ＳｉＣ基板（１２）に基づいて半導体デバイスを製造する方法であって、５×１０^１１ｃｍ^−２未満の界面近傍トラップ密度を達成するのに十分に高い酸化速度でＳｉＣ基板（１２）のＳｉ終端面上に酸化物層（１４）を形成するステップ（２０１）と、酸化物形成のステップで形成された深いトラップを不活性化し、それによって、改善された反転層移動度と低減された閾値電圧とを有するＳｉＣベースＭＯＳＦＥＴ（１０）の製造を可能にするために、酸化されたＳｉＣ基板を水素含有環境でアニールするステップ（２０２）とを備える方法。ＳｉＣ基板のＳｉ面が迅速な酸化を受けると、ＤＴの密度は増加するが、ＮＩＴの密度は減少することが本発明者等によって見いだされた。本発明によれば、迅速な酸化中に形成された深いトラップは水素アニーリングによって不活性化され、それにより、酸化物上に形成された半導体デバイスの閾値電圧は著しく低減され得る。
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ＲＦ増幅器（３８）に接続されたプログラマブル減衰器（３６）を備える第１のＲＦ利得ステージ（３４）と、所望の帯域幅において信号を増幅するための第２の挟帯域利得制御増幅ステージ（２４）と、を有するＲＦ装置を動作させる方法は、所望の信号内の合計雑音を最小化することによって信号対雑音（ＳＮＲ）を最大化する、第１のＲＦ利得ステージの利得設定と、実質的に一定レベルの出力を供給する、第２の挟帯域増幅ステージの利得設定と、を選択することを含む。第１のＲＦ利得ステージの利得設定を選択するために、ＲＦデバイスは、合計雑音を最小化するようにプログラマブル減衰器に印加される利得設定を選択する際に、第１のＲＦステージおよび第２の利得制御増幅ステージの利得設定と、歪み雑音（ＲＦ入力を参照する）と、熱雑音（ＲＦ入力を参照する）とを考慮に入れる制御ステージ（４０）を含む。
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レーザ源Ａと受光器Ｈとを備える電気音響変換器であって、音場Ｓが設けられ、音場Ｓが、レーザ・ビームが音場Ｓを通過するときにビームの伝搬速度を音圧に従って変調するのに使用されてよい電気音響変換器が提供される。
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変換素子（５０３）を備える振動膜（５０１）と、収容面に膜（５０１）を収容するように適合されたフレーム（５０４）とを備える音響装置（５００）であって、この収容面の少なくとも１つの方向に膜（５０１）の並進運動が可能とされるように膜（５０１）がフレーム（５０４）の中に収容される音響装置。
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ＤＣ−ＤＣコンバータを備える電子装置が提供される。ＤＣ−ＤＣコンバータはＤＣ−ＤＣ変換用にエネルギーを蓄積するための少なくとも１つの固体二次電池（Ｂ１、Ｂ２）と、出力キャパシタ（Ｃ２）とを備える。
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スピーカ(１３, １６) が、エレクトロダイナミック変換器(１) 及びこの変換器を収納したバスレフ型エンクロージャ(１４, １７)を有する。変換器のダイヤフラム(２) は、駆動時にロッキング振動数のロッキングモードで振動し、バスレフ型エンクロージャ(１４,１７) は、ロッキング振動数に同調される。
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本発明は、力学的量を検知する静電容量ＭＥＭＳセンサデバイスに関する。機械的過負荷状況後の（近接）付着からの急速回復を可能にする、このような静電容量ＭＥＭＳセンサデバイスを提供するