【課題】酸素を含有するシリコン原料素材を用いてフローティングゾーン法でシリコン単結晶を製造する際に、炉内でのＳｉＯ_２の析出・付着を効果的に抑制することが可能なシリコン単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】フローティングゾーン法を用いてシリコン単結晶３を製造する装置１０であって、酸素を含有するシリコン原料素材１および種結晶２上に育成したシリコン単結晶３を収容する炉Ｃと、炉内のシリコン原料素材１と種結晶２との間に位置し、シリコン原料素材１を溶融して溶融帯Ｍを形成し、種結晶２上にシリコン単結晶３を育成するための誘導加熱コイル８と、シリコン原料素材１と誘導加熱コイル８との間に位置し、不活性ガスを吹き付けてシリコン原料素材１の溶融により発生するＳｉＯガスを外方拡散させる不活性ガス吹付け手段９とを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶の有転位化を抑制しつつ、シリコン単結晶の引き上げ中に大量のドーパントを融液に添加して高濃度のドーパントを含有した低抵抗率のシリコン単結晶を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】シリコンの融液に接触させたシリコン種結晶を回転させながら引き上げて、該シリコン種結晶下に直径がφｍｍの直胴部を有するシリコン単結晶を育成することを含むシリコン単結晶の製造方法であって、シリコン単結晶の直胴部の育成中に、シリコン単結晶を回転速度ωｒｐｍ［但し、ω≧２４−（φ／２５）］で回転させながらドーパントを融液に添加するドーパント添加工程を含むことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ＦＺ法によって製造された単結晶インゴットのコーン部を、新たなウェーハ用インゴットとして用いることを可能とし、さらに、高品質なウェーハを得ることにある。
【解決手段】ＦＺ法によって製造された、コーン部１１及び直胴部１２を有する単結晶インゴット１０から、前記コーン部１１を単結晶インゴット１２の中心軸線Ｘに対し直交する方向に切り出し、前記コーン部１１を、直胴部１２から得られるウェーハの直径Ｗよりも小さい直径Ｗ１をもつ小径化ウェーハ３０を得るための小径化ウェーハ用インゴット１４とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】面内抵抗が均一なＦＺ法（フローティングゾーン法）によるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン原料を部分的に加熱溶融して溶融帯を形成し、該溶融帯からシリコン単結晶１０を成長させるＦＺ法により不純物をドープしたシリコン単結晶インゴットから得られるシリコンウェーハの製造方法であって、製品ウェーハの抵抗保証直径Ｗ１よりも25mm以上大きな直径Ｗで、前記シリコン単結晶１０の直胴部１２を形成する工程と、該直胴部１２の外周面１２ａを製品規格直径Ｗ２まで研削する工程とを含む。前記不純物は、リン、又はボロンであり、前記不純物のドーピングは、前記溶融帯に前記不純物をガスドープする。 （もっと読む）

【課題】整流筒内に乱流の発生による半導体単結晶の品質を低下させることなく、チャンバの外部から半導体結晶または坩堝内の所定の観察位置を観察する。
【解決手段】単結晶引上装置１０の整流筒１５に、少なくとも１つの平板状の観察窓３１を設ける。観察窓３１は整流筒１５と同一の石英ガラス材料により構成され、整流筒１５と観察窓３１との一体化は、溶接によって行われる。観察窓３１は、単結晶引上装置１０の覗き窓１８および所定の観察位置２５と直列となる位置に配置して、チャンバ１１の外部から所定の観察位置２５を観察することができるようにする。 （もっと読む）

【課題】特に多量のドーパントを添加した場合にあっても、結晶成長中のセル成長を未然に回避して低抵抗の単結晶シリコンを製造し得る手法について提案する。
【解決手段】チョクラルスキー法により単結晶シリコンを製造するに当たり、単結晶シリコンを引き上げ時における固液界面の高さを制御することによって、低抵抗率の単結晶シリコンを製造する。 （もっと読む）

【課題】熱遮蔽板とシリコン融液との接触を有効に回避し得る方法、及び、それを可能とする単結晶シリコンの製造装置を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により単結晶シリコン１７を製造する方法であって、熱遮蔽板１４の下端部１４０に、長さの異なる少なくとも２本の棒状ピン１５を配置し、ルツボ４を、最も長い棒状ピン１５Ａがルツボ４内のシリコン融液Ｓに接触するまで上昇させ、その時点での熱遮蔽板１４の下端部１４０とシリコン融液Ｓとの間隔を基準として該間隔が初期設定値になるまでルツボ４を下降させ、次いで、シリコン融液Ｓから単結晶シリコン１７の引上げを行って単結晶シリコン１７を育成する過程において、最も短い棒状ピン１５Ｂがシリコン融液Ｓに接触した際に、少なくともルツボ４の上昇を停止し、熱遮蔽板１４とシリコン融液Ｓとの接触を回避する。また、かかる製造方法を可能とする単結晶シリコンの製造装置１である。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上装置の排気系に設けられ、十分な粉塵除去効果が得られる単結晶引上装置の排気集塵装置を提供する。
【解決手段】サイクロン本体２１内に、導入管２２より導入した粉塵含有気体の旋回方向と略一致する旋回方向に、この気体を旋回させつつ、サイクロン本体２１の下部へ案内する整流固定翼２８ａ−２８ｄを複数設ける。整流固定翼２８ａ−２８ｄは、円筒部２４の中心軸に直交する所定の平面に沿い、サイクロン本体２１内部の流出管２３の外周部と円筒部２４または円錐台状部２５の内周部との間に放射状に固定配置された複数のフィンを有する。複数のフィンは、円筒部の中心軸線に直交する第１平面に対して傾斜角３０度〜５０度の傾斜角を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ウェーハ収納用カセット内に載置されているウェーハの載置位置がずれている場合であっても、容易に、ウェーハの位置を修正し、ウェーハを保持・搬送できるウェーハ搬送装置及び方法を提供することにある。
【解決手段】ロボットハンド１０が、ウェーハ下方の空間３２内を水平移動可能でかつ、水平移動時に保持すべきウェーハ２０の周縁部の高さ位置Ｈ_Ｗよりも大きな高さ寸法Ｈ_Ｙをもつウェーハ位置調整手段１３とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サイクロン本体内の圧力を低くした場合にも、気体の旋回運動が発生しサイクロン効果による粉塵の捕集が可能なサイクロン装置を提供する。
【解決手段】サイクロン本体２１内に、導入管２２より導入した粉塵含有気体の旋回方向と略一致する旋回方向に、この気体を旋回させつつ、サイクロン本体２１の下部へ案内する整流固定翼２８ａ−２８ｄを複数設ける。整流固定翼２８ａ−２８ｄは、円筒部２４の中心軸に直交する所定の平面に沿い、サイクロン本体２１内部の排出管２３の外周部と円筒部２４または円錐台状部２５の内周部との間に放射状に固定配置された複数のフィンを有する。複数のフィンは、円筒部の中心軸線に直交する第１平面に対して傾斜角３０度〜５０度の傾斜角を有する。 （もっと読む）