【課題】引き上げバッチごとのバラツキ防止に有効な結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法による結晶体製造方法において、初期チャージ重量と石英ルツボ形状データとに応じて演算された石英ルツボに充填された初期のメルト深さである初期メルト深さと、メルトセンサでメルト表面の位置の変化量を測定した液位変化量と、ルツボ軸の動いた距離であるルツボ上昇高さとを用いて、ルツボ内のメルト深さを算出する工程を有し、前記石英ルツボ形状データは、標準ルツボと使用ルツボの重量差（ΔＷ）に基づいて、両者の肉厚差（Δｔ）を概算し、この肉厚差（Δｔ）分だけルツボの形状データ（Ｐ［ｎ］）をシフトして、補正データ（Ｐ’［ｎ］）を作成する。そして、この作成した補正データ（Ｐ’［ｎ］）を使用して結晶体の引き上げを行う。 （もっと読む）

【課題】加工室内のスラッジを適切に除去することのできる技術を提供する。
【解決手段】周囲が囲こまれている加工室Ｒ内でウェーハＷを研削する研削処理方法において、加工室Ｒ内でウェーハＷを研削している時点、又は研削した直後の時点の少なくとも一方の時点において、扉用洗浄ノズル部１２が、加工室Ｒ内の扉７の内側面に対して、内側面に沿って流れるように洗浄液を供給するようにする。係る研削処理方法によると、所定の面に付着しているスラッジや、所定面に向かって飛んできたスラッジを、その面に流れる洗浄液により適切に洗い流すことができる。このため、所定の面に付着するスラッジが付着することを適切に防止することができる。また、飛散しているスラッジを適切に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの表面を研磨した際に表面に作用する応力により形成された凸状の欠陥を適切に除去可能な半導体ウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ表面１１をオゾンにより酸化して欠陥１２以外の部分にシリコン酸化膜１０Ａを形成する。その後フッ酸３を噴霧し、酸化膜１０Ａを溶解除去する。さらにこの後、洗浄ガス４をシリコンウェハ１の表面に噴射し、欠陥１２を溶解除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの表面を研磨した際に表面に作用する応力により形成された凸状の欠陥を適切に除去可能な半導体ウェハの洗浄方法を提供すること。
【解決手段】シリコンウェハ表面１１をスラリー研磨すると、一部がシリコンウェハ内に存在し残りの部分がシリコンウェハ表面１１から凸状に盛り上がった形状の欠陥が形成されるが、これをオゾンガス２により酸化してシリコン酸化膜１０Ａおよび酸化欠陥１２Ａを形成し、この後、洗浄ガス３をシリコンウェハ表面１１に噴射してエッチングし、酸化された欠陥箇所と酸化膜を溶解除去する。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー炉における原料融液の液面位置（メルトレベル）の位置測定方法及び位置測定装置を提供する。
【解決手段】測定箇所７ａで反射した反射光を、集光レンズ１３ａで集光して二次元光センサ１３ｂで受光し、受光された反射光の輝度に基づいて三角測量の原理を利用して測定箇所７ａの位置を測定する方法であって、二次元光センサ１３ｂにおいて反射光が測定箇所７ａの位置を表す方向を第１方向Ｄ１といい、第１方向Ｄ１と直交する方向を第２方向Ｄ２という場合に、第２方向Ｄ２に沿う反射光の輝度を示す第２波形についてその重心である第２方向重心を算出する第２方向重心算出工程と、第２方向重心に基づいて第１方向Ｄ１に沿う反射光の輝度を示す第１波形についてその中心である第１方向中心位置を算出する第１方向中心位置算出工程と、第１方向中心位置に基づいて測定箇所の位置を算出する測定箇所算出工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法の種絞り工程から結晶径を拡大するコーン部形成工程初期における半導体単結晶の晶出界面の測量方法、測量システム、制御方法、制御システムを提供する。
【解決手段】半導体単結晶を製造するＦＺ法の種絞り工程から結晶径を拡大するコーン部２４形成工程初期において加熱コイル２８の内部で晶出される前記半導体単結晶の晶出界面２２の直径を、前記晶出界面２２と異なる高さ位置に配置された第１カメラ１２と、前記第１カメラ１２と同一の高さ位置に配置され前記第１カメラ１２と平行な光軸を有する第２カメラ１４との前記晶出界面２２に対する視差を利用した三角測量演算処理を介して測量する。 （もっと読む）

