【課題】ガセット袋のヒートシール部分を白濁させることなく、ガセット袋を確実にシールするシール装置を提供すること。
【解決手段】シール装置１は、互いに対向し、近接または離間可能に設けられ、ガセット袋３０を挟んでシールする第１および第２バー部材１０、２０を有する。第１バー部材１０は、第１バー部材１０の長手方向の略中央部分に、長手方向に沿って配置され第２バー部材２０側に突出する凸部１１を備え、ガセット袋３０は、ガセット袋３０の幅方向における両側面を内側に折り込んで形成されるマチ部３３を備え、第１および第２バー部材１０、２０でガセット袋３０を挟んだ状態において、凸部１１の長さは、ガセット袋３０の横断面においてマチ部３３を除いた中央部３９の長さよりも長い。 （もっと読む）

【課題】非拡散層及び拡散層を有する拡散ウェーハに対してスピンエッチングを施し、非拡散層の一部を除去して非拡散層の厚みを略均一とできる拡散ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】非拡散層２１及び拡散層２２を有する拡散ウェーハ２０における非拡散層２１の一部２３を、枚葉式でスピンエッチングにより除去するスピンエッチング工程を備え、スピンエッチング工程は、拡散ウェーハ２０の面内方向Ｄ２に移動可能であり且つエッチング液を拡散ウェーハ２０における非拡散層２１に供給する液供給口を備えるスピンエッチング装置を用い、液供給口を拡散ウェーハ２０における面内方向周辺部２０ｃ及び面内方向中心部２０ｄにそれぞれ位置させて液供給口からエッチング液を非拡散層２１に供給することにより、非拡散層２１における厚み方向の形状に基づいてスピンエッチングの際の非拡散層２１のエッチング除去量のウェーハ面内分布を制御する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハを保持する際に、ウェーハに対する損傷を抑えることができるようにする。
【解決手段】ウェーハＷの外周の一部を保持可能なウェーハ保持溝１３、１１が形成されたウェーハ保持体１２、１１を複数有し、ウェーハ保持体１２が複数連結された保持体列を有し、保持体列の複数のウェーハ保持体１２(１２ａ、１２ｂ)が、その隣のウェーハ保持体１２（１２ｂ、１２ｃ）に対してウェーハＷを保持する側に屈曲することにより、ウェーハＷの外周を半周よりも広範囲な部分において保持可能な状態となるようにウェーハ保持治具３を構成する。 （もっと読む）

【課題】より急峻且つより安定したＳＲプロファイルを有するエピタキシャルウェーハを製造することのできる技術を提供する。
【解決手段】不純物を含有するシリコン単結晶の基板Ｓの直上に、基板Ｓよりも不純物濃度が低い第１層を気相成長させる第１成長工程（１ｓｔ Ｇｒｏｗｔｈ工程）と、第１層よりも上に第２層を気相成長させる第２成長工程（２ｎｄ Ｇｒｏｗｔｈ工程）とを有するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、第１成長工程において、強制的に排気を行って常圧ＡＰ以下の第１圧力ＲＰの下で気相成長させ、第２成長工程において、第１圧力ＲＰより高い第２圧力ＡＰの下で気相成長させるようにする。 （もっと読む）

【課題】より急峻且つより安定したＳＲプロファイルを有し、且つ所望のＳＲプロファイルを有するエピタキシャルウェーハを製造することのできる技術を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の基板Ｓの直上に、基板Ｓよりも不純物濃度が低い第１層を気相成長させる第１成長工程（１ｓｔ Ｇｒｏｗｔｈ工程）と、第１層よりも上に第２層を気相成長させる第２成長工程（２ｎｄ Ｇｒｏｗｔｈ工程）とを有するエピタキシャルウェーハの製造方法において、第１成長工程を常圧ＡＰ以下の第１圧力ＲＰ下で実行し、第２成長工程を第１圧力ＲＰ以上の第２圧力ＡＰ下で実行するとともに、ドーパントガスの反応炉内への流量を制御するＭＦＣ１３、１５、１６の流量を時間に対して比例的に変化させるようにする。 （もっと読む）

