【課題】研磨後の半導体ウェーハ表面のナノトポグラフィおよび平坦度を改善する。
【解決手段】半導体ウェーハの裏面に、硬質のワックスを塗布してワックス層を形成する。次いで、シリコンウェーハを、枚葉式の接着装置を用いて、ワックス層を介して、算術表面粗さが０．１〜０．３μｍのキャリアプレートの表面に１枚ずつ押し付ける。硬質ワックスは、キャリアプレートの凹部に入り込まず、キャリアプレートとワックス層との界面は略フラットである。このシリコンウェーハ表面を鏡面研磨する。研磨面とワックス層とに一定の厚みを保持したまま、シリコンウェーハ表面を研磨できる。これにより、シリコンウェーハ表面のナノトポグラフィおよび平坦度が改善する。 （もっと読む）

【課題】単結晶の全長に亘り高い水準のゲッタリング能力とエピタキシャル欠陥の発生を抑制できるシリコン半導体基板を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、引き上げられる単結晶の直胴部の全長に亘り、結晶面内にリング状の酸素誘起積層欠陥が現れる条件で育成され、ボロンが１×１０¹⁷〜１×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³および炭素が１×１０¹⁵〜２×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³（ＡＳＴＭ Ｆ１２３−１９８１）ドープされ、または窒素が５×１０¹²〜５×１０¹⁴ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ドープされたシリコン単結晶から切り出される炭素ドープによるＯＳＦ形成の抑制効果を適用するシリコン半導体基板。その製造に際し、シリコン基板に７００〜９００℃で１５分〜４時間の熱処理をエピタキシャル処理前に施す。 （もっと読む）

【課題】金属汚染の低減された半導体基板を提供すること。半導体基板内の金属汚染に起因する各種欠陥を評価するための手段を提供すること。
【解決手段】シリコンウェーハ表面を鏡面研磨することを含む半導体基板の製造方法。前記鏡面研磨を、Cuの含有率が10ppb以下、Niの含有率が10ppb以下、かつFeの含有率が1000ppb以下のスラリーを用いて行う。半導体基板をエッチングする工程と、
異物検査装置により前記エッチングした基板表面における輝点を検出する工程とを含む半導体基板の品質評価方法。前記エッチングを、SC-1洗浄および／またはHF洗浄により行い、前記品質評価を、前記エッチング後の基板表面における輝点に基づいて行う。 （もっと読む）

【課題】イオン注入剥離法において副産物として生成される剥離ウェーハに再生加工処理を施して酸素析出核又は酸素析出物を消滅させ、ＨＦ欠陥の発生が抑制された歩留まりの良いＳＯＩウェーハを作製するＳＯＩ層用ウェーハとして、何度も再利用する再生加工処理された剥離ウェーハを提供する。
【解決手段】
剥離ウェーハの再生加工方法は、イオン注入剥離法によって貼合せＳＯＩウェーハ１０を製造する際に副産物として得られる剥離ウェーハ１１ｂに再生加工を施して貼合せＳＯＩウェーハ１０のＳＯＩ層用ウェーハ１１として再利用する再生加工方法において、剥離ウェーハ１１ｂを酸素を含む酸化雰囲気下で急速加熱した後、一定時間保持し続いて急速冷却処理を行う工程と、剥離ウェーハ１１ｂ表面を鏡面研磨する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】パーティクルによる汚染を抑制し、高品質な貼り合わせウェーハを得るための手段を提供すること。
【解決手段】ボンドウェーハに、水素イオン、希ガスイオンまたは水素イオンと希ガスイオンとの混合物をイオン注入し、前記ボンドウェーハ内にイオン注入層を形成するイオン注入工程と、前記イオン注入層を形成したボンドウェーハを、ベースウェーハに貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記貼り合わせたウェーハを熱処理することにより、イオン注入層を境界としてボンドウェーハを剥離する剥離工程とを含む貼り合わせウェーハの製造方法。少なくとも剥離開始から剥離終了までの熱処理を、酸化性雰囲気下で行う。 （もっと読む）

