【課題】リングＯＳＦ発生領域の外側の酸素析出抑制領域（ＰＩ領域）からなるＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリー単結晶を生産性よく安定に育成する。
【解決手段】水素を含む不活性雰囲気中でシリコン単結晶を引き上げることにより、結晶径方向全域にＣＯＰおよび転位クラスタを含まず、かつ、格子間シリコン優勢領域の単結晶を引き上げ可能なＰＩ領域引き上げ速度の範囲を拡大して、この拡大されたＰＩ領域引き上げ速度範囲の引き上げ速度で引き上げることにより、単結晶直胴部を格子間シリコン優勢領域とする。 （もっと読む）

【課題】 ＭＣＺ法において、結晶中の格子間酸素濃度と不活性ガスの流量との関係が不連続に変動する不連続現象を抑制し、所定の範囲内の格子間酸素濃度を有するシリコン単結晶を容易に製造することができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ内に収納され、内径が一定の値である直胴部と、底部と、前記直胴部から前記底部に向かって前記内径が減少する湾曲部とを備えたルツボを用い、磁場中チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する方法であって、前記ルツボ内における溶融液面が、前記直胴部と前記湾曲部との境界を含み、シリコン単結晶中の格子間酸素濃度と前記チャンバに供給する不活性ガスの流量との関係が不連続に変動する不連続液面範囲の少なくとも一部を含む液面範囲にあるとき、ルツボ回転数を０．８〜３ｒｐｍとするシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ＭＬＤ−ＳＩＭＯＸのＳＯＩ層表面、及びＳＯＩ層とＢＯＸ層との界面のラフネスを低減すること。
【解決手段】 シリコンウェーハ１を加熱して酸素イオンを注入し、シリコンウェーハ１の内部に酸素の高濃度層２を形成する第１の工程と、第１の工程で得られたシリコンウェーハ１に酸素イオンを注入してシリコンウェーハ１にアモルファス層３を形成する第２の工程と、第２の工程で得られたシリコンウェーハ１を熱処理して埋め込み酸化膜、つまりＢＯＸ層４を形成するＳＩＭＯＸウェーハの製造方法において、第２の工程は、第１の工程の加熱温度よりも低い設定温度にシリコンウェーハ１を予備加熱して酸素イオンを注入するようにする。 （もっと読む）

【課題】 抵抗率が０．０２５〜０．００８Ωｃｍでエピタキシャル層を成長させた場合に発生するエピタキシャル欠陥の少ないシリコンウェーハが得られるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】 ＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する方法であって、水素を含む不活性雰囲気中で結晶中の抵抗率が０．０２５〜０．００８Ωｃｍとなるようにドーパンドを添加するとともに、炭素を添加してシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶育成方法とする。 （もっと読む）

【課題】石英ルツボ内表面に生成される結晶相の剥離を防止し、大口径の単結晶の安定引上げ、同一ルツボでの複数本の単結晶の連続引上げが可能なシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、石英ルツボ１内で多結晶シリコンを溶融しこの融液１０から単結晶１１を引上げる際に、石英ルツボ内表面側を帯電させ、当該表面に炭酸バリウム５を均一に付着させた石英ルツボ１を使用する。石英ルツボを放電（コロナ放電）を利用して帯電させ、また、石英ルツボ内表面のバリウムの濃度を１０μｇ／ｃｍ²以下とするのが望ましい。前記単結晶の引上げは、石英ルツボを帯電させた後５時間以内に行うのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 ＣＯＰ痕跡の発生を防止し得るエピタキシャル膜の製造法を提供する。
【解決手段】 シリコンウェーハ２を裏面２ｂ側からサセプタ３で支持するとともにシリコンウェーハ２の表面２ａ側及び裏面２ｂ側に表側ヒータ群７及び裏側ヒータ群８をそれぞれ配置し、表側ヒータ群７及び裏側ヒータ群８をそれぞれ、シリコンウェーハ２の表面２ａ及び裏面２ｂにそれぞれ対向する内周部７Ａ、８Ａと内周部７Ａ、８Ａの外側に配置された外周部７Ｂ、８Ｂとに区分し、各ヒータ７Ａ、７Ｂ、８Ａ、８Ｂでシリコンウェーハ２を加熱しながらシリコンウェーハ２の表面２ａにエピタキシャル膜を生成する際に、表側ヒータ群７の内周部７Ａの出力を外周部７Ｂの出力より大きくするとともに、裏側ヒータ群８の内周部８Ａの出力を外周部８Ｂの出力より小さくして、エピタキシャル膜を生成することを特徴とするエピタキシャル膜の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】育成中のシリコン単結晶の側面部の温度を調整することで生じる熱応力に起因する有転位化を抑制でき、割れにくく、無転位部の長さの長いシリコン単結晶を歩留まりよく育成できる生産性に優れたシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】育成中のシリコン単結晶の側面部に熱応力が負荷される条件でチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する方法であって、単結晶を育成する雰囲気ガスを、不活性ガスと水素原子含有物質の気体との混合ガスとするシリコン単結晶の育成方法とする。 （もっと読む）

【課題】 ＭＬＤ−ＳＩＭＯＸのＢＯＸ層の厚膜化に伴い、ＳＯＩ層表面、及びＳＯＩ層とＢＯＸ層との界面のラフネスの増加及び絶縁耐圧の低下を抑制すること。
【解決手段】 シリコンウェーハ１を３００℃以上に加熱して酸素イオンを注入し、シリコンウェーハ１の内部に酸素の高濃度層２を形成する第１の工程と、第１の工程で得られたシリコンウェーハ１を３００℃未満に冷却して酸素イオンを注入し、シリコンウェーハ１にアモルファス層３を形成する第２の工程と、第２の工程で得られたシリコンウェーハ１を酸素を５％以上含む混合ガスの雰囲気中で熱処理してＢＯＸ層４を形成する第３の工程とを備えるＳＩＭＯＸウェーハの製造方法において、第３の工程は、熱処理の開始温度を１３５０℃未満とし、最高温度を１３５０℃以上に加熱する方法とする。これにより、ＢＯＸ層４の厚膜化に伴い、ＳＯＩ層６の表面、及びＳＯＩ層６とＢＯＸ層４との界面のラフネスの増加及び絶縁耐圧の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体単結晶の引上環境の変化に対応して水素混合ガス中の水素原子濃度を容易に制御可能であり、かつ、水素混合ガスをローコストな設備で長期間に渡って連続的に安定して供給可能な半導体単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】 水素混合ガス供給装置１２は、水素含有ガス供給機５１と不活性ガス供給機５２とを備えている。水素含有ガス供給機５１は、水素含有ガス源５１ａと水素含有ガス精製器５１ｂとから構成されている。水素含有ガス流量制御器５４は、シリコン単結晶製造装置１０全体の動作を制御するための制御部１３によって流量が設定される。 （もっと読む）

【課題】育成中のシリコン単結晶の側面部を強制的に冷却することで生じる熱応力に起因する有転位化を抑制でき、割れにくく、無転位部の長さの長いシリコン単結晶を歩留まりよく育成できる生産性に優れたシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】育成中のシリコン単結晶の側面部を強制的に冷却しながらチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する方法であって、単結晶を育成する雰囲気ガスを、不活性ガスと水素原子含有物質の気体との混合ガスとする。 （もっと読む）