【課題】本発明では、高画質で信頼性の高い表示装置を低いコストで歩留まり良く製造す
ることができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、画素領域における画素電極層上、及び画素電極層周辺を覆う隔壁
として機能する絶縁層上に、スペーサを有する。このスペーサによって、発光材料を画素
電極層上に形成する際、選択的に形成するためのマスクは支持され、マスクのよじれやた
わみなどによって画素電極層に接することを防止する。よって、画素電極層にはマスクに
よる傷などの損傷が生じず、画素電極層は形状不良とならないので、高繊細な表示を行う
、高信頼性な表示装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】高速動作可能な半導体装置を提供する。また、短チャネル効果による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの半導体層に結晶性を有する酸化物半導体を用い、該半導体層にチャネル形成領域とソース領域とドレイン領域を形成する。ソース領域及びドレイン領域は、ゲート電極をマスクとして、半導体層に第１５族元素のうち一種類または複数種類の元素を添加する自己整合プロセスにより形成する。ソース領域及びドレイン領域に、ウルツ鉱型の結晶構造を付与することができる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの特性にはバラツキが生じてしまう。
【解決手段】本発明は、複数の信号線の各々に対応した第１及び第２電流源回路、並びにシフトレジスタ及びビデオ信号用定電流源を有する信号線駆動回路であって、前記第１電流源回路は第１ラッチに配置され、前記第２電流源回路は第２ラッチに配置される。前記第１電流源回路は、前記シフトレジスタから供給されるサンプリングパルスに従って、前記ビデオ信号用定電流源から供給された電流を電圧に変換する容量手段と、前記変換された電圧に応じた電流を供給する供給手段を有する。前記第２電流源回路は、ラッチパルスに従って、前記第１ラッチから供給された電流を電圧に変換する容量手段と、前記変換された電圧に応じた電流を供給する供給手段を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子の正常部の発光特性を極力低下させることなく、発光素子の上部電極と下部電極との短絡を解消する照明装置の作製方法を提供する。
【解決手段】上部電極、電界発光層、及び下部電極を含む発光素子において、不本意に形成された上部電極と下部電極との短絡部にレーザ光を照射することにより、該短絡部を除去した領域を設け、該領域に透光性を有する絶縁樹脂を充填し、上部電極と下部電極との短絡を解消して照明装置の歩留まりを向上させる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜をチャネル形成領域に用いたトランジスタにおいて、短チャネル効果による電気特性の変動を抑制し、微細化した半導体装置を提供する。また、オン電流を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】非晶質領域である一対の第２の酸化物半導体領域と、一対の第２の酸化物半導体領域に挟まれた第１の酸化物半導体領域と、を有する酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して第１の酸化物半導体領域上に設けられるゲート電極と、を有する半導体装置において、第２の酸化物半導体領域には、水素または希ガスのいずれかの元素が添加されている。 （もっと読む）

【課題】開口部をシンプルにしてシュリンクの問題を解決する。
【解決手段】駆動トランジスタと、スイッチングトランジスタと、消去用トランジスタと、を画素内に有する３トランジスタ型の発光装置の場合において、スイッチング用ＴＦＴ５５０５と消去用ＴＦＴ５５０６の２つのＴＦＴを、第１のゲート信号線５５０２と第２のゲート信号線５５０３の間に配置する。このように配置することで開口率を上げ、開口部もシンプルな形状にすることが出来る。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子と発光ダイオード（ＬＥＤ）を光源に備えた照明装置を提供する。
【解決手段】照明装置は有機ＥＬ素子を有する複数の有機ＥＬ発光装置と、複数のＬＥＤとを備える。ＬＥＤは点状光源として、有機ＥＬ発光装置は面状光源として設けられている。青色発光のＬＥＤと黄色発光の有機ＥＬ素子を用いることで白色照明光を得ることができる。ＬＥＤの光が２つの有機ＥＬ発光装置の間を通過するように、ＬＥＤは有機ＥＬ発光装置の背面または前面に設けられている。これにより、有機ＥＬ素子を通過させずにＬＥＤから光を取り出すことができる。また、有機ＥＬ素子を２枚の基板とシール材で封止して、水分や酸素による劣化を防いでいる。 （もっと読む）

【課題】微細化による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の領域と、第１の領域の側面に接した一対の第２の領域と、一対の第２の領域の側面に接した一対の第３の領域と、を含む酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に第１の領域と重畳した第１の電極と、を有し、第１の領域は、ＣＡＡＣ酸化物半導体領域であり、一対の第２の領域及び一対の第３の領域は、ドーパントを含む非晶質な酸化物半導体領域であり、一対の第３の領域のドーパント濃度は、一対の第２の領域のドーパント濃度より高い半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】発光素子と直列に接続された薄膜トランジスタのオフ電流により、発光素子が微発光する問題を解決し、表示のコントラストを上げて、明瞭な表示が可能な表示装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】発光素子に直列に接続された薄膜トランジスタのオフを選択したときに、発光素子自体の容量に保持された電荷を放電する。発光素子と直列に接続された薄膜トランジスタにオフ電流が生じても、このオフ電流は発光素子自体の容量が再び所定の電圧を保持するまでこの容量を充電する。よって、薄膜トランジスタのオフ電流は発光に寄与しない。こうして、発光素子の微発光を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗の上昇を防ぎつつ、配線間の寄生容量を低減できる表示装置を提供する。また、表示品質を向上させた表示装置を提供する。また、消費電力を低減できる表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置の画素において、信号線と、該信号線と交差する走査線と、信号線から突出する第１の電極と、該第１の電極と対向する第２の電極と、該第２の電極と接続する画素電極とを有する。また、走査線の一部はループ形状であり、第１の電極の一部は、走査線の開口部と重畳する領域に位置する。即ち、第１の電極の一部は、走査線と重畳しない。 （もっと読む）