【課題】簡便に微小な結晶欠陥の存在する領域を検出することが可能なシリコンウェーハの表面欠陥評価方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンウェーハの表面欠陥評価方法は、シリコン単結晶インゴットから切出されたシリコンウェーハに対して窒化雰囲気下、１０〜１５０℃／秒の昇温速度で室温から１１７０℃以上シリコン融点未満の温度まで加熱処理し、処理温度で１〜１２０秒間保持した後に、１０〜１００℃／秒の降温速度で室温まで冷却する急速熱処理工程と、ウェーハ表面を表面光起電力法を用いて少数キャリア拡散長を算出することにより、ウェーハ表面の少なくともパーティクルカウンタでは検出することができない小さなＣＯＰが存在する領域を検出する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】新たな熱処理プロセスの追加や熱処理条件の変更を行うことなく、エピタキシャル欠陥の発生を低減する。
【解決手段】窒素がドープされたシリコン単結晶から切り出されたシリコンウェーハの表面全体を４〜１５ｎｍエッチングした後、そのシリコンウェーハ表面上にエピタキシャル層を成長させる。ドープされた窒素濃度は０．５×１０¹³ａｔｏｍｓ／ｃｍ³〜５×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³である。 （もっと読む）

【課題】 転位を除去させるとともに、ＬＰＤおよびヘイズを低減することが可能な主表面が｛１１０｝のエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 種結晶として５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上のボロンが添加された無転位単結晶をシリコン融液に浸漬させ、前記種結晶のボロン濃度と同一のボロン濃度を有する成長結晶を前記無転位単結晶の＜１１０＞方向を軸にして引き上げて単結晶シリコンインゴットを形成し、該単結晶シリコンインゴットをスライスしてシリコン単結晶基板を切り出し、該シリコン単結晶基板にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】作業工数を増加させることなく、エピタキシャル層の表面から離れた内部にゲッタリング効果を生じさせる。
【解決手段】エピタキシャルウェーハ１１は、シリコン基板１２とシリコン基板１２の表面に成膜されたエピタキシャル層１３とを備える。エピタキシャル層１３の全部の領域又は厚さ方向の表面を除く一部の領域に窒素が含有される。エピタキシャル層１３の窒素が含有された領域の窒素濃度が１×１０¹³〜１×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³であり、エピタキシャル層１３の厚さ方向の一部の領域がエピタキシャル層の表面から１μｍ以上内部かつシリコン基板とエピタキシャル層の界面までの領域であることが好ましい。その製造方法は、原料ガスを反応容器に流通させ、その原料ガスの流通の全期間にわたって又は一時期に窒素含有ガスを流すことによりエピタキシャル層１３の全部又は厚さ方向の一部に窒素を含有させる。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなくウェーハ面内で均一なゲッタリング能を有する単結晶シリコンウェーハを製造する単結晶シリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引き上げ育成する工程を有するシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、少なくともインゴットの引き上げ方向における全長の３０〜７０％の範囲の直胴部の引き上げを、結晶育成中の温度が１３７０℃〜１３１０℃であって、結晶育成中の温度が１３７０℃〜１３１０℃の時に結晶成長軸方向の温度勾配値の比Ｇｃ／Ｇｅ（但し、Ｇｃ：結晶中心部の平均温度勾配、Ｇｅ：結晶外周部の平均温度勾配）を１．１４≦Ｇｃ／Ｇｅ≦１．２８の範囲とし、窒素を０．８×１０^１４ atoms／ｃｍ^３ 以上添加し、高温酸化熱処理を施した場合に酸化誘起積層欠陥がウェーハ全面に発生するように、窒素濃度に応じた所定の引き上げ速度で引き上げ育成を行う。
（もっと読む）

【課題】半導体シリコン基板を熱処理する際に発生するスリップ（結晶欠陥）を低減させることが可能な熱処理治具およびその製作方法を提供する。
【解決手段】半導体シリコン基板を接触保持する領域にクリストバライト化させた酸化膜が形成されている熱処理治具、または、この熱処理治具９ａと、前記クリストバライト化させた酸化膜に起因して発生するパーティクルの半導体シリコン基板への付着を抑制するための、前記熱処理治具よりも径が大きい遮蔽板９ｂとで構成される熱処理治具９。これらの治具は、クリストバライト化促進剤を熱処理治具の表面または表面近傍に導入し、１０００〜１３８０℃の温度範囲内で熱処理を施した後、更に、前記促進剤の導入および熱処理を繰り返すことにより製作することができる。クリストバライト化促進剤として、治具洗浄用の薬液中に混在する不純物の利用が可能である。 （もっと読む）

【課題】シリコン層表面のピット状欠陥発生のきわめて少ないＳＩＭＯＸ基板、およびさらに内部に十分なゲッタリングサイトを有するＳＩＭＯＸ基板の提供。
【解決手段】育成条件により無欠陥領域を拡大させたＣＺ法によるシリコン単結晶から採取した、ＯＳＦリング発生位置が結晶の外周にある領域、ＯＳＦリング発生位置が中心から外周にわたって存在する領域、またはＯＳＦリングが消滅した領域で、Ｃｕデコレーション法による評価でＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥として検知され、かつ選択エッチングによるフローパターンとしては検出されないウェーハを用いたＳＩＭＯＸ基板であり、最大の欠陥サイズが０．０９μｍ以下にするのが望ましい。さらに初期酸素濃度が６．５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³（ｏｌｄ ＡＳＴＭ）以上で、基板内部にゲッタリングサイトとなる酸素析出物を形成させた上記のＳＩＭＯＸ基板である。 （もっと読む）

【課題】搬送用ブレードの載置面からはみ出したウェーハ部分が高温化により搬送用ブレードから下方に反るのを低減して、反応炉の内外への搬送中のシリコンウェーハの損傷を防止することができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】枝葉式熱処理装置あるいは気相成長装置の処理炉内で、（１００）面のウェーハを熱処理あるいは気相成長させるため、該ウェーハを、その裏面の中心位置を含んで横断する特定領域のみ載置可能な載置面をもつ搬送用ブレードで、処理炉の内外に搬送する工程を有するシリコンウェーハの製造方法において、搬送用ブレードの載置面の横断方向に対する＜０１０＞方向のなす角度を25°以上とすることを特徴する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオン電流の流出が行なわれるストッパと接触する部分の温度低下を抑えてＳＯＩ層やＢＯＸ層を全体的に均一な厚さに形成できる半導体基板の製造装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、支持盤３４に保持手段で保持されて旋回するように回転する半導体基板１０にイオン注入を行なう半導体基板の製造装置において、保持手段は、半導体基板の周縁を保持し、かつ支持盤に接合するストッパ１２５と、このストッパを外周側から支え、かつ支持盤に着脱自在に固定されるストッパホルダ１２６と、支持盤にストッパを抑え付け、かつ支持盤に着脱自在に固定される抑え部材１２８とを有し、ストッパは導電性を有する材料で形成し、かつストッパを加熱する加熱手段１４０，１４１を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 貼合せ基板製造工程における静電気の帯電によるパーティクルの付着を抑制し、貼合せ工程におけるボイドやブリスタの発生を低減、歩留まりを改善する。
【解決手段】 活性層となる第１半導体基板１１を酸化膜１１ａを介して支持基板となる第２半導体基板１２に重ね合せて積層体１３を形成する。
重ね合せる前の第１半導体基板１１又は第２半導体基板１２のいずれか一方又は双方の電気抵抗は０．００５〜０．２Ωｃｍである。
（もっと読む）