【課題】
オートドープ現象を防ぎ、かつエピタキシャルウェーハの表裏面のナノトポロジーと、貫通孔の径小化に伴うウェーハのライフタイム特性劣化とを同時に改善可能なサセプタを提供する。
【解決手段】
各貫通孔３０の形成部の表面側に拡大開口部３０ｂが存在するので、シリコンウェーハＷの各貫通孔３０と対向する部分の高温化が抑制される。これにより、オートドープ現象を防止でき、しかもエピタキシャルウェーハの表裏面のナノトポロジーを改善できる。さらに、貫通孔３０の径小化に伴うエピタキシャルウェーハのライフタイム特性劣化も同時に改善できる。 （もっと読む）

【課題】 表面が平坦で欠陥が少ない歪Ｓｉ−ＳＯＩ基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ層１３と埋め込み酸化膜１２とを有するＳＯＩ基板１０に、ＳｉＧｅ混晶層１４を成長する工程と、ＳｉＧｅ混晶層１４の表面に保護膜１５，１６を形成する工程と、Ｓｉ層１３と埋め込み酸化膜１２界面近傍に軽元素をイオン注入する工程と、４００〜１０００℃での熱処理を行う第１熱処理工程と、１０５０℃以上で酸化雰囲気の熱処理を行う第２熱処理工程と、１０５０℃以上で不活性雰囲気の熱処理をおこなう第３熱処理工程と、表面のＳｉ酸化膜１８を除去する工程と、歪Ｓｉ層１９を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入において意図せずに打ち込まれた不純物の量（濃度）を容易な処理により短時間で適切に検査することのできる検査方法を提供する。
【解決手段】本検査方法においては、まず、設定したドーズ量で酸化膜に砒素を注入し、この酸化膜を回収しＩＣＰ−ＭＳにより分析して実際に打ち込まれた砒素の量（注入量）を検出し、ドーズ量と注入量との関係を求める。実際のアンチモンのイオン注入の際には、酸化膜を介して所望のドーズ量（イオン注入条件）でアンチモンのイオン注入を行い、この酸化膜を回収しＩＣＰ−ＭＳにより分析して、アンチモンのイオン注入の際に同時に打ち込まれた砒素の量（濃度）を検出する。次に、先に求めたドーズ量と注入量との関係に基づいて、分析値（注入量）をドーズ量に換算し、イオン注入条件としてのドーズ量という指標において、本来のイオン注入元素であるアンチモンのドーズ量と、意図せずに注入された砒素のドーズ量の比率を検出し、これが許容範囲か否か検出する。
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【課題】膜厚ムラの比較的少ないＳＯＩ層１３を得る。
【解決手段】ＳＯＩ基板の製造方法は、第１シリコン基板１４の表面に酸化膜２１を形成する工程と、水素イオンを注入して第１シリコン基板内部にイオン注入領域１６を形成する工程と、第１シリコン基板に第２シリコン基板１２を重ね合せた積層体１５を形成する工程と、第１シリコン基板をイオン注入領域で分離して第２シリコン基板上に酸化膜を介して薄膜のＳＯＩ層１３が形成されたＳＯＩ基板１１を得る工程とを含む。積層体を形成する工程において第２シリコン基板の中央に第１シリコン基板に向かう荷重Ｆが加えられ、荷重は接合面積が基板の接合側主面の面積の０．１％を越えるまで継続して加えられる。第２シリコン基板１２に加えられる荷重は０．１〜５．０Ｎである。 （もっと読む）