【課題】大口径のウェーハであっても、加工中に発生した加工歪みを除去することによって変形や割れを抑制でき、安定した製造を可能にする。
【解決手段】インゴットを切断してウェーハを得るスライス工程（Ｓ１０）と、ウェーハの切断面を粗仕上げ研削する両頭研削工程（Ｓ２０）と、ウェーハの周縁部を面取りする面取り工程（Ｓ２２）と、スライス工程及び両頭研削工程に起因して両面に発生した加工歪みを除去するために両面を同時加工する両面同時加工工程と、少なくとも片面を当該片面ずつ仕上げ加工する片面仕上げ工程と、ウェーハを洗浄する洗浄工程（Ｓ６０）と、を含む。両面同時加工工程は、両面を同時にエッチングする両面エッチング工程（Ｓ３０）と、両面を同時に研磨する両面同時研磨工程（Ｓ４０）と、を含み、片面仕上げ工程は、両面を片面ずつ研磨（鏡面仕上げ）する両面研磨工程（Ｓ５０）とした。 （もっと読む）

【課題】高い平坦度が得られる半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ１の直径φを４５０ｍｍ、厚みｔを９００μｍ以上１１００μｍ以下とする。また、半導体ウェーハ１の局所的な平坦度を示すＳＦＱＲ（Ｓｉｔｅ Ｆｒｏｎｔｓｉｔｅ ｌｅａｓｔ ｓＱｕａｒｅｓ ｆｏｃａｌ ｐｌａｎｅ ｓｉｔｅ Ｒａｎｇｅ）を２５ｎｍ以下、全面の平坦度を示すＧＢＩＲ（Ｇｒｏｂａｌ Ｂａｃｋｓｉｄｅ Ｉｄｅａｌ ｆｏｃａｌ ｐｌａｎｅ Ｒａｎｇｅ）を０．１μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】搬送時のウェーハに対する物理的損傷の発生を低減することができるようにする。
【解決手段】ウェーハＷを略鉛直に立ててウェーハカセット１に収容した状態とし、ウェーハカセット１にウェーハＷを略鉛直に立てて収容した状態で、ウェーハＷの平面が搬送方向と略平行となるようにしてウェーハカセット１を搬送する。ウェーハＷが略鉛直に立てた状態とされるので、水平保持時のようなたわみの発生を低減することができる。また、ウェーハＷの平面が搬送方向と略平行となるようにしてウェーハカセット１が搬送されるので、上下移動や、水平移動や、上下の振動の加速度によるウェーハＷの平面に垂直な方向に掛かる加重を低減でき、ウェーハＷへのたわみの発生を低減できる。 （もっと読む）

【課題】無欠陥結晶（完全結晶）の取得率とその確実性を向上させることができるようなＣＺ法シリコン単結晶引上げ装置及び方法を提供する。
【解決手段】シリコン融液の中からシリコン単結晶を引上げる単結晶引上げ装置であって、前記シリコン単結晶の周囲を囲繞する熱遮蔽体を備える単結晶引上げ装置でシリコン単結晶の引き上げを行う場合に、前記熱遮蔽体底面から融液液面までの距離であるＧＡＰの変化量を追跡し、当該変化量を最小限に押さえ込むことによって、シリコン単結晶から切出されるシリコンウエハの面内における結晶欠陥分布の再現性を高める方法を使用する。一例として、ＧＡＰの距離Ｌを、メルトレベル検出装置からの実測値に基づいて精密にフィードバック制御すると共に、結晶引上げ速度Ｖについても精密に制御することにより、製造されたシリコンインゴットの広い領域にわたって無欠陥結晶領域が形成される。 （もっと読む）

【課題】無欠陥結晶（完全結晶）の取得率とその確実性を向上させることができるようなＣＺ法シリコン単結晶引上げ装置及び方法を提供する。
【解決手段】シリコン融液の中からシリコン単結晶を引上げる単結晶引上げ装置であって、前記シリコン単結晶の周囲を囲繞する熱遮蔽体を備える単結晶引上げ装置でシリコン単結晶の引き上げを行う場合に、シリコン融液の中から引上げられているシリコン単結晶中に無欠陥結晶領域を形成する際に、前記熱遮蔽体底面から融液液面までの距離であるＧＡＰの制御の精密度を増すことによってシリコン単結晶の引上げ速度の増減の許容幅を大きくする方法を使用する。一例として、ＧＡＰの距離Ｌを、メルトレベル検出装置からの実測値に基づいて精密にフィードバック制御すると共に、結晶引上げ速度Ｖについても精密に制御することにより、製造されたシリコンインゴットの広い領域にわたって無欠陥結晶領域が形成される。 （もっと読む）