【課題】オートドープの影響を適切に検出可能なオートドープの検出方法の提供。
【解決手段】オートドープの検出方法として、サセプタ４にＡｓウェハＷａとＰウェハＷｐとを配置してエピ膜を気相成長させ、ＰウェハＷｐの断面深さ方向の抵抗分布を測定する方法を適用している。このため、ＡｓウェハＷａとともにＰウェハＷｐにエピ膜を気相成長させるときに、ＡｓウェハＷａから多量のドーパントを意図的に蒸発させることで、ＰウェハＷｐのエピ成長膜に多量のドーパントを取り込ませることができる。したがって、エピ成長膜におけるオートドープ取り込み部分の抵抗率を、ＰウェハＷｐの抵抗率やエピドープ制御膜部分の抵抗率よりも低くすることができ、この抵抗分布を測定することで、オートドープの発生状況を適切に検出できる。 （もっと読む）

【課題】ドーパントが多量に添加された低い抵抗率のシリコン単結晶を成長させる場合であっても、シリコン単結晶のテール部分が有転位化することを防止できるシリコン単結晶の製造方法、及びそのような製造方法によって製造されるシリコン単結晶を提供すること。
【解決手段】本発明のシリコン単結晶６の製造方法は、熱遮蔽部材８が融液５の上方に設けられた引き上げ炉２の内部で、ドーパントを含む融液５からシリコン単結晶６を引き上げ、引き上げ炉２の内部には、引き上げ炉２の外部から供給され、熱遮蔽部材８の下端と融液５との間隙ｄを通過した後に引き上げ炉２の外部に排出されるパージガス１７が流通し、シリコン単結晶６の成長中に、パージガス１７が間隙ｄを通過する速度であるガス流速を増加させることにより、融液５に含まれるドーパントの蒸発を促進させ、融液５に含まれるドーパントの濃度を小さくすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法（フローティングゾーン法、または浮遊帯域溶融法）における画像計測用カメラ位置の自動調整方法及び自動調整システムを提供する。
【解決手段】ＦＺ法に用いられる画像計測用カメラ２０の誘導加熱コイル１４との相対位置を調整するＦＺ法における画像計測用カメラ位置の自動調整方法であって、前記誘導加熱コイル１４の現在コイル位置を測定し、前記現在コイル位置と前記誘導加熱コイル１４の設計コイル位置との差分を算出し、前記現在コイル位置の方向に前記差分だけ前記画像計測用カメラ２０を平行移動させる。 （もっと読む）

【課題】Ｎ型半導体ウェハの面内抵抗率の測定を安定させ、この測定による信頼性を向上させることができるＮ型半導体ウェハの抵抗率測定方法を提供すること。
【解決手段】ウェハに対して紫外線照射を行い、ウェハの表面に厚みが１ｎｍ以上の酸化膜を形成する。次に、酸化膜が形成されたウェハに対してコロナ放電を行う。そして、コロナ放電により熱平衡状態となったウェハに対して光源から光を照射する。次に、測定プローブにより、ウェハの表面近傍に形成された空乏層によって検出可能となったΔＶ_ｓを検出する。そして、このΔＶ_ｓから空乏層の幅を算出し、空乏層の幅からキャリア濃度を算出し、さらに、キャリア濃度から抵抗率へ換算する。 （もっと読む）

