【課題】 ＭＬＤ−ＳＩＭＯＸのＢＯＸ層の厚膜化に伴い、ＳＯＩ層表面、及びＳＯＩ層とＢＯＸ層との界面のラフネスの増加及び絶縁耐圧の低下を抑制すること。
【解決手段】 シリコンウェーハ１を３００℃以上に加熱して酸素イオンを注入し、シリコンウェーハ１の内部に酸素の高濃度層２を形成する第１の工程と、第１の工程で得られたシリコンウェーハ１を３００℃未満に冷却して酸素イオンを注入し、シリコンウェーハ１にアモルファス層３を形成する第２の工程と、第２の工程で得られたシリコンウェーハ１を酸素を５％以上含む混合ガスの雰囲気中で熱処理してＢＯＸ層４を形成する第３の工程とを備えるＳＩＭＯＸウェーハの製造方法において、第３の工程は、熱処理の開始温度を１３５０℃未満とし、最高温度を１３５０℃以上に加熱する方法とする。これにより、ＢＯＸ層４の厚膜化に伴い、ＳＯＩ層６の表面、及びＳＯＩ層６とＢＯＸ層４との界面のラフネスの増加及び絶縁耐圧の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体単結晶の引上環境の変化に対応して水素混合ガス中の水素原子濃度を容易に制御可能であり、かつ、水素混合ガスをローコストな設備で長期間に渡って連続的に安定して供給可能な半導体単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】 水素混合ガス供給装置１２は、水素含有ガス供給機５１と不活性ガス供給機５２とを備えている。水素含有ガス供給機５１は、水素含有ガス源５１ａと水素含有ガス精製器５１ｂとから構成されている。水素含有ガス流量制御器５４は、シリコン単結晶製造装置１０全体の動作を制御するための制御部１３によって流量が設定される。 （もっと読む）

【課題】育成中のシリコン単結晶の側面部を強制的に冷却することで生じる熱応力に起因する有転位化を抑制でき、割れにくく、無転位部の長さの長いシリコン単結晶を歩留まりよく育成できる生産性に優れたシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】育成中のシリコン単結晶の側面部を強制的に冷却しながらチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する方法であって、単結晶を育成する雰囲気ガスを、不活性ガスと水素原子含有物質の気体との混合ガスとする。 （もっと読む）

【課題】 ＩＧＢＴに好適に用いられるＣＺ法により形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により格子間酸素濃度［Ｏｉ］が７．０×１０^−１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットに中性子線を照射してリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハに対して少なくとも酸素を含む雰囲気において所定の式を満たす温度Ｔ(℃)で酸化雰囲気アニールをし、前記ウェーハの一面側にポリシリコン層または歪み層を有することを特徴とするＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】 サセプターの温度分布が不均一となることによって熱応力でサセプターが破損してしまうのを未然に防止すること。
【解決手段】 本発明では、ウェーハを載置するためにチャンバーの内部に配設したサセプターと、このサセプターを加熱するための加熱手段と、この加熱手段の駆動制御を行うための制御手段とを有するエピタキシャル成長装置において、前記制御手段は、複数の温度センサーを用いてサセプター表面の温度分布を計測できるように構成した。特に、前記制御手段は、成膜時や成膜前後に、前記温度センサーで計測したサセプター表面の温度分布が均一となるように加熱手段を駆動制御することにした。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハに切り出した後のＥＧ効果が期待できる処理を一切施すことなく、エピタキシャルウェーハのデバイスプロセスにおける１０８０℃以下の低温のデバイス製造工程においても充分なＩＧ効果を発揮する。
【解決手段】ＣＺ法によるシリコン単結晶を引き上げる際に、酸素濃度、炭素濃度をを適宜制御すると共に、シリコンウェーハに切り出した後、低温にて短時間のアニールを実施することによりＩＧ能を持たせる以外は、従来のシリコンウェーハ成形後に施される各種の複雑なＥＧ処理を一切施さないことによる省工程化ができ、低コストが図られ、エピタキシャルウェーハを使った低温のデバイスプロセスで発生するＩＧ能の付与が可能で、高精度平坦度実現のため、両面鏡面研磨仕上げが必要となった場合にもＥＧが必要ないため、高精度化に対応し得る基板の作製が可能。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の削減が可能で、しかもウェーハの研磨工程の簡略化と研磨時間を短縮できるウェーハの研磨装置及びウェーハ研磨方法の提供。
【解決手段】 軸を中心に回転するキャリアプレート１４に保持されたウェーハＷを、上記軸と異なる軸を中心として回転する研磨定盤１２に設けられた研磨パッド１１に押圧摺動して研磨するウェーハ研磨装置において、研磨スラリーを研磨パッド１１の表面に供給する手段１６が設けられ、該研磨スラリー供給手段１６は供給する研磨スラリーを粒径の異なるものに切り替え可能な構成とされ、上記粒径が異なる研磨スラリーは、粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する第１の研磨スラリー３９と、粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する第２の研磨スラリー４０であるウェーハ研磨装置。 （もっと読む）

【課題】貫通転位密度が少なく、表面の粗さが小さい表面に二次元引張り歪みを内在させた歪みＳｉ層が形成された半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板上にＳｉＧｅ混晶層を形成する工程と、形成したＳｉＧｅ混晶層上にＳｉ層を形成する工程とを含む半導体ウェーハの製造方法の改良であり、その特徴ある構成は、ＳｉＧｅ混晶層を形成する工程が高温形成工程と低温形成工程の双方を含み、高温形成工程が７５０〜１１００℃の温度範囲で濃度が傾斜又は一定のＳｉＧｅ混晶層を形成し、かつ低温形成工程が高温形成工程の温度より１００〜６００℃低い５００〜７５０℃の温度範囲で濃度が傾斜又は一定のＳｉＧｅ混晶層を形成するところにある。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の削減が可能で、しかもウェーハの研磨工程の簡略化と研磨時間を短縮できるウェーハの研磨装置及びウェーハ研磨方法の提供。
【解決手段】 軸を中心に回転するキャリアプレートに保持されたウェーハＷを、上記軸と異なる軸を中心として回転する研磨定盤１２に設けられた研磨パッド１１に押圧摺動して研磨するウェーハ研磨装置において、
研磨パッド１１は、硬さが異なる第１領域１１ａと第２領域１１ｂを含む複数の領域が設けられ、第１領域１１ａと第２領域１１ｂは、研磨時にウェーハＷが第１領域１１ａを通過する時間又は距離と第２領域１１ｂを通過する時間又は距離とが所定の割合になる分布及び／又は面積比で設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】吸引ハンドを用いてウェーハを吸引する際に、吸引開口部とウェーハとの間に形成される間隙から外気とともに塵を吸引してしまい、その塵がウェーハの表面に付着してしまうのを未然に防止できるウェーハ搬送用の吸着ハンド及びウェーハ搬送装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ３を吸引ハンド８に形成した吸引開口部１８で吸引しながら搬送するウェーハ搬送装置において、前記吸引ハンド８は、ウェーハ吸引時に吸引開口部１８とウェーハ３との間に形成される間隙１９をウェーハ３に形成された切欠部２０の内側端部２１よりも内側に形成する。 （もっと読む）