【課題】１バッチで製造される複数のウェハを１つの組成の洗浄液で洗浄したときに、全てのウェハの表面粗さを後工程に影響を及ぼさないレベルにすることが可能なアニールウェハの製造方法の提供。
【解決手段】ウェハ搬送部４のアンロードの開始に伴いプロセスチューブ２６に外部の空気を導入し、ボート４３４が減速位置に到達したときにウェハ搬送部４を減速させるため、定速アンロード方法よりもボトムウェハＷｂの酸素含有気体中加熱時間を長くでき、全ウェハＷの酸化膜厚を２．４ｎｍ以上にすることができる。一時的に減速するだけなので、酸化膜厚を２．４ｎｍにするための時間を減速アンロード方法よりも短くすることができる。１バッチで製造されたウェハを１つの組成のＳＣ−１洗浄液で洗浄したときに、全ウェハの表面粗さを後工程に影響を及ぼさないレベルにでき、このようなウェハＷの製造時間を短縮できる。 （もっと読む）

【課題】面取り面の形状が異常であるか否かの判定を簡便に行うことができる半導体ウェーハの検査方法を提供すること。
【解決手段】半導体ウェーハの検査方法は、第１の撮像装置１２ａを用いて主表面２１側から視た面取り面２３の画像である第１の画像を撮像し、第２の撮像装置１２ｂを用いて裏面２２側から視た面取り面２３の画像である第２の画像を撮像する撮像工程と、撮像工程により撮像された第１の画像に基づいて面取り面２３を主表面２１側から視たときの幅である第１の幅を求め、撮像工程により撮像された第２の画像に基づいて面取り面２３を裏面２２側から視たときの幅である第２の幅を求め、求められた第１の幅と第２の幅との比率を算出する算出工程と、算出工程により算出された比率が所定の範囲から外れている場合には、面取り面２３の形状が異常であると判定する形状判定工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ等の半導体用ウエハの電気的特性を適切に評価すること。
【解決手段】ロットＰＬから任意に選択されたシリコンウエハ１について（Ｓ１）、Ｉ−Ｖ特性を測定し（Ｓ２，Ｓ３）、測定値６と基準値７とが一致するか否かを判定する（Ｓ４）。一致の場合は良品であるから出荷工程に送られる（Ｓ６）。不一致の場合は、犠牲酸化膜の成長及びその除去等を行うことにより、シリコンウエハ１に付着した不純物を取り除く。同一ロットＰＬ内の別のシリコンウエハ１について再びＩ−Ｖ測定を行い、測定値６と基準値７とが一致するか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン等の半導体単結晶製造装置において、排気部材の内面へのドーパント及びドーパントの酸化物の固着物、並びにアモルファスの層の固着を抑制し、また、これらが排気部材の内面に固着したとしても容易に除去することのできる半導体単結晶製造装置用の排気部材を提供する。
【解決手段】半導体単結晶製造装置用の排気部材１０は、引き上げ炉の内部でドーパントが添加された半導体の融液から、半導体単結晶を製造する半導体単結晶製造装置に用いられ、前記融液からの蒸発物及び気化したドーパントをキャリアガスとともに外部に排気するための排気部材１０であって、排気部材１０のうち、排気される前記融液からの蒸発物及び気化したドーパントが通過する空間に面した曝露面１１の表面粗さＲａが０．２μｍ以下である。 （もっと読む）