【課題】シリコンインゴットの直胴部を成長させる期間に必要な量のドーパントを融液に添加しても、シリコン単結晶に転位が導入されるのを軽減することのできるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶をシリコンの融液５に着液させた後、前記種結晶を引き上げてシリコン単結晶６を成長させる成長工程に、前記シリコン単結晶６の直胴部の成長中にドーパントを前記融液に添加するドーパント添加工程を含むシリコン単結晶６の製造方法であって、前記ドーパント添加工程において、前記ドーパント添加工程の開始時点における前記融液５の残りの質量を算出し、算出された前記融液５の残りの質量１ｋｇあたり、ドーパントを毎分０．０１〜０．０３５ｇ／ｍｉｎ・ｋｇの速度で前記融液５に添加する。ドーパント点か速度を前記範囲にすることにより、良好な歩留まりを確保しつつ、シリコン単結晶６が有転位化することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で昇華性ドーパントが気化する速度を調節する効果を向上できるシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引き上げるシリコン単結晶引上装置であって、引上炉の内部又は外部に設けられ、融液に供給する昇華性ドーパント２３を内部に収容する縦長の試料管６と、引上炉の内部に設けられ、試料管６に接合されて試料管６から供給される昇華性ドーパント２３を融液に供給する供給部７と、を備え、試料管６は、その内部における融液側の一端６３ｂの面積Ｓが７ｃｍ^２以下となるように構成する。このため、昇華性ドーパント２３が、試料管６の内部の上方から下方へ縦長に配置されることとなり、試料管６の下方側と上方側とでドーパントが気化するまでの時間差が生じる。よって、昇華性ドーパント２３が、徐々に気化することとなり、気化する速度を調節することができる。 （もっと読む）

【課題】検査効率に影響を与えることなく、かつ、面だれを発生させることなく試料ウェハの切断面を研磨可能な試料ウェハの研磨方法の提供。
【解決手段】一対のダミー部材としてのダミーウェハＤの間に試料ウェハＷを積層する状態で設け、これらのダミー部材としてのダミーウェハＤで試料ウェハＷを挟持した被研磨体Ｈを研磨している。このため、複数枚の試料ウェハＷであっても強固に固定できる。また、試料ウェハＷを固定するためにワックスなどを塗布しないので、ウェハ鏡面加工面Ｗ２の付着物を除去する必要がなく、検査効率に影響を与えることがない。さらに、研磨の際に砥粒が被研磨体Ｈのダミー部材としてのダミーウェハＤ側に滞留しても、ダミー部材としてのダミーウェハＤが研磨されるだけであり、試料ウェハＷの面だれ発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】シリコン結晶育成時にリンのような電気抵抗率降下用ドーパントとゲルマニウムが一緒に高濃度にドープされた低電気抵抗率のシリコン結晶基板をベースにしたエピタキシャルシリコンウェーハにおいて、ミスフィット転位とスタッキングフォルト（ＳＦ）の双方を抑制する。
【解決手段】シリコン結晶育成時に例えばリンとゲルマニウムが一緒に高濃度ドープされたシリコン結晶基板上に、シリコンエピタキシャル層をＣＶＤ法で成長させるプロセスにおいて、そのプロセス温度を１０００〜１０９０℃の範囲内（より望ましくは、１０５０〜１０８０℃）の範囲内にする。これにより、ＳＦに起因してエピタキシャルシリコンウェーハの表面に生じるＬＰＤ（ＳＦに起因して生じる）の個数が大幅に減る。 （もっと読む）

【課題】各工程において生じるシリコンウェーハとサセプタとの温度差を所定内となるように制御し、シリコンウェーハの面内の温度分布を所定の範囲内となるように制御可能なエピタキシャル装置を提供する。
【解決手段】サセプタの上に実質的に水平状態に配されるシリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造装置において、少なくとも前記シリコン単結晶基板の上又は下に配されるヒータと、前記シリコン単結晶基板から見て前記ヒータの背後に配置されるリフレクターと、前記ヒータの出力を制御可能な制御装置と、を備え、前記リフレクターは、前記ヒータからの熱線を前記シリコン単結晶基板の中心側により多く反射するように傾斜した傾斜部を所定の割合で備え、前記ヒータは、前記傾斜部に対応する傾斜部対応ヒータ要素を備え、前記制御装置は、前記傾斜部の割合に応じて、前記傾斜部対応ヒータ要素の出力を制御する。 （もっと読む）

