【課題】研磨クロスに含まれる重金属成分の量（すなわち金属汚染の程度）を簡便な手段で評価できる方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、シリコンウェーハの研磨工程で使用される研磨クロスの金属汚染評価方法であって、前記研磨クロスを前記シリコンウェーハに付着させるクロス付着工程Ｓ１と、クロス付着工程Ｓ１を経た前記シリコンウェーハを判定することにより研磨クロスの金属汚染の程度を判定する判定工程Ｓ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】単結晶引き上げ装置において、ワイヤの巻取り限界検出手段の設置方法および引上げ結晶の上限検出機構を提供する。
【解決手段】ワイヤ巻上げ機構によりワイヤ１２が巻上げられると、カプラ１４が引上げられ、中段フランジ２０の開口３４周辺部に当接し、該中段フランジ２０を押し上げる。これにより、中段フランジ２０が上昇し、右側部も上昇し、リミットスイッチ３０のパッド３２が右方向に移動させられ、リミットスイッチ３０が作動する。前記リミットスイッチ３０をワイヤ１４が引上げられる環境とは隔離された環境に配置することにより、スペースユーティリティ上有利となり、配置の自由度も高くなり、保守管理が容易となる。また、検出手段の選択の範囲が広がる。 （もっと読む）

【課題】大口径のウェーハであっても、簡易な構成でウェーハの外周縁部の撓みを最小に抑えて装置への装填作業性を向上できると共に、ウェーハとの接触面積を少なくしてウェーハに接触傷や汚れ等が付くのを抑制すること。
【解決手段】直径が４５０ｍｍであり、かつ、厚みが８２５μｍ以上のウェーハ１０の裏面部１０ａを下方から線接触して支持する支持具２０である。支持具２０は、円環状に形成され、ウェーハ１０と同心状に、かつ、ウェーハ１０の中心Ｃから当該ウェーハ１０の半径ｒの０．８〜０．９８倍の領域内に配置される。支持具２０は、断面形状が直角三角形に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハのノッチ部を鏡面研磨する際の好ましい研磨パッドを提供する。
【解決手段】ノッチ部を研磨する研磨パッドは、ノッチ部の特殊な凹形状からそれに倣うような凸形状をした先端部を有しており、先端部の各部位はノッチ部の対応する部位にもっぱら接触し、他の部位には接触することが少ない。そのため、このような異なる好ましい特性をそれぞれ対応する研磨パッドの各部位に持たせることにより好ましい研磨パッドを提供する。例えば、柔軟に変形可能な研磨パッド部材と耐荷重性に優れる研磨パッド部材とを積層した多層研磨パッド部材を含む研磨パッドにおいて、各層の露出部（先端部）の特性を生かすことができる。 （もっと読む）

【課題】研磨装置においてワークピースを保持する治具（例えばキャリア）の耐摩耗性を安価に向上させ、シリコンウェーハの研磨等工程における生産性を向上させ、研磨等されたシリコンウェーハの平坦度を高く保つことができる治具及びその治具の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ１４の少なくとも片面を研磨する研磨装置に使用され、前記シリコンウェーハ１４を保持するワークピースキャリア１２において、前記ワークピースキャリア１２は、カーボンブラック及び／又はサーマルカーボンを０．１重量％以上含む樹脂部からなる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハや熱処理炉内のシリコン系部材における汚染金属の濃度を十分に低減できる洗浄方法及びそれを用いたシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエハ６１やシリコンダミーウエハ６５、熱処理炉６の内部に配置されるシリコンウエハボート６２等のシリコン系部材の洗浄方法であって、シリコンウエハ６１及びシリコン系部材を、１０００℃以上の酸化性雰囲気下で熱処理する酸化熱処理工程中に、シリコンウエハ及びシリコン系部材に対して塩化水素ガスを接触させる洗浄工程を行う。これにより、鉄等の汚染金属濃度を充分に低減できる。 （もっと読む）

【課題】小型でありながら、昇華性ドーパントを収容する試料管の位置を容易に修正可能な昇降手段を有するシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引き上げるシリコン単結晶引上装置であって、引上炉２と、引上炉に外付けされ昇華性ドーパント２３を収容する試料室２０と、引上炉の内部と試料室２０の内部とを熱的に遮断する遮蔽手段２４と、試料室２０の内部と引上炉の内部との間を昇降可能な試料管２１と、試料管２１が摺動可能なガイドレール２５ｂ（２５ｃ、２５ｄ）及びガイドレール２５ｂに沿って試料管２１を昇降させるワイヤ機構２５ａを備える昇降手段２５と、を含む。 （もっと読む）

【課題】試料管と供給管とを接続する接続手段の密閉性を高め、昇華性ドーパントが接続手段から漏れることを防止するシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引上装置は、引上炉２と、昇華性ドーパント２３を収容する試料室２０と、試料室２０の内部と引上炉の内部との間を昇降可能な試料管２１と、試料管２１を昇降させる昇降手段２５と、引上炉の内部に設けられ、昇華性ドーパント２３を融液に供給する供給管２２と、試料管２１と供給管２２とを接合する接合手段と、を含む。接合手段は、試料管２１の一端から突出する凸部２１１と、供給管２２の一端に設けられ凸部２１１が嵌合可能に形成された凹部２２１と、からなり、凸部２１１と凹部２２１との接触面が曲面となるように形成されるボールジョイント構造により構成され、試料管２１と供給管２２との間には、流路が形成される。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ研磨用のキャリア本体の大型化に伴う問題点を克服し、キャリア表面に形成したＤＬＣ薄膜の局部的クラックや早期剥離を防止し、研磨効率の向上を目指す。
【解決手段】金属製キャリア本体の表面を加工ブラスト処理によって、その表面に圧縮残留応力と表面硬化による剛性を付与するとともに、表面粗さをＲａ：０．０５〜０．８５μｍ、Ｒｚ０．０９〜１．９９μｍの範囲に調整し、その表面に、ＤＬＣ薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】大口径のウェーハであっても、簡易な構成で撓みを最小に抑えると共に、ウェーハとの接触面積を少なくしてウェーハに接触傷や汚れ等が付くのを抑制すること。
【解決手段】直径が４５０ｍｍであり、かつ、厚みが８００μｍ以上のウェーハ１０の裏面部１０ａを下方から線接触して支持する支持具２０であって、ウェーハ１０の中心Ｃに一致する中心を有する仮想の正六角形１５の一の内角Ｒ１を挟む二辺上に配置された第１支持具２１と、内角Ｒ１と対向する内角Ｒ２を挟む二辺上に配置された第２支持具２２と、からなり、頂点Ｔ１，Ｔ２は、ウェーハ１０の中心Ｃから当該ウェーハ１０の半径ｒの０．８〜０．９倍の領域内に配置される。第１支持具２１及び第２支持具２２の端部２１ａ，２２ａは、ウェーハ１０の外周部から突出して配置される。第１支持具２１及び第２支持具２２は、断面形状が三角形に形成されている。 （もっと読む）