【課題】半導体ウェーハ収納容器の金属不純物を高回収率で回収し、容器内の金属汚染を高感度に分析し得る手段を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ収納容器内に、シリコンウェーハならびにＨＦガスおよびＨＮＯ₃ガス発生源を配置した後に容器を密閉し、ガス発生源からＨＦガスおよびＨＮＯ₃ガスを発生させて５〜６０分放置した後に、容器内部に発生した液滴を回収し、次いで、回収された液滴中の金属成分を分析する。ガス発生源はフッ化水素酸、硝酸および硫酸を含む溶液である。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリング能に優れ、酸素サーマルドナーの発生を効果的に抑制でき、しかもＣＯＰフリー化のためのアルゴンアニールや水素アニールに伴う抵抗変化を回避できる高抵抗シリコンウエーハを製造する。
【解決手段】抵抗率が１００Ωｃｍ以上で、酸素濃度が１４×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³（ＡＳＴＭ Ｆ−１２１，１９７９）以上であり、且つセコエッチングによって検出されるｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の密度が１×１０³ｃｍ^-3以下である初期シリコンウエーハに、非酸化性ガス雰囲気中で５００〜９００℃×５時間以上の酸素析出核形成熱処理を施し、更に９５０〜１０５０℃×１０時間以上の酸素析出物成長熱処理を施す。これらの熱処理により、前記ウエーハ中の残存酸素濃度を１２×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下に制御する。 （もっと読む）

【課題】表面に形成されるＣＭＯＳが、サーマルドナー発生による動作不良やｎ−ｗｅｌｌ分離不十分などを生じることのない、ｐ型の高抵抗ウェーハの提供。
【解決手段】）抵抗率が１００Ωｃｍ以上で、炭素を０．５×１０¹⁶〜３２×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³（ＡＳＴＭ Ｆ１２３−１９８１）含有し、表面近傍に形成された無欠陥層と、デバイス活性領域およびそれに接して形成される空乏層領域には接しない深さ位置にサーマルドナー発生に起因するｐ／ｎ反転部とを備えたことを特徴とするｐ型のシリコンウェーハである。前記サーマルドナー発生に起因するｐ／ｎ反転部は、４５０℃にて１時間加熱する処理を行った場合に、デバイス活性領域およびそれに接して形成される空乏層領域には接しない深さ位置に形成され、そして、その深さ位置は、表面から８μｍを超えるものである。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子の評価を、正確かつ迅速に行う手段を提供すること。
【解決手段】半導体ウェーハ上に形成された絶縁膜と電極からなる複数の半導体素子の評価方法。前記評価は、所定条件下での電圧印加により絶縁破壊する絶縁膜を含む不良素子の位置および／または分布を特定することによって行われ、前記不良素子の位置および／または分布の特定は、半導体ウェーハ表面を複数の素子を含む複数の測定領域に分け、各測定領域において、該測定領域に含まれる素子を並列に接続して所定条件下で電圧を印加し、前記電圧印加中に電流値の上昇が検出された測定領域を、少なくとも１つの素子を含む複数の領域に分け、各領域において、不良素子または該素子を含む領域を特定することによって行われる。 （もっと読む）

