【課題】シリコン単結晶を育成している際のシリコン融液表面の温度分布を制御することができ、シリコン融液表面の温度に起因する直径の変動を小さくすることができる単結晶製造装置およびシリコン単結晶の製造方法を実現する。
【解決手段】ルツボに収容されたシリコン融液４からシリコン単結晶３を引き上げながら成長させる単結晶製造装置において、メニスカス近傍に配置され、前記メニスカス近傍の前記シリコン融液４を保温する保温体４０が設けられている単結晶製造装置３０とする。 （もっと読む）

【課題】偏析係数が大きい不純物（ドーパント）をドープする際のシリコン単結晶インゴットの有転位化を抑制して単結晶部分の収率を高め、かつ、シリコンウェハに加工した際のウェハ面内の抵抗率分布の均一性を高めることが可能なシリコン単結晶インゴットを得ることができるシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】石英ルツボ１２に形成される突起３１は、石英ルツボ１２の底部１２ｂの中心付近を上方の開放面に向けて円錐形状に突出させたものであり、石英ルツボ１２と一体に形成されていれば良い。また、ルツボ支持体（黒鉛ルツボ）１７の底部中央には、こうした突起３１の外形形状を象った突起型１７ａが一体に形成されている。 （もっと読む）

【課題】育成されたシリコン単結晶からウェーハを切り出して高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥領域からなり、またはこの領域に加え酸素析出領域および酸素析出抑制領域からなり、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の発生が抑制されたシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法（チョクラルスキー法）によってシリコン単結晶を育成する方法において、単結晶中の酸素が９×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下の濃度であり、窒素が１×１０¹²ａｔｏｍｓ／ｃｍ³〜５×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³の濃度でドープする。 （もっと読む）

【課題】成長させたシリコン単結晶を十分に冷却させることができる熱遮蔽効果を発揮させるべく大きな体積を有するとともに、引上げ操作の終了時に石英るつぼ内深くまで下降させることができる断熱部形状を有する熱遮蔽部材を提供する。
【解決手段】下部に筒内方向に膨出して設けられた蓄熱部４１とを備えた熱遮蔽部材において、この蓄熱部４１の底面を、蓄熱部の筒面４７下端に連設された頂角の大きい裁頭円錐面からなるリング状下面４８と、熱遮蔽部材筒部３７外面下端に連設された頂角の小さい裁頭円錐面であって、前記リング状下面４８の上端に連設されたリング状上面４９から形作る。 （もっと読む）

【課題】熱の流れを抑えて、加熱時の上蓋部材の温度及び中蓋部材の温度の低下を抑えることで、上蓋部材に生成物が残留するのを低減することができ、かつ、基板にスリップが生じるのを抑えることが可能なエピタキシャル装置を提供すること。
【解決手段】インナーリング８が、アッパードーム５及び上部クランプリング７ａのうち少なくとも一方の表面をカバーするように設けられているので、当該インナーリング８がカバーしている部分から熱を逃げにくくすることができる。これにより、熱の流れを抑えることができるので、アッパードーム５の温度やサセプタリング４の温度が低下するのを抑えることができる。よって、アッパードーム５に生成物が残留するのを低減することができ、かつ、ウェーハＷに熱応力の差によるスリップが生じるのを抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】実用性に優れた半導体基板の品質評価方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板表面をエッチングする工程と、異物検査装置により前記エッチングした基板表面における輝点を検出する工程とを含む半導体基板の品質評価方法。前記エッチングをドライエッチングによって行い、前記半導体基板の品質を、前記検出される輝点の数および／または分布パターンに基づき評価する。前記エッチングをドライエッチングによって行い、前記評価される品質は、基板に含まれる汚染金属の種類であり、前記汚染金属の種類を、前記検出された輝点の元素分析を行うことによって特定する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に取付けた黒鉛部材中の不純物を短時間加熱で除去し、ＯＳＦの発生が抑制された高品質のシリコン単結晶を低コスト製造する方法。
【解決手段】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際、チャンバに黒鉛及び断熱材からなる熱遮蔽部材を取り付け、かつ黒鉛質サセプタを取り除いた状態でチャンバ内を加熱し、その後に黒鉛質サセプタ及び多結晶シリコン充填石英るつぼをチャンバ内に装填して単結晶引上げ操作を行う。
熱容量の比較的大きいサセプタを取り除き、ヒータの熱を熱遮蔽部材に直接照射することができるため、短時間で熱遮蔽部材に含まれる不純物を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】貼合せ基板の活性領域とテラス領域の境界線をスムーズにすることにより、ＳＯＩ島の発生を著しく減少させ、デバイス工程での発塵を抑制し得る貼合せ基板を得る。
【解決手段】
貼合せ基板の製造方法は、第１半導体基板１１の表面に酸化膜１１ｅを形成する工程と、第１半導体基板の第１主面１１ａの外周部１１ｆの全周に有機物１４を塗布する工程と、有機物１４を塗布した第１主面１１ａ側から第１半導体基板１１にイオン注入して第１半導体基板１１内部にイオン注入領域１１ｇを形成する工程と、第１半導体基板１１を同一表面積を有する半導体基板からなる第２半導体基板１２に重ね合せて積層体１３を形成する工程と、積層体１３を熱処理して積層体１３をイオン注入領域１１ｇで分離することにより第２半導体基板１２上に酸化膜１１ｅを介して活性層１１ｈを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】測定値のばらつきを少なくすることが可能なエピタキシャル層の前処理方法およびエピタキシャル層の抵抗率の測定方法並びにウェーハの抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ上に形成させたエピタキシャル層に金属電極を接触させてエピタキシャル層の抵抗率を測定する際のエピタキシャル層の前処理方法であり、前記エピタキシャル層に炭素含有化合物を付着させ、酸素含有雰囲気中で紫外光を照射することを特徴とするエピタキシャル層の前処理方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の絶縁膜の信頼性評価を正確かつ迅速に行う手段を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に絶縁膜と電極からなる半導体素子を複数有する半導体装置の評価方法。前記評価は、前記半導体素子に電流を印加することにより生じる絶縁膜の絶縁破壊を検出することによって行われ、前記絶縁破壊の検出は、半導体基板表面を複数の半導体素子を含む複数の測定領域に分け、該複数の測定領域においてそれぞれ行われ、かつ、各測定領域において、測定領域内に流れる電流値が常時同一値となるように電流を印加して行われる。 （もっと読む）