【課題】変換効率の高い光電変換素子を提供する。
【解決手段】受光面の側に微細周期構造を有する光電変換素子の、他方の面が反射する光の進行方向に着眼した。そして、他方の面に光を反射する凹凸構造を設けて、受光面の側から他方の面の側に向かって進行してきた光を、光電変換層に沿って進行する成分が増えるように反射する構成とすればよい。反射光が光電変換層の内部を進行する距離が長くなることで、光電変換素子に入射した光が光電変換層に吸収され易くなり、また受光面の側から放出され難くなり、依って変換効率の高い光電変換素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子の劣化を抑制する又は発光素子の輝度を回復する。
【解決手段】発光素子の駆動方法において、定電流駆動を行う第１の工程と、電圧の絶対値を経時的に増加させる第２の工程とを設ける。なお、当該発光素子に印加される電圧が発光開始電圧以下となった場合に一対の電極が短絡したものと擬制し、この条件を満たした場合に第１の工程から第２の工程へと移行する。これにより、第２の工程においては、一対の電極が短絡している箇所に大電流を生じさせることができる。当該箇所が熱によって絶縁化（一対の電極の短絡を修繕）するので、当該発光素子の劣化を抑制すること及び輝度を回復することが可能である。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン膜と微結晶シリコン膜とのエッチングレートの差を大きくしたエッチング方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜上に微結晶シリコン膜を形成し、前記微結晶シリコン膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、前記アモルファスシリコン膜に１０００Ｐａより高圧力のＨ_２とＡｒの混合ガス雰囲気中でプラズマ処理を行うことにより前記微結晶シリコン膜を露出させてエッチングを行う。該エッチングは、アモルファスシリコン膜と微結晶シリコン膜とのエッチングレートの差が大きい。 （もっと読む）

【課題】従来のＤＲＡＭでは容量素子の容量を減らすと、データの読み出しエラーが発生しやすくなった。
【解決手段】１つの主ビット線ＭＢＬ＿ｍに複数個のセルを接続させる。各セルはサブビット線ＳＢＬ＿ｎ＿ｍと２乃至３２個のメモリセル（ＭＣ＿ｎ＿ｍ＿１、等）を有する。さらに各セルは選択トランジスタＳＴｒ＿ｎ＿ｍと読み出しトランジスタＲＴｒ＿ｎ＿ｍを有し、読み出しトランジスタＲＴｒ＿ｎ＿ｍのゲートにはサブビット線ＳＢＬ＿ｎ＿ｍを接続する。サブビット線ＳＢＬ＿ｎ＿ｍの寄生容量は十分に小さいため、各メモリセルの容量素子の電荷情報を読み出しトランジスタＲＴｒ＿ｎ＿ｍでエラーなく増幅でき、主ビット線ＭＢＬ＿ｍに出力できる。 （もっと読む）

【課題】少なくともフォトマスクの枚数を増加させることなく、積層構造の下部の導電層が露出するように該導電層上の絶縁膜に対する開口部の形成方法を提供する。
【解決手段】開口部が設けられる部分の積層構造の下部の導電層を、該開口部を形成するフォトマスクと同一のフォトマスクを用いて形成されたエッチングマスクにより予め露出させ、その後保護絶縁膜を形成し、前記積層構造の上部の導電層が開口部において露出されないように、保護絶縁膜に開口部を形成する。このような開口部の形成方法は、半導体装置の作製方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子を含む表示装置において、生産性および利便性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素がマトリクス状に配列された表示部と、表示部に画像情報を伝送する駆動部と表示部に設けられ、且つレーザ光を検出する受光部と、受光部で検出するレーザ光の位置を解析し、位置に基づいて画像情報を操作し、操作に基づいた画像情報とは異なる画像情報を駆動部に伝送する情報処理部を有し、表示部の複数の画素はそれぞれ薄膜トランジスタを有し、受光部は複数の光電変換素子、走査回路、リセット回路および読み出し回路を有し、薄膜トランジスタおよび複数の光電変換素子は、同一の基板に設けられている表示装置である。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の発光装置において、発光素子の陽極における平均膜抵抗を低抵抗化を可能とする素子構造を提供する。
【解決手段】陰極１０４の間を埋めるように形成されたバンク１０７の上部１０７ｂを導電膜で形成することにより、陽極１０９における平均膜抵抗を低抵抗化することができ、より鮮明な画像表示の発光装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】固体電解質を有する蓄電装置において、充放電容量を高めることが可能な、蓄電装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】正極と、負極と、正極及び負極の間に設けられる電解質とを有し、電解質は、イオン伝導性高分子化合物、無機酸化物、及びリチウム塩を有し、電解質において、イオン伝導性高分子化合物及び無機酸化物の合計に対して無機酸化物は３０ｗｔ％より多く５０ｗｔ％以下である蓄電装置である。 （もっと読む）

【課題】作製工程を削減し、低コストで生産性の良い表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの、ゲート電極となる導電層、ゲート絶縁層となる絶縁層、半導体層、およびチャネル保護層となる絶縁層を連続して形成する。ゲート電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）と島状半導体層の形成を、一回のフォトリソグラフィ工程で行う。該フォトリソグラフィ工程と、コンタクトホールを形成するフォトリソグラフィ工程と、ソース電極及びドレイン電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）を形成するフォトリソグラフィ工程と、画素電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）を形成するフォトリソグラフィ工程の、４つのフォトリソグラフィ工程で表示装置を作製する。 （もっと読む）