【課題】アーク放電時に安定なアークを形成することができ、電極の局部的な欠落などを生じることがなく、ルツボ内表面に黒異物や凹部を生じない性状に優れた石英ガラスルツボを製造することができるアーク放電装置と、これを備えた石英ガラスルツボ製造装置、およびその用途を提供する。
【解決手段】アーク放電によって石英粉を加熱溶融する高純度炭素電極を備えたアーク放電装置において、各炭素電極の密度が１.３０g/cm³〜１.８０g/cm³であり、電極各相に配置した炭素電極相互の密度差が０.２g/cm³以下であることを特徴とするアーク放電放置であり、好ましくは、各炭素電極が粒子径０.３mm以下、さらに好ましく０.１mm以下の炭素粒子によって形成されており、電極各相に配置した炭素電極相互の密度差が０.１０g/cm³以下であるアーク放電装置とその用途。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引上げに用いる石英ガラスルツボであって、単結晶収率の高い石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】ルツボ湾曲部１１の内壁面の曲率Ｒ１を１００〜２４０mmとすることにより液面低下時の急激な液面面積の変化を抑制し、さらに、ルツボ湾曲部１１の肉厚Ｗの変化量を０.１mm/cm〜１.２mm/cm、好ましくは、０.２mm/cm〜０.５mm/cmとすることによりルツボ湾曲部１１の熱分布を均一にする。これらの方法により、シリコンの多結晶化をおさえ、単結晶収率を高める。 （もっと読む）

【課題】SOI表面のラフネスが極めて良好なSIMOXウェーハを提供する。
【解決手段】Si基板の表面に、酸素イオンを注入後、高温アニール処理を行うことによって、SIMOXウェーハを製造するに際し、該高温アニール処理の少なくとも最終段階の雰囲気を、ArまたはN₂に対して、体積％で３％超 10％以下の酸素を含む雰囲気とする。 （もっと読む）

【課題】SIMOXプロセスにおいて、ベアシリコン表面へのパーティクルの付着を効果的に抑制して、従来に比し、パーティクルに起因した表面欠陥の発生を大幅に低減する。
【解決手段】酸素イオン注入工程および高温アニール工程を有するSIMOXウェーハの製造方法において、
該酸素イオン注入に先立ち、ウェーハの表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を通して酸素イオンの注入を行う。 （もっと読む）

【課題】ある引き上げ速度プロファイルで育成されたSi単結晶の欠陥領域あるいは無欠陥領域のタイプを明確に検出し、このデータを次の引き上げにフィードバックすることよって、欠陥領域のないSi単結晶を安定して育成する。
【解決手段】ＣＺ法によるSi単結晶インゴットの製造に際し、先行して育成されたSi単結晶インゴットの横断面における原子空孔の濃度分布を、原子空孔の直接観測法によって検出し、それを後続の引き上げ処理にフィードバックして、後続の引き上げにおける速度プロファイルを調整する。 （もっと読む）

【課題】SOI膜の厚みを正確にコントロールすることができるSIMOXウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】SIMOXウェーハの製造に際し、予め目標とするSOI膜厚よりも厚めのSOI膜を形成しておき、最終的なSOI膜厚の調整を、洗浄工程とは別途に設けたエッチング工程により行う。 （もっと読む）

【課題】シリコン試料の表面に、適正化を図った薄膜振動子を形成することにより、シリコンウェーハ中の原子空孔濃度を、その濃度を高める等の加速処理を行うことなく、定量的に評価することができる、ウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置等を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハから所定の部位を切り出したシリコン試料５に対し外部磁場を印加する磁力発生手段２と、シリコン試料５を50Ｋ以下の温度域に冷却・制御可能な温度制御手段３と、シリコン試料５の表面に対し超音波パルスを発振し、発振させた超音波パルスをシリコン試料５中を伝播させ、伝播した超音波パルスの音速変化を検出する超音波発振・検出手段４とを有し、シリコン試料５の表面に、前記温度域でシリコン試料５の膨張に追随できる物性をもち、かつＣ軸が所定の方向に揃った薄膜振動子８を直接形成してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】引き上げ速度マージンを拡大することが可能であるとともに、抵抗率のバラツキが小さなウェーハの製造が可能であるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法及びＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶からなるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハであって、結晶径方向全域においてＣＯＰ欠陥および転位クラスタが排除されており、格子間酸素濃度が８．５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが５％以下であることを特徴とするＩＧＢＴ用のシリコン単結晶ウェーハを採用する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハの少なくとも一方の貼り合わせ面に、所定のプラズマ処理を施すことにより、テラス部の発生を効果的に抑止することができる貼り合わせウェーハの製造方法の提供することにある。
【解決手段】熱酸化された活性層用ウェーハに軽元素イオンを注入し、表面から0.1〜2μmの深さに欠陥層が形成させる。イオン注入したウェーハを、研磨した支持基板用ウェーハと共に、貼り合わせ界面の接着強度が大きくなるようにプラズマ処理を施す。なお、プラズマ処理は、窒素、酸素、水素、又は窒素と水素の混合ガスの雰囲気中で行われることが好ましい。プラズマ処理後、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハを貼り合わせ、熱処理により活性層用ウェーハを剥離させる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ収納容器の金属不純物を高回収率で回収し、容器内の金属汚染を高感度に分析し得る手段を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ収納容器内に、シリコンウェーハならびにＨＦガスおよびＨＮＯ₃ガス発生源を配置した後に容器を密閉し、ガス発生源からＨＦガスおよびＨＮＯ₃ガスを発生させて５〜６０分放置した後に、容器内部に発生した液滴を回収し、次いで、回収された液滴中の金属成分を分析する。ガス発生源はフッ化水素酸、硝酸および硫酸を含む溶液である。 （もっと読む）