〜0.3%、Si:0.1〜1%を含有し、さらに必要に応じてMn:0.1〜1%を含有し、残りがNiおよび不可避不純物からなる組成を有する。 (もっと読む)


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