【課題】 装置全体の小型化およびスループットの向上を図ることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板Ｗに一連の処理を施す基板処理装置において、基板ＷをＸ方向に搬送する２つの搬送ロボット３ａ、３ｂを設けて、Ｘ方向に並んだ４つの処理部４ａ〜４ｄと両搬送ロボット３ａ、３ｂとの間で基板Ｗの受渡を行う。また、両搬送ロボット３ａ、３ｂにはそれぞれ一対の保持板３１を設けてこれらの保持板３１の表裏を反転可能とし、保持板３１の表裏を異なる表面状態の基板Ｗを保持する面として使い分ける。以上の構成により、各搬送ロボット３ａ、３ｂの保持板３１の表裏２面はそれぞれ異なる処理部からの基板を受け取るようにすることができ、保持板３１を洗浄したり乾燥したりする必要をなくすことができる。その結果、装置全体を小型化すると共にスループットを向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 一体型でありながらも予備吐出および溶剤雰囲気の保持を適切に行うことができ、塗布ムラや吐出不良を防止することができる。
【解決手段】 基板Ｗを支持する吸引式スピンチャック１と、薬液供給位置と待機位置とにわたって移動可能に構成された薬液供給ノズル１０と、薬液供給ノズル１０が待機位置に移動した際に、その先端部１０ｃを挿入口２１に収納する待機ポット２０とを備えている基板塗布装置において、待機ポット２０を、予備吐出された薬液が流下する薬液流下空間２３と、この薬液流下空間２３に連通した排液口２４と、溶剤を貯留して薬液流下空間２３と排液口２４とを遮断する溶剤貯留部２６とにより構成するとともに、予備吐出により吐出された薬液が溶剤貯留部２６から溶剤とともに排液口２４へ流出するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 純水中に薬液を極めて正確に混合することのできる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板処理装置は、基板Ｗを処理するための処理槽２と、薬液を貯留する薬液タンク３と、薬液混合部４と、薬液混合部４に純水を供給するための純水供給部５と、薬液混合部４に薬液タンク３内の薬液を供給するためのシリンジ機構６とを備える。処理槽２に薬液と純水とを混合して供給する際には、純水供給部５から薬液混合部４に純水を供給する。そして、開閉弁３５を開くことによりシリンジ機構６から薬液混合部４に至る薬液の供給経路３４を開放すると共に、開閉弁３３を閉じることにより薬液タンク３からシリンジ機構６に至る薬液の供給経路３２を閉鎖した後、シリンジ機構６のピストン９を下降させ、シリンダ８内の薬液を薬液混合部４に向けて吐出する。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板の配線パターンにおけるネック切れを正確に検査することができるパターン検査装置およびパターン検査方法を提供することである。
【解決手段】 パターン切り出し部２４は、中心座標・直径算出部２３により算出された中心座標および直径に基づいてパターン画像データＰＤからランドを十分に含む大きさの領域の画像データを抽出する。ライン切れ認識部２６は、正規化された画像データにおいてエッジ抽出フィルタにより配線パターンのエッジを予め定められた方向成分ごとにエッジ画像データとして分解抽出し、ぼかし処理および間引き処理を行いつつ階層的な積和型フィルタにより複数のエッジ画像データを統合し、ライン切れに相当する形状に近似する程度を示す出力値を算出する。しきい値判定部２７は、ライン切れ認識部２６の出力値を所定のしきい値と比較することによりネック切れの有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】画素を所期の大きさおよび形状にすること。
【解決手段】画素周期に対する発光ダイオードの発光時間であるデューティ比を調整することによって、画素の主走査方向の長さが調整される。発光時間が短くなったことによるエネルギーの不足は、発光ダイオードへの入力電流値を増加させることによって補償される。
【効果】感材のガンマ特性が悪い場合でも、フリンジの発生を抑制して、画素を良好に整形できる。また、発光ダイオードの発光光量は必要な範囲で増加されるので、最大発光光量に対するマージンを確保できる。さらに、発光ダイオードの寿命を長期化できる。 （もっと読む）

【課題】 基板上に供給された処理液が基板上でスムーズに拡散流動して基板の表面全体に均一に広がり、処理の均一性を向上させることができる装置を提供する。
【解決手段】 処理液供給ノズル１０の横長の前壁面の各吐出口１６から吐出される処理液１８の流出方向が、基板Ｗの表面に沿った方向でかつ基板の回転方向と同一方向となるように、処理液供給位置において処理液供給ノズルを配置する。 （もっと読む）

【目的】 基板を高速で冷却して冷却時間を短縮することができる基板冷却装置を提供する。
【構成】 ペルチェ素子を備えた冷却プレートに基板を載置することにより、基板を冷却する基板冷却装置において、制御部によって、冷却プレートに基板が載置された時点から、プレート温度Ｔ_P が基板を冷却すべき第１の設定温度Ｔ_S1（目標温度）よりも低い第２の設定温度Ｔ_S2になるようにペルチェ素子の制御が開始され、次いで、プレート温度Ｔ_P が第２の設定温度Ｔ_S2に達すると、プレート温度Ｔ_P が第１の設定温度Ｔ_S1になるようにペルチェ素子の制御が切り換えられる。これにより、基板を高速に冷却することができる。 （もっと読む）