【課題】試料管の貫通孔を通過した粉状体の昇華性ドーパントが、融液に落下することを防止可能なシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引上装置１は、引上炉２と、引上炉２の内部又は外部に設けられ、融液５に供給する昇華性ドーパント２３を収容する試料容器６と、引上炉２の内部に設けられ、試料容器６に接合されて試料容器６から供給される昇華性ドーパントを融液５に供給する中空の供給部７と、供給部７の外側に設けられ、融液５からシリコン単結晶４１への輻射熱を遮蔽する筒状の熱遮蔽部材８と、供給部７の内側に設けられ、引上炉２の内部の不純物を除去するように排出されるガスが引上炉２の上下方向に流通する整流筒１５と、を備え、熱遮蔽部材８は、熱遮蔽部材８の内壁面に整流筒１５を載置する載置部１８を、試料容器６の移動範囲の少なくとも下方側に備える。 （もっと読む）

【課題】面だれを発生させることなくウェハの一面を斜めに研磨可能な試料ウェハの研磨方法の提供。
【解決手段】試料ウェハＷのウェハ鏡面加工面Ｗ２に、ダミーウェハＤを積層する状態で設けた被研磨体Ｈを作製している。そして、ウェハ鏡面加工面Ｗ２がダミーウェハＤを介して装置研磨面２３Ａと略対向し、かつ、ウェハ鏡面加工面Ｗ２と装置研磨面２３Ａとのなす角度が鋭角となるように、被研磨体Ｈを装置研磨面２３Ａおよび砥粒２４に接触させて、この接触部分のダミーウェハＤ側に砥粒２４を滞留させるように被研磨体Ｈと装置研磨面２３Ａとを相対移動させて、ウェハ鏡面加工面Ｗ２を斜めに研磨している。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で試料管を供給部に送ることが可能であると共に、メンテナンス性の向上したシリコン単結晶引上装置を提供すること。
【解決手段】シリコン単結晶引上装置１は、ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引き上げるシリコン単結晶引上装置１であって、融液が収容される引上炉２と、引上炉２に外付けされ、引上炉２の内部と連通する中空の試料室１００と、融液に供給する昇華性ドーパントが収容される試料管６と、試料管６を支持する支持体１２０と、支持体１２０を試料室１００の内部で支持した状態で移動させることにより、支持体１２０に支持された試料管６を引上炉２の内部に移動させる移動手段１１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】気化した昇華性ドーパントを融液に供給する供給部から、粉状体の状態の昇華性ドーパントが融液に落下することを防止可能なシリコン単結晶引上装置を提供すること。
【解決手段】シリコン単結晶引上装置１は、引上炉２と、引上炉２の内部又は外部に設けられ、昇華性ドーパント２３を収容する試料容器６と、引上炉２の内部に設けられ、試料容器６から供給される昇華性ドーパント２３を融液５に供給する中空の供給部７と、試料容器６と供給部７とを接合し、試料容器６と供給部７との間を連通させる第１通路１０を有する接合手段と、を備え、供給部７は、その内部に、第１通路１０における供給部７側の一端の下方に設けられ第１通路１０を通過した昇華性ドーパント２３の粉状体を受ける受け部７５と、受け部７５から上方に向かって延び、昇華した昇華性ドーパント２３が流通可能な第２通路２０と、第２通路２０から下方へ延びる第３通路３０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハとサセプターとの接触部における転位発生を抑制可能なエピタキシャルウェーハの製造方法等を提供する。
【解決手段】実質的に水平状態に配されるサセプターに載置されたシリコンウェーハ基板の主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記エピタキシャル層の成長工程と、前記エピタキシャル層を備えるエピタキシャルウェーハを冷却する冷却工程と、を含み、前記冷却工程は、該エピタキシャルウェーハの外周部の温度を計測する工程と、前記サセプターの温度を計測する工程と、計測された前記外周部の温度と前記サセプターの温度との差が所定の範囲内となるように、少なくとも前記サセプター又は前記エピタキシャルウェーハを加熱できるヒータを制御する工程と、を含む。 （もっと読む）