【課題】非晶質酸化物を利用した新規な発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第１及び第２の電極間に介在する発光層、及び電界効果型トランジスタを備え、電界効果型トランジスタの活性層は、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満の非晶質酸化物、あるいは電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物、又はノーマリーオフを実現し得る透明な非晶質酸化物半導体である。 （もっと読む）

【課題】 自律ストレージシステムにおいて、アクセス負荷が集中した自律ストレージ装置から、他の自律ストレージ装置にコンテンツを移動する際に、システム全体のスループットの低下を防止することが可能な自律ストレージ装置を提供する。
【解決手段】 自律ストレージ装置２は、負荷状態を検出する負荷状態検出手段２６１ａと、その負荷状態に基づいて、複数の原コンテンツ３０ａの中から、他の自律ストレージ装置に移動させる原コンテンツ３０ａを設定する移動コンテンツ設定手段２６１ｂと、原コンテンツ３０ａに対するアクセスを、当該原コンテンツ３０ａに対応する複製コンテンツを記憶している他の自律ストレージ装置に分配するアクセス分配手段２７とを備え、アクセスを分配している間に、原コンテンツ３０ａを他の自律ストレージ装置に移動させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体成長用基板とIII族窒化物半導体膜は製造条件または製造装置が異なる等の理由により、半導体成長用基板が大気中の酸素雰囲気に晒されるような場合においても、成長用基板表面の汚染、酸化、表面欠陥の発生を効果的に防止するための基板表面保護方法ならびに該基板表面上へIII族窒化物成長方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板表面に、基板より再蒸発温度が低いＡｌ_ＸＩｎ_ＹＧa_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１）からなる表面保護膜を形成し、半導体成長前に当該表面保護膜を取り除いて半導体を基板上に成長させる。 （もっと読む）

【課題】 加工及び取扱いが容易で、耐熱性、耐湿性、柔軟性、機械的強度に優れ、しかも光通信波長域に対して使用することのできる偏光子を提供すること。
【解決手段】 本発明の薄膜型偏光子は、高分子マトリクス中に金属性微粒子が分散されている構造の薄膜型偏光子であって、上記高分子マトリクスを形成する高分子が、２種以上の高分子を含むポリマーブレンドであり、該ポリマーブレンドが海島型の微小な相分離構造を形成し得るものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 鉛を含まず、かつＰＺＴと同程度の残留分極を示す強誘電体材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地部材の表面上に、ＢｉＦｅＯ_３の前駆体溶液を塗布する。塗布後に熱処理を行い誘電体膜を得る。誘電体膜を、非酸化性雰囲気中で加熱し、結晶化させる。これにより、Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯを構成元素として含み、正方晶系または斜方晶系の結晶格子をもつ強誘電体材料が得られる。 （もっと読む）

【課題】 認識対象となる連続入力音声に対して音声入力段階における音声セグメンテーションを要することがないとともに、認識率を高める。
【解決手段】 音素の特徴を保持した音響モデルと、発話内容を保持した言語モデルと、音素と形態素の対応を保持した辞書とを用いて入力音声の認識を行う装置であって、複数の文をポーズ記号で連結した上記言語モデルと、上記ポーズ記号に対応する音素の特徴を含めた上記音響モデルと、上記ポーズ記号に対応する要素を含めた上記辞書と、上記入力音声中の上記ポーズ記号の位置を検出する第１の認識手段と、検出された上記ポーズ記号以前であって上記入力音声の先頭もしくは前回のポーズ記号以降の上記入力音声を１文として発話区間の判定を行う判定手段と、判定された発話区間に対し音声認識を行う第２の認識手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】アーチファクト低減処理としての高Ｘ線吸収係数の物体領域をアーチファクトが組込まれた再構成画像から抽出していたために、アーチファクトの低減が困難であった。
【解決手段】Ｘ線発生により投影データＩ_１を取得する（ステップ２０１）。投影データとしきい値ＴＨ１との比較により上限値到達領域を抽出し（ステップ２０２）、投影データＩ_１の差分投影データ（ΔＩ_１）としきい値ＴＨ２との比較により不連続領域を抽出する（ステップ２０３）。上限値到達領域と不連続領域を高Ｘ線吸収係数の物体領域とし（ステップ２０４）、これを用いて投影データＩ_１を修正して修正投影データＩ_１’を演算し（ステップ２０６〜２０９）、アーチファクト低減処理を再構成画像Ｐ_１の演算前に行う。 （もっと読む）

【課題】非晶質酸化物を利用した新規な電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタの活性層は、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である非晶質酸化物か、あるいは電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であり、且つソース電極、ドレイン電極、ゲート電極のうち少なくとも１つが、可視域の光に対して透過性を有する。電界効果トランジスタの活性層が非晶質酸化物を備え、且つゲート絶縁膜が、非晶質酸化物に接する第１層と、第１層に積層されている、該第１層とは異なる第２層を含み構成されている。 （もっと読む）

【課題】 無端状の抗張部材を含んだクローラベルトを有するクローラ装置を組み立てる際に、ホイールを正確に位置決めして組み立てることができるようにする。
【解決手段】 クローラベルト２０は、無端状のスチールベルト（抗張部材）と、ゴム製のベルト本体とを備えている。連結部材３０の前後端部に支持機構５０を設けてなる第１サブアッセンブリ１０１を用意する。また、前後のホイール１０間にクローラベルト２０を掛け渡してなる第２サブアッセンブリ１０２を用意する。第１，第２のサブアッセンブリ１０１，１０２を近づけることにより、支持機構５０の回転部材５４のテーパをなすガイド部５４ｙをホイール１０の環状受部１９に挿入し、さらに両アッセンブリを近づけることにより、回転部材５４の嵌合部５４ｘを環状受部１９に嵌め込み、この後で回転部材５４と環状受部１９とを固定する （もっと読む）

【課題】透明酸化物膜を用いた半導体デバイスや回路を提供する。
【解決手段】Ｐ型領域と、Ｎ型領域とを備え、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である非晶質酸化物、又は電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物をＮ型領域に用いている。電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である非晶質酸化物又は電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物からなる第１領域と、第１領域に対してヘテロ接合を形成する第２領域と、を具備する。 （もっと読む）