【課題】基板上の半導体デバイスを均一に汚染した試料を作成できる試料汚染方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の実施形態に係る試料汚染方法は、汚染物を含有する薬液を筺体内へ噴霧する工程と、噴霧により薬液が充満した筺体内へ半導体基板を搬入する工程と、薬液が充満した筺体内へ半導体基板を所定時間放置する工程と、所定時間経過後に、半導体基板を筺体内から搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面の不純物をより高精度に回収することが可能な不純物の回収方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に存在する不純物を測定するための不純物の回収方法であって、半導体基板１の表面の被測定領域に、不純物を回収する回収部材２を接触させ、回収部材２を被測定領域に接触させた状態を維持しつつ半導体基板１に対して相対的に移動させて、回収部材２に半導体基板１上に存在する不純物を回収する。 （もっと読む）

【課題】導入する大気中のＣＯＳ等のS含有有機物をより効果的に除去し、装置内環境中のＳＯ_ｘ濃度を低減させることが可能な露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置１００は、大気中の気体を清浄するとともに温湿調整する空調部１と、この空調部１で処理された気体が配管２を介して供給され、この供給された気体の雰囲気中で該基板に紫外線を照射する露光部３と、を備える。
空調部１は、大気を装置内に送風する送風機１ａと、この送風機１ａの下流側に配置され送風された気体が入力される酸化装置１ｂと、この酸化装置１ｂの下流側に配置され、酸化装置１ｂで処理された気体が入力されるフィルタ１ｃと、このフィルタ１ｃの下流側に配置されフィルタ１ｃを通過した気体が入力され、配管２に処理した気体を出力する温湿調整装置１ｄと、を有する。 （もっと読む）

【課題】硫化カルボニル（ＣＯＳ）等の硫黄含有化合物を自動的に分析することが可能な不純物分析装置を提供する。
【解決手段】不純物分析装置１００は、純水を貯留し、ＳＯ_ｘおよびＣＯＳを含み得る気体を純水に通して溶解する気体中の第１の成分を捕集するための第１の純水処理槽２と、第１の純水処理槽２の純水に溶解されずに残存する気体中の成分を酸化させる酸化装置４と、純水を貯留し、酸化装置４により処理された気体中の成分をこの純水に通し溶解する第２の成分を捕集するための第２の純水処理槽６と、第２の純水処理槽の純水に溶解した第２の成分を分析するイオンクロマトグラフ９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 電界強度が高くなっても高誘電率絶縁膜を介して流れるリーク電流を十分に抑制可能なＮＡＮＤフラッシュメモリ等の半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 メモリセルアレイを備える半導体装置であって、メモリセルアレイが、複数本のメモリセルカラム間に配置された素子分離絶縁膜と、この素子分離絶縁膜により互いに分離され、互いに隣接するメモリセルカラムにそれぞれ属するメモリセルトランジスタの浮遊電極（１３，１９）と、浮遊電極（１３，１９）の上にそれぞれ配置されたＨｆ_xＡｌ_1-xＯ_y膜（０．８≦ｘ≦０．９５）からなる電極間絶縁膜２０と、この電極間絶縁膜２０上に配置され且つ隣接するメモリセルカラムのメモリセルトランジスタと共有された制御電極２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】故障箇所特定用解析ツール適用時にファンクション動作を行わずにセルコア内電位条件を調整可能とし、故障起因の異常電流を発生促進できるメモリセルアレイ部故障箇所特定装置を提供する。
【解決手段】メモリセルに対してファンクション動作を行う通常モードとファンクション動作を行わない状態でメモリセルアレイ部の故障箇所を特定するためのテストを行うテストモードとを外部からのコマンド入力設定条件に応じて切り替えるためのテストモード切替信号と、ビットラインの電位を制御する電位切替制御信号とを生成し出力するテストモード切替回路と、通常モードが選択された場合はファンクション動作を行うために外部から入力された制御信号を出力し、テストモードが選択された場合は電位切替制御信号を出力するモード条件制御回路と、制御信号又は電位切替制御信号に応じてメモリセルアレイ部内部の電位条件を制御する制御回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流が十分に抑制可能な高誘電率絶縁膜２０を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体領域１９の上に高誘電率絶縁膜２０をアトミックレイヤーデポジション法により成膜し、高誘電率絶縁膜２０の上にアルミナ膜２１をアトミックレイヤーデポジション法により成膜し、アルミナ膜２１をアニールし、アルミナ膜２１の上に導電層２２を還元雰囲気下で成膜する。 （もっと読む）