【課題】 表面が平坦で欠陥が少ない歪Ｓｉ−ＳＯＩ基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ層１３と埋め込み酸化膜１２とを有するＳＯＩ基板１０に、ＳｉＧｅ混晶層１４を成長する工程と、ＳｉＧｅ混晶層１４の表面に保護膜１５，１６を形成する工程と、Ｓｉ層１３と埋め込み酸化膜１２界面近傍に軽元素をイオン注入する工程と、４００〜１０００℃での熱処理を行う第１熱処理工程と、１０５０℃以上で酸化雰囲気の熱処理を行う第２熱処理工程と、１０５０℃以上で不活性雰囲気の熱処理をおこなう第３熱処理工程と、表面のＳｉ酸化膜１８を除去する工程と、歪Ｓｉ層１９を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 デバイス製造工程における熱処理によってＳｌｉｐ伸展が生じにくい優れた強度を有するシリコンウェーハ及びシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 酸素濃度が１．２×１０^１８〜１．８×１０^１８ａｔｏｍｓ/ｃｍ^３、炭素濃度が０．５×１０^１６〜２×１０^１７ａｔｏｍｓ/ｃｍ^３のシリコンウェーハであって、ウェーハ表層部に少なくとも５μm以上の無欠陥層を有し、ウェーハバルク中の酸素析出物の密度が５×１０^９個/ｃｍ^３以上、かつそのサイズが１５０ｎｍ以下であるシリコンウェーハとする。 （もっと読む）

【課題】低酸素濃度の無欠陥ウェーハを用いて熱処理する際に、ウェーハ表面にＤＺ層を形成し、内部での酸素析出物形成を促進する熱処理方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により製造されたシリコン単結晶から得られた低酸素濃度シリコンウェーハを用いて熱処理する方法であって、前記ウェーハの表面内部に高酸素濃度領域を形成する高温酸化熱処理を行い、その後、酸素析出物形成熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法である。前記高温酸化熱処理を酸素を５％以上含むガス雰囲気中で１２５０℃〜１３８０℃×１〜２０時間で行い、前記酸素析出物形成熱処理を行う。また、ＳＩＭＯＸにより形成されるＳＯＩ基板として用いる場合には、前記ＳＩＭＯＸでの酸素イオン注入後、酸素を２０％以上含むガス雰囲気中で１３００〜１３８０℃×４〜４８時間の高温酸化熱処理を行い、前記酸素析出物形成熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 遮蔽筒とシリコン融液の液面との距離を正確に設定することで、品質が一定のシリコン単結晶インゴットを効率的に得ることが可能なシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】 遮蔽筒３１の底部３１ａには、シリコン融液７に向けて延びる検出冶具３３が備えられている。こうした検出冶具３３は、例えばシリコン融液７に接しても溶融しない石英などで形成されれば良く、遮蔽筒３１の底部３１ａから先端３３ａまでが予め正確に設定された所定の長さＬに形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ヒータの総発熱量分布を正確に算出し、最適な単結晶インゴットの引上げ速度を決定し、常に不純物濃度が低く無欠陥の単結晶インゴットを引上げる。
【解決手段】 チャンバ１１内のヒータ１８により融解された融液１２から引上げられる単結晶インゴット１５内の固液界面２４近傍の軸方向温度勾配Ｇを、総合伝熱解析プログラム及び融液対流解析プログラムを用いてコンピュータにより予測した後に、単結晶インゴットの引上げ速度をシミュレーションにより決定する。このシミュレーション方法では、先ず単結晶インゴットの引上げ中又は単結晶インゴットの引上げ後のいずれか一方又は双方でヒータの劣化を測定し、次にヒータの劣化を考慮してヒータの総発熱量分布を算出し、更にこの総発熱量分布を総合伝熱解析プログラム及び融液対流解析プログラムに代入して軸方向温度勾配Ｇを予測する。 （もっと読む）

【課題】ワックスを半導体ウェーハの裏面の全域に均一な形状でかつ均一な厚さで塗布することができる半導体ウェーハ接着方法およびその装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ接着装置１０のワックス塗布部１５でシリコンウェーハＷの裏面にワックスを塗布（Ｓ１０４）する直前に、プリベーク部１４において、シリコンウェーハＷを所定の温度までプリベーク（Ｓ１０３）し、シリコンウェーハＷの温度、ひいてはシリコンウェーハＷに塗布されるワックスの温度（粘度）を管理する。これにより、ワックスをシリコンウェーハＷの裏面全域に均一な形状で、しかも均一な厚さで塗布することができる。 （もっと読む）