【課題】新しい治具を熱処理炉に用いたとき、この治具から発生する浮遊元素及びその化合物による予期せぬコンタミを防ぐ方法を提供する。
【解決手段】熱処理の目的を明確にし、それに必要な要素を明らかにした後、シリコンウェーハの表面に酸化膜を形成する条件を前記熱処理の目的及び効果に影響を与えない範囲で求め、これらを組合わせた熱処理工程を作り、シリコンウェーハの製造工程に組込む。また、新規導入治具等からのコンタミとなる元素及びその化合物の発生を計測若しくは予想し、事前若しくは事後的にかかる不純物のシリコンウェーハへの侵入を防止する手段を講ずる。特に、熱処理工程における、雰囲気制御という比較的容易な方法で、シリコンウェーハの表面にバリアを形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化雰囲気での熱処理によるＳｉ−ＳｉＧｅ積層体の表面からの酸化速度の位置による差異を抑えつつ、歪緩和ＳｉＧｅ層の主表面に設けられた歪みＳｉ層の主表面の表面粗さを小さくできる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、基板に第１Ｓｉ層を形成する第１シリコン層形成工程Ｓ１と、その上に第１ＳｉＧｅ層を形成する第１シリコンゲルマニウム層形成工程Ｓ２と、その上に第２Ｓｉ層を形成する第２シリコン層形成工程Ｓ３と、その上に第２ＳｉＧｅ層を形成する第２シリコンゲルマニウム層形成工程Ｓ４と、その上にＳｉキャップ層を形成するシリコンキャップ層形成工程Ｓ５と、酸化雰囲気でこれらＳｉ−ＳｉＧｅ積層体を熱処理する改質工程Ｓ６と、熱処理で形成された酸化物を除去する酸化物除去工程Ｓ７と、露出した歪緩和ＳｉＧｅ層に第３Ｓｉ層（歪みＳｉ層）を形成する第３シリコン層形成工程Ｓ８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布が均一なエピタキシャル膜を有するとともに、平坦度に優れたエピタキシャルウェハを簡単な工程で製造することのできるエピタキシャルウェハの製造方法およびエピタキシャルウェハを提供すること。
【解決手段】ＣＺ法により得られたシリコン単結晶インゴットを薄円板状に切り出してウェハを得る（ステップＳ１）。次に、ウェハの表面を研削（ラッピング）して平面化する（ステップＳ２）。次に、エッチングによる化学研磨を行った（ステップＳ３）後、ウェハの両面を粗研磨する（ステップＳ４）。粗研磨終了後、気相エッチングを行い（ステップＳ５）、その後、エピタキシャル膜を形成する（ステップＳ６）。そして、エピタキシャル膜が形成されたウェハに対して仕上げ研磨を行い（ステップＳ７）、最終洗浄を行った（ステップＳ８）後、終了する。 （もっと読む）

【課題】仕上げ研磨の後行うシリコンウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ１８の粗研磨を経て行われる仕上げ研磨の後、前記シリコンウェハの表面に酸化膜２２を形成し、前記酸化膜２２の除去により前記表面上の不純物を除去するシリコンウェハ１８の洗浄方法であって、前記酸化膜２２の除去は、前記仕上げ研磨時に前記シリコンウェハ１８の研磨面に形成される加工変質層２２が酸化膜除去工程により除去されるまで行う。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴットの直胴部を成長させる期間に必要な量のドーパントを融液に添加しても、シリコン単結晶に転位が導入されるのを軽減することのできるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶をシリコンの融液５に着液させた後、前記種結晶を引き上げてシリコン単結晶６を成長させる成長工程に、前記シリコン単結晶６の直胴部の成長中にドーパントを前記融液に添加するドーパント添加工程を含むシリコン単結晶６の製造方法であって、前記ドーパント添加工程において、前記ドーパント添加工程の開始時点における前記融液５の残りの質量を算出し、算出された前記融液５の残りの質量１ｋｇあたり、ドーパントを毎分０．０１〜０．０３５ｇ／ｍｉｎ・ｋｇの速度で前記融液５に添加する。ドーパント点か速度を前記範囲にすることにより、良好な歩留まりを確保しつつ、シリコン単結晶６が有転位化することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で昇華性ドーパントが気化する速度を調節する効果を向上できるシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引き上げるシリコン単結晶引上装置であって、引上炉の内部又は外部に設けられ、融液に供給する昇華性ドーパント２３を内部に収容する縦長の試料管６と、引上炉の内部に設けられ、試料管６に接合されて試料管６から供給される昇華性ドーパント２３を融液に供給する供給部７と、を備え、試料管６は、その内部における融液側の一端６３ｂの面積Ｓが７ｃｍ^２以下となるように構成する。このため、昇華性ドーパント２３が、試料管６の内部の上方から下方へ縦長に配置されることとなり、試料管６の下方側と上方側とでドーパントが気化するまでの時間差が生じる。よって、昇華性ドーパント２３が、徐々に気化することとなり、気化する速度を調節することができる。 （もっと読む）