【課題】シリコン単結晶の直胴部の前半部までが形成される時間の長短によることなく、昇華性ドーパントが確実に高濃度に添加された、所望の抵抗率を有するシリコン単結晶を成長することができるシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引上げるシリコン単結晶引上装置１ａであって、昇華性ドーパントを収納する収納手段として引上炉２の上部に設置された試料皿２０ａを用いる。試料皿２０ａの中には昇華性ドーパントを入れ、駆動手段２５ａによってヒンジに接続された試料皿２０ａを斜めに傾けて、昇華性ドーパントを供給管２２の一端に接続されたドープ管２１ａに投入していく。試料皿２０ａから駆動手段２５ａを用いて順次供給手段に投入することにより、１バッチの結晶成長において所望のタイミングで高濃度の昇華性ドーパントを供給することができる。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上げ中インゴットを冷却するためのクーラーを備える単結晶インゴット製造装置において、ルツボを余分に加熱して温度を上げることなしにテール部を形成することができる装置及び方法を提供する。
【解決手段】加熱されたルツボ２３内の原料融液２２から単結晶インゴット２７の引き上げを行うチョクラルスキー法による単結晶インゴット製造装置において、引き上げ中の単結晶インゴット２７の所定個所の冷却を行うクーラー１９をチャンバー２１内に備える単結晶インゴット製造装置を制御する方法であって、単結晶インゴット２７を原料融液２２から引き上げた後に、クーラー１９と加熱が終了したルツボ２３とを近づけることにより単結晶インゴット製造後におけるホットゾーンの冷却時間を短縮し、単結晶インゴット製造サイクルの短縮（効率化）を可能にする。 （もっと読む）

【課題】ドープが行われた後の結晶の領域において成長軸方向の比抵抗プロファイルが急激に変化したシリコン単結晶を引き上げることのできるシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引上げるシリコン単結晶引上装置１ａであって、昇華性ドーパントを収納する収納手段として、例えば引上炉２の上部に設置された試料皿２０ａを複数用いる。試料皿２０ａの中には昇華性ドーパントを入れ、駆動手段２５ａによって、ヒンジに接続された試料皿２０ａを斜めに傾けて、昇華性ドーパントを供給管２２の一端に接続されたドープ管２１ａに投入していく。複数の試料皿２０ａから駆動手段２５ａを用いて順次供給手段に投入することにより、１バッチの結晶成長において所望のタイミングで高濃度の昇華性ドーパントを複数回供給することができる。 （もっと読む）

【課題】制御に必要な溶融帯域の幾何学量を簡易な構成によって容易に計測することができる浮遊帯域溶融法による単結晶製造装置を提供すること。
【解決手段】単結晶製造装置は、誘導加熱コイル１６の上側外周縁Ｐ１を含む第１水平面Ｈ１に光軸を実質的に一致させることにより上方幾何学量（距離Ｌ１，素材径Ｄｐ）を検出可能に設けられた第１カメラ１８と、下側外周縁Ｐ２を含む第２水平面Ｈ２に光軸を実質的に一致させることにより下方幾何学量（距離Ｌ２，結晶径Ｄｓ）を検出可能に設けられた第２カメラ２０と、斜め下から単結晶１２と誘導加熱コイル１６との隙間を通して融液部１１の幾何学量（距離Ｌ３，直径）を検出する第３カメラ２２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハを載置する際の滑りを防止して、サセプタの定位置にウェーハを載置することができる気相成長装置用サセプタを提供する。
【解決手段】底面１０４の最外周に一列、サセプタ１０の表面に向かって拡開する傾斜面１０５ａを有する環状溝１０５が形成され、この環状溝に、サセプタの裏面に貫通する、断面積が２．０〜３．０ｍｍ^２、開口率が０．２５〜０．５％であるガス抜き孔が形成されている。 （もっと読む）

【課題】インゴットをスライス台に接着するときの位置ずれを防止し、結晶軸精度を向上させる。
【解決手段】上部ジャッキ１でインゴット４に対して押し下げ力を発生させ、下部ジャッキ１１でスライス台６に対して押し上げ力を発生させる。上部ジャッキ１の押し下げの方向はインゴット４の長手方向と直交する方向とし、下部ジャッキ１１の押し上げの方向はその対向方向とする。インゴット４とスライス台６は、上部ジャッキ１と下部ジャッキ１１によって対向する二方向から押しつけられて接着される。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の直胴部の前半部までが形成される時間の長短によることなく、昇華性ドーパントが確実に添加された、所望の抵抗率を有するシリコン単結晶を成長することができるシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により融液５からシリコン単結晶６を引上げるシリコン単結晶引上装置１であって、引上炉２と、引上炉２に外付けされており昇華性ドーパントを収容する試料室２０と、引上炉２と試料室２０とを熱的に遮断する遮蔽機構２４と、遮蔽機構２４の遮断を解除した後に昇華性ドーパントを融液５に供給する供給手段と、を含む。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンの引き上げ経路を囲繞する熱遮蔽体からシリコン融液への塵の落下を防止するシリコン融液の汚染防止装置を提供する。
【解決手段】熱遮蔽体５５は、下方の開口よりも上方の開口が大きく、上方の開口と下方の開口の間にあって単結晶シリコンの引き上げ経路側に向く斜面５５ａを有し、この斜面５５ａに高低差が０．５〜１０．０ｍｍ程度の凹凸を有する。こうした構成によりシリコン融液への塵の落下を低減し、単結晶シリコンの品質低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】吸着前後の半導体ウェーハの形状変化を定量化する評価方法を提供する。また、これを利用する半導体ウェーハの処理方法、製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの周縁部の形状を評価する形状評価方法であって、半導体ウェーハのウラ面を基準面に倣わせる前の形状データを測定し、半導体ウェーハのウラ面を基準面に倣わせた後の形状データを測定し、前記倣わす前及び前記倣わした後の形状データの差分を外周部において算出することにより半導体ウェーハの形状を評価することを特徴とする半導体ウェーハの形状評価方法、及びそれを利用した処理方法並びに製造方法。 （もっと読む）

【課題】微量成分を正確かつ高感度に測定しうる分光法及び装置を提供すること。
【解決手段】例えばフーリエ変換赤外分光（ＦＴ−ＩＲ）法において、参照スペクトル及び不純物を含む測定スペクトルを取り込み、測定スペクトルに含まれる不純物による赤外吸収スペクトルのベースラインを平坦化するために、参照スペクトルに対して周波数シフトを含む補正を実施し、差スペクトルを算出する。これにより、従来の差スペクトルに含まれるシリコンのフォノン吸収によるベースラインの変形等は抑えら、置換型炭素による赤外吸収スペクトルが高精度、高感度に得られる。 （もっと読む）