【課題】 容易にかつ精度良くＳＯＩ領域となる基板表面とバルク領域となる基板表面を同一にし、埋込み酸化膜の厚さを均一にし、更に埋込み酸化膜の基板表面への露出を防止する。
【解決手段】 シリコン単結晶からなる基板１２の表面に部分的にマスク酸化膜１９を形成した後に、マスク酸化膜１９を介して基板の表面に酸素イオン１６を注入し、更にこの基板をアニール処理して基板の内部に埋込み酸化膜１３を形成する。マスク酸化膜を形成する工程と酸素イオンを注入する工程の間に、マスク酸化膜の形成されていないＳＯＩ領域となる基板表面１２ａに熱酸化膜２４を形成することにより、ＳＯＩ領域となる基板表面１２ａに、マスク酸化膜の形成されたバルク領域となる基板表面１２ｂより深い所定の深さの凹部１２ｃを形成する工程を更に含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の重ね合せ面への有機物又はパーティクルの付着を抑制し、有機物除去フィルタを設置するよりも安価にボイドの発生が抑制されたＳＯＩ基板を作製する。
【解決手段】
ＳＯＩ基板の製造方法は、ＳＯＩ層となる第１半導体基板１１を酸化膜１１ａを介して第２半導体基板１２に重ね合せて積層体１３を形成する。重ね合せる前の第１半導体基板１１及び第２半導体基板１２の洗浄及び重ね合せを行う場所の雰囲気における相対湿度が２５℃換算で４６〜６０％である。 （もっと読む）

【課題】 埋込み酸化膜が基板表面に露出するのを防止する。
【解決手段】 シリコン基板１２の表面に部分的にマスク酸化膜２３を形成した後に、基板に酸素イオン１６を注入し、更にこの基板をアニール処理して基板の内部に埋込み酸化膜１３を形成する。マスク酸化膜２３を形成する以前又はマスク酸化膜２３を形成する工程と酸素イオン１６を注入する工程の間に、得ようとする埋込み酸化膜１３の周囲に対向するシリコン基板１２の表面にシリコンイオン２１を注入する工程を有する。その間に得ようとする埋込み酸化膜１３の周囲に対向するシリコン基板１２の表面に凹溝３１を形成してもよい。酸素イオン１６の注入が複数回に分けて行われる場合には、先の酸素イオン注入工程と後の酸素イオン注入工程との間にマスク酸化膜２３の周縁をエッチング除去するか或いは肉盛りをして拡大させても良い。 （もっと読む）

【課題】 容易にかつ精度良くＳＯＩ領域となる基板表面とバルク領域となる基板表面とを同一にし、埋込み酸化膜の厚さを均一にするとともに、埋込み酸化膜が基板表面に露出するのを防止する。
【解決手段】 シリコン基板１２の表面に部分的にマスク酸化膜１９を形成した後に、このマスク酸化膜を介して基板の表面に酸素イオン１６を注入し、更にこの基板をアニール処理して基板の内部に埋込み酸化膜１３を形成する。マスク酸化膜を形成する工程と酸素イオンを注入する工程の間に、マスク酸化膜の形成されていないＳＯＩ領域となる基板表面１２ａに、マスク酸化膜の形成されたバルク領域となる基板表面１２ｂより深い所定の深さの凹部１２ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】貼合せ基板の活性層表面における微小突起や、割れパーティクルの発生を抑制し、活性層表面を平坦化し、高品質の貼合せ基板を得る。
【解決手段】活性層となる第１半導体基板１１を酸化膜１１ａを介して、又は介することなく支持基板となる第２半導体基板１２に重ね合せて積層体１３を形成、この第１半導体基板１１を薄膜化して活性層１１ｂを形成し、更に活性層１１ｂ表面を気相エッチングにより平坦化する。第１半導体基板１１を薄膜化した後、気相エッチングにより活性層１１ｂ表面を平坦化する前に、活性層１１ｂ表面に付着する有機物１４を除去し、有機物１４を除去した後にこの活性層１１ｂ表面に生成された自然酸化膜１５を除去する。 （もっと読む）