【課題】ウェーハの高平坦化を達成し、その生産性を向上する。
【解決手段】枚葉式エッチング装置は、シリコン単結晶インゴットをスライスして得られた単一の薄円板状のシリコンウェーハ１１をウェーハチャック１２に載せて保持した状態で回転させながら、ウェーハ１１の上面にエッチング液１４を供給してウェーハ１１を回転させることにより生じた遠心力によりウェーハ１１の全ての上面をエッチングするものである。吐出口２６ａ，２７ａからウェーハ１１の上面にエッチング液１４を噴射可能な複数の供給ノズル２６，２７と、複数の供給ノズルをそれぞれ別々に独立して移動させるノズル移動手段２８，２９と、複数の供給ノズルのそれぞれにエッチング液１４を供給して複数の供給ノズルのそれぞれの吐出口からウェーハ１１の上面にエッチング液１４をそれぞれ噴射させるエッチング液供給手段３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度の径方向面内分布が均一であるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝２に収容されたシリコン融液Ｍからシリコン単結晶ＳＩを引き上げながら成長させて製造するシリコン単結晶の製造方法において、シリコン単結晶ＳＩの径方向に磁場９を印加する磁場印加ステップを備え、シリコン融液Ｍの液面に対する磁場９の中心Ａの高さ位置Ｂを、シリコン単結晶ＳＩ中の酸素濃度の径方向面内分布が均一になる位置とする。具体的には、シリコン融液の液面に対する磁場９の中心高さ位置Ｂを、液面上方０〜８０ｍｍの範囲とすることが望ましく、液面上方６０〜８０ｍｍの範囲とすることがより望ましい。 （もっと読む）

【課題】ＢＭＤ存在状態を効率よく測定するとともにこのＢＭＤ存在状態のウェーハ面内方向均一化を図る。
【解決手段】ウェーハＷを切断片Ｗ１に切断する工程と、
切断片Ｗ１をその断面Ｗ２が略面一になるように積み重ねて積片体Ｓとする工程と、
積片体Ｓの断面Ｓ０を画像処理手段Ｃで観測し、ＢＭＤ存在状態を評価する工程と、
前記評価に基づいてフィードバックし、ＢＭＤ存在状態がウェーハＷ面内方向に均一化するように製造条件を設定する工程と、
を有する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層に形成される表面欠陥やスリップの発生を低減し得るエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェーハを得るスライス工程１１と、スライス工程によって得られた単一の薄円板状のウェーハを回転させ、回転しているウェーハの表面へ供給ノズルによりエッチング液を供給することにより、供給したエッチング液をウェーハ表面全体に拡げてエッチングする枚葉式エッチング工程１２と、ウェーハの表面にエピタキシャル成長によってシリコン単結晶からなるエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程１３とをこの順に含む。 （もっと読む）

【課題】ルツボの変形や劣化を引き起こすことなく、安定して均一なシリコン融液を確実に形成することが可能なシリコン融液の溶融工程を有するシリコン単結晶引上方法を提供する。
【解決手段】側面ヒータ１６による多結晶シリコン７ａの溶融の開始とともに、磁場発生装置３２を動作させて、石英ルツボ１２内に水平磁場を印加させる（溶融時磁場印加工程）。磁場発生装置３２による石英ルツボ１２内への磁場の印加は、溶融工程の開始時、あるいは数時間後に磁場を印加すればよい。 （もっと読む）

【課題】この発明の目的は、SOIウェーハ内の絶縁層上に、欠陥が少なく、均一かつ高濃度のGeを含有する、格子緩和または一部格子緩和した歪緩和SiGe層を形成することができる、半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】SOIウェーハ4内の絶縁層2上に、格子緩和または一部格子緩和した歪緩和SiGe層5を形成する工程を有する半導体ウェーハの製造方法であって、前記歪緩和SiGe層5を形成する工程が、SOI層3上に、SiGe層6の少なくとも上層側部分7を、その表面7aへ向かって漸減するGe濃度勾配で形成した後、酸化雰囲気にて熱処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを高めるとともに、抵抗率のバラツキが小さなウェーハの製造が可能である絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）用シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶からなり、膜厚が５０〜１５０ｎｍのゲート酸化膜を備えたＩＧＢＴの製造に用いられるシリコン単結晶ウェーハであって、格子間酸素濃度が７．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが５％以下であり、タイムゼロ絶縁破壊（ＴＺＤＢ）の合格率を評価する際のゲート酸化膜の膜厚及び電極面積をそれぞれｔ_ＯＸ（ｃｍ）及びＳ（ｃｍ^２）としたとき、ゲート酸化膜厚の２倍以上のサイズを有するシリコン単結晶中のＣＯＰの密度ｄ（ｃｍ^−３）が下記式を満たす範囲であるシリコン単結晶ウェーハを採用する。 ｄ≦−ｌｎ（０．９）／（Ｓ・ｔ_ＯＸ／２） （もっと読む）

【課題】再生利用インゴットに含有される不純物量を正確に推定し、所望の比抵抗の単結晶を成長させる単結晶製造管理システム及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の単結晶製造管理システムは、単結晶におけるスライスしてウェハとされない部分を再利用インゴットとし、他の単結晶の成長に用いる際の不純物量管理を行うものであり、再利用インゴットを採取した単結晶の他の部分の比抵抗プロファイルを記憶する比抵抗プロファイル記憶部と、再利用インゴットの結晶の成長軸方向両端の比抵抗，引き上げ開始時の不純物濃度，偏析係数，固化率及び補正係数から選択された１以上を含む変数からなる不純物濃度推定式と、比抵抗プロファイルとから再利用インゴット内の比抵抗プロファイル示すプロファイル式を求めるシミュレーション部と、比抵抗プロファイル式に基づいて、再利用インゴット内の不純物量を算出する不純物量算出部とを有する。 （もっと読む）

【課題】偏析係数が大きい不純物（ドーパント）をドープする際のシリコン単結晶インゴットの有転位化を抑制して単結晶部分の収率を高め、かつ、シリコンウェハに加工した際のウェハ面内の抵抗率分布の均一性を高めることが可能なシリコン単結晶インゴットを得ることができるシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】石英ルツボ１２に形成される突起３１は、石英ルツボ１２の底部１２ｂの中心付近を上方の開放面に向けて円錐形状に突出させたものであり、石英ルツボ１２と一体に形成されていれば良い。また、ルツボ支持体（黒鉛ルツボ）１７の底部中央には、こうした突起３１の外形形状を象った突起型１７ａが一体に形成されている。 （もっと読む）

【課題】育成されたシリコン単結晶からウェーハを切り出して高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥領域からなり、またはこの領域に加え酸素析出領域および酸素析出抑制領域からなり、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の発生が抑制されたシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法（チョクラルスキー法）によってシリコン単結晶を育成する方法において、単結晶中の酸素が９×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下の濃度であり、窒素が１×１０¹²ａｔｏｍｓ／ｃｍ³〜５×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³の濃度でドープする。 （もっと読む）