【課題】比較的に大きい面積の発光領域を有する照明装置を提供する。
【解決手段】並列に接続された複数の発光素子を含む発光素子ユニットを、複数段接続することで、複数の発光素子を集積化し、且つ、発光素子ユニット同士は、電圧降下を抑制するために直列に接続する照明装置とする。さらに、引き回しに用いる膜厚の大きい配線の他に、幅や厚さの異なる補助配線を複数用い、それぞれの配線、発光素子の電極等の配置を最適化した照明装置とする。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低く抑え、カラーブレイクの発生を防ぎ、高精細なカラーの三次元画像の表示を行うことができる液晶表示装置。
【解決手段】第１表示領域及び第２表示領域を少なくとも有する画素部と、互いに異なる色相を有する複数の光を第１表示領域及び第２表示領域のそれぞれに順に供給する光供給部と、光学系とを有する。上記複数の光のうち、第１表示領域及び第２表示領域に並行して供給される２つの光の色相は、互いに異なる。上記第１表示領域及び第２表示領域のそれぞれには、右目及び左目に対応した一対の画素が複数組配置されている。上記複数の光を第１表示領域及び第２表示領域に供給することで、右目に対応した画素から第１の光が得られ、左目に対応した画素から第２の光が得られる。上記光学系によって、第１の光の進行方向が右目に向かうよう、第２の光の進行方向が左目に向かうよう、制御される。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能（不揮発性）で、且つ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置に、複数のメモリセルがマトリクス状に配設されたメモリセルアレイと、制御信号に応じて、複数のメモリセルの中から動作を行うメモリセルを選択するデコーダと、デコーダに対して制御信号を出力するか否かを選択する制御回路と、を設ける。なお、複数のメモリセルのそれぞれは、酸化物半導体によってチャネル領域が形成される選択トランジスタをオフ状態とすることによってデータの保持を行う。 （もっと読む）

【課題】酸窒化物膜を作製する成膜技術を提供する。また、その酸窒化物膜を用いて信頼性の高い半導体素子を作製する。
【解決手段】窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化亜鉛の少なくとも１つを原料の一とし、これと、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛の少なくとも１つと混合して窒素雰囲気中で焼結したインジウムとガリウムと亜鉛を有する酸窒化物よりなるスパッタリングターゲットを用いて酸窒化物膜を作製することにより、必要な濃度の窒素を含んだ酸窒化物膜が得られる。得られた酸窒化物膜はトランジスタのゲートやソース電極、ドレイン電極等に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】作製工程を増やすことなく、凹凸形状の画素電極を作製することを目的とする。
【解決手段】凸部は、フォトマスクを用いて作製すると再現性の高いものが得られるため、画素ＴＦＴ１２０３の作製工程にしたがって作製すればよい。画素ＴＦＴ１２０３の作製と同様に積層される半導体層、ゲート絶縁膜および導電膜を積層して凸部を形成する。こうして形成された凸部および同一工程で形成された画素ＴＦＴ、駆動回路に含まれるＴＦＴを覆うように層間絶縁膜を形成する。凹凸を有する層間絶縁膜が形成されたら、その上に画素電極を形成する。画素電極の表面も絶縁膜の凹凸の影響を受け表面が凹凸化する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子を含み、軽量であり、信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】第１の有機樹脂層と、第１の有機樹脂層上の、第１の有機樹脂層の一方の面に接する第１のガラス層と、発光素子上の第２のガラス層と、第２のガラス層上の、第２のガラス層の一方の面と接する第２の有機樹脂層と、を備え、第１の有機樹脂層及び第１のガラス層が、可視光に対する透光性を有し、第１のガラス層及び第２のガラス層は、それぞれ独立に、２５μｍ以上１００μｍ以下の厚さであり、発光素子が、第１のガラス層側から、可視光に対する透光性を有する第１の電極と、発光性の有機化合物を含む層と、第２の電極と、を有する発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、正孔注入性および正孔輸送性に優れた材料を提供することを目的とする。また、正孔注入性および正孔輸送性に優れた材料を用いた発光素子および発光装置を提供す
ることを目的とする。
【解決手段】
本発明は、一般式（１）で表されるカルバゾール誘導体を提供する。本発明のカルバゾ
ール誘導体は、正孔注入性に優れており、正孔注入性材料として発光素子の正孔注入層に
用いることにより、駆動電圧を低減することができる。また、この物質を発光素子および
発光装置に適用することで、駆動電圧の低減、発光効率の向上、長寿命化、信頼性の向上
を実現することができる。
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【課題】基板の大型化に対応し得る金属配線を作製する。
【解決手段】絶縁表面上に少なくとも一層の導電膜１２，１３を形成し、前記導電膜１２，１３上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有する導電膜にエッチングを行い、バイアス電力密度、ＩＣＰ電力密度、下部電極の温度、圧力、エッチングガスの総流量、エッチングガスにおける酸素または塩素の割合に応じてテーパー角αが制御された金属配線を形成する。このようにして形成された金属配線は、幅や長さのばらつきが低減されており、基板１０の大型化にも十分対応し得る。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧のばらつきに起因する電流値のばらつきを抑制することを課題とする。また、ビデオ信号によって指定された輝度からのずれが少なくかつデューティー比が高い表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】負荷と、前記負荷に供給する電流値を制御するトランジスタと、容量素子と、電源線と、第１のスイッチ乃至第３のスイッチとを有し、前記容量素子に前記トランジスタのしきい値電圧を保持させた後、ビデオ信号に応じた電位を入力し、前記しきい値電圧に前記電位を加算した電圧を保持させることで、トランジスタのしきい値電圧のばらつきに起因した電流値のばらつきを抑制することができる。そのため、発光素子をはじめとする負荷に所望の電流を供給することができる。また、電源線の電位を変動させることでデューティー比が高い表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】バックゲート電極、しきい値電圧を制御するための回路、および不純物添加法を用いずにしきい値電圧が制御されたトランジスタを作製する。該トランジスタを用いて、電気特性が良好で、信頼性が高く、消費電力の小さい半導体装置を作製する。
【解決手段】組成の制御された酸化タングステン膜を有するゲート電極を用いる。酸化タングステン膜の成膜方法によって組成などを調整され、仕事関数を制御することができる。仕事関数の制御された酸化タングステン膜をゲート電極の一部に用いることでトランジスタのしきい値を制御できる。しきい値電圧が制御されたトランジスタを用いることで、電気特性が良好で、信頼性が高く、消費電力の小さい半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）