【課題】簡易な製造工程で、ウェーハ表面にＯＳＦリング領域およびその他領域を拡張し、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の発生を効果的に抑制することができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によって育成されるシリコン単結晶中に窒素を１×１０¹²ａｔｏｍｓ／ｃｍ³〜５×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³の濃度でドープし、育成された単結晶からウェーハを切り出して高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥領域からなり、または酸化誘起積層欠陥領域および酸素析出領域からなり、若しくはそれらの領域に加え酸素析出抑制領域からなる単結晶を育成し、さらに、シリコン単結晶から切り出して作製されたウェーハに酸素外方拡散熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】垂直軸回りに回転する水平円盤型のサセプタを備えた装置でエピタキシャル成長させる際に、サセプタ座ぐり内の中央部にウェーハを載置してスティッキングの発生を防止する。
【解決手段】上面にウェーハを収容する座ぐりが設けられサセプタ及びサセプタの垂直軸回り回転機構を僅かに傾ける。
傾ける形態としては、サセプタ及びサセプタの垂直軸回り回転機構を反応室に対して僅かに傾けてもよいし、内部にサセプタを配置した反応室を僅かに傾けてもよい。
そして、傾ける角度としては、０．０５〜５度の範囲にすることが好ましい。
サセプタを傾けることにより、サセプタ座ぐり内の残存ガスが円滑に除去され、ウェーハの座ぐり中央部への載置が容易に行える。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ層表面ラフネス及びＢＯＸ層とＳＯＩ層の界面ラフネスを低減し、絶縁耐圧特性を向上し得る膜厚の薄いＢＯＸ層を有するＭＬＤ−ＳＩＭＯＸウェーハを得る。
【解決手段】シリコンウェーハ１１内部に第１イオン注入層１２を形成する工程と、アモルファス状態の第２イオン注入層１３を形成する工程と、ウェーハを酸素含有雰囲気中１３００℃以上シリコン融点未満の温度に保持し第１及び第２イオン注入層をＢＯＸ層１４とする高温熱処理工程とを含むＳＩＭＯＸウェーハの製造方法において、第１イオン注入層のドーズ量が１．２５〜１．５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ²、第２イオン注入層のドーズ量が１．０×１０¹⁴〜１×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ²、第２イオン注入層を形成する工程の前にウェーハを５０℃以上２００℃未満の温度に予備加熱する工程を更に含み、引続き予備加熱温度に加熱した状態で第２イオン注入層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】インゴット軸方向に対して、その熱履歴均一化を図る。
【解決手段】シリコン単結晶の引き上げ時に、その軸方向における引上熱履歴を記録するとともに、前記引上熱履歴に対して前記軸方向に熱履歴を均一化するように、加熱処理することにより上記課題を解決した。
本発明において、前記加熱処理が、前記単結晶を前記軸方向部分的に低温状態とする低温加熱処理と、前記軸方向部分的に前記低温状態よりも高温の部分高温加熱処理とを有する。 （もっと読む）

【課題】煩雑な工程を経ることなく、シリコンウェーハ中のＣｕ濃度を正確、かつ高感度に検出可能なシリコンウェーハ中のＣｕ評価方法を提供する。
【解決手段】２枚の評価用のシリコンウェーハ１３ａ，１３ｂの内、一方のシリコンウェーハ１３ａの一面側を研磨する。その後、ホットプレート１５などを用いて所定の温度まで加熱する。こうしたシリコンウェーハ１３ａの加熱工程は、例えば、ホットプレート１５を用いて、シリコンウェーハ１３ａを２００〜４５０℃の温度範囲で５〜６０分間加熱することによって達成される。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの熱処理工程において、サセプタによる保持に起因して発生するウェーハ裏面の１μｍ以上の微小突起を、良好な平坦度を維持しつつ、有効に除去することができるウェーハの製造方法およびこの製造方法で製造したウェーハを提供する。
【解決手段】ウェーハ６の所定の面を固定砥粒研磨布２上に研磨液を供給しながら研磨して前記所定面を平滑化する研磨工程において、前記固定砥粒研磨布が多官能イソシアネートをもつソフトセグメント、及び多官能ポリオールをもつハードセグメントからなり、かつ発泡倍率が１．１〜４倍であるウレタン結合材と、平均粒径が０．２〜１０μｍの範囲でかつ水酸基をもつシリカとを有し、ハードセグメントのウレタン結合材中に占める割合が、分子量比で４０〜５５％であり、シリカの、固定砥粒研磨布全体に占める体積割合が、２０〜６０％の範囲であり、固定砥粒研磨布のショアＤ硬度が４０〜８０である。 （もっと読む）