【課題】連結端材のみの廃棄を行い、ライニング材により被覆された台金は再使用可能で、台金と連結端材との連結部分における溶接を原因としたクラックの発生を無くせるワイヤソー用グルーブローラを提供する。
【解決手段】台金５０の両端部に連結端材５２，５３をボルト５４…を使用してそれぞれ連結したので、ワイヤソー用グルーブローラ１２Ａ〜１２Ｃを台金５０と１対の連結端材５２，５３との３つの部品に分割できる。その結果、連結端材５２，５３のみの廃棄を行い、台金５０は使用を継続することが可能となる。しかも、従来のように台金と連結端材とを溶接しないので、溶接に起因したクラックを無くせる。 （もっと読む）

【課題】高感度かつ簡便に熱処理プロセスの汚染評価を行うことができる手段を提供すること。
【解決手段】酸素濃度が１．０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるシリコン基板と、該基板の少なくとも一方の面にシリコンエピタキシャル層を有する、熱処理評価用ウェーハ。前記熱処理評価用ウェーハを使用する熱処理評価方法および半導体ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】天然石英るつぼを用いた高純度シリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１１内に、シリコン原料が充填されていない石英るつぼ１３を設置し、チャンバ１１内に体積比で３〜２０％の水素を添加した不活性ガスと水素の混合ガスを流しながら石英るつぼ１３をヒータ１４により１０００〜１５００℃の温度に２〜１０時間保持して熱処理することにより、水素の還元作用を利用して、石英るつぼ１３内表面からクリストバライトの核となる不純物を除去するとともに、チャンバ１１内のカーボン部材の表面に付着した不純物を除去し高純度化する。熱処理した石英るつぼはチャンバ外のクリーンルームへ取り出し、シリコン原料を充填した後、再度チャンバ１１内に設置する。 （もっと読む）

【課題】石英坩堝の内壁表面を効率よくほぼ均一に失透させ、坩堝表面からの結晶片の剥離を防止し、単結晶歩留まりを向上させ得るシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、石英坩堝１ａ内のシリコン溶融液３から単結晶４を引上げて成長させるに際し、石英坩堝内のシリコン原料に、ＢａＣＯ₃粉末を、坩堝の内壁が合成石英層である場合には、シリコン原料に対する質量比で０．５〜３５ｐｐｍ添加し、天然石英層である場合には１〜７０ｐｐｍ添加する。ＢａＣＯ₃粉末の純度が９９％以上であり、また、石英坩堝内のシリコン原料へのＢａＣＯ₃粉末の添加を、当該シリコン原料の最表面の石英坩堝壁近傍で、石英坩堝の周方向に均等に振りまくことにより行うのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ中の少数キャリア拡散長を短時間かつ高い信頼性をもって測定する手段を提供すること。
【解決手段】表面光電圧法によりシリコンウェーハ中の少数キャリア拡散長を測定する方法。前記測定は、前記シリコンウェーハに表面処理を施し、次いで、酸素含有雰囲気下で前記表面処理を施したシリコンウェーハ表面に対して紫外線を照射した後に行われる。 （もっと読む）

【課題】ガイドローラの再使用の回数を増加でき、一定期間内でのメンテナンス時間の短縮、インゴットの切断本数の増加、使用済みガイドローラの処分コストおよび新規なガイドローラの購入コストを低減可能なワイヤガイド装置を提供する。
【解決手段】ローラ位置変更部材５５を利用し、ローラ軸支体３９に対するガイドローラ３８の取り付け位置を、ワイヤ溝３８ａ〜３８ｄがワイヤＷの走行位置に個別に合致するように、ガイドローラ３８の軸線方向へ変更可能としたので、簡単な構造でガイドローラ３８を再使用できる。その結果、一定期間内でのワイヤソー１１のメンテナンス時間の短縮、一定期間内でのインゴットＩの切断本数の増加が図れ、かつ一定期間内での使用済みガイドローラ３８の廃棄コストおよびガイドローラ３８の購入コストを低減できる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ層表面における測定領域１０μｍ角のラフネスＲｍｓ及びＳＯＩ層とＢＯＸ層との界面における測定領域１０μｍ角のラフネスＲｍｓをそれぞれ低減できるＳＩＭＯＸウェーハを得る。
【解決手段】シリコンウェーハ１１内部に高濃度の酸素を含んだ第１イオン注入層１２を形成する工程とアモルファスの第２イオン注入層１３を形成する工程とウェーハを酸素含有雰囲気中１３００℃以上シリコン融点未満の温度に保持することにより第１及び第２イオン注入層をＢＯＸ層１５とする高温熱処理工程とを含むＳＩＭＯＸウェーハの製造方法において、第１イオン注入層形成工程での第１ドーズ量を２×１０¹⁷〜３×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ²とするとき第１注入エネルギを１６５〜２４０ｋｅＶとし、第２イオン注入層形成工程での第２ドーズ量を１×１０¹⁴〜１×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ²とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコンウェーハの裏面を保持した際のウェーハの撓みを防止するとともに、シリコンウェーハの裏面を保持した際の支持部材との接触傷の発生を低減できるシリコンウェーハの保持方法の提供にある。
【解決手段】 直径３００ｍｍ以上、かつその厚みが７００μｍ〜１０００μｍのシリコンウェーハの裏面部を支持部材あるいは吸着部材で接触保持し、シリコンウェーハの中心から、シリコンウェーハの半径×０．５０〜０．８０の領域内でシリコンウェーハ裏面部を接触保持する。ウェーハ面内の最大変位量が３００μｍ以下の状態で保持する。シリコンウェーハの裏面部を支持部材あるいは吸着部材で接触保持する全ての工程において、前記保持領域内でシリコンウェーハ裏面部を接触保持する。 （もっと読む）

【課題】アーク放電時に安定なアークを形成することができ、電極の局部的な欠落などを生じることがなく、ルツボ内表面に黒異物や凹部を生じない性状に優れた石英ガラスルツボを製造することができるアーク溶融用高純度炭素電極とその用途を提供する。
【解決手段】アーク放電によって石英粉を加熱溶融するために用いる炭素電極であり、炭素電極の密度が１.６０g/cm³〜１.８０g/cm³であって、粒子径０.０５mm以下の高純度炭素粒子からなることを特徴とするアーク溶融用高純度炭素電極およびその用途。 （もっと読む）

【課題】アーク放電時に安定なアークを形成することができ、電極の局部的な欠落などを生じることがなく、ルツボ内表面に黒異物や凹部を生じない性状に優れた石英ガラスルツボを製造することができるアーク放電装置と、これを備えた石英ガラスルツボ製造装置、およびその用途を提供する。
【解決手段】アーク放電によって石英粉を加熱溶融する高純度炭素電極を備えたアーク放電装置において、各炭素電極の密度が１.３０g/cm³〜１.８０g/cm³であり、電極各相に配置した炭素電極相互の密度差が０.２g/cm³以下であることを特徴とするアーク放電放置であり、好ましくは、各炭素電極が粒子径０.３mm以下、さらに好ましく０.１mm以下の炭素粒子によって形成されており、電極各相に配置した炭素電極相互の密度差が０.１０g/cm³以下であるアーク放電装置とその用途。 （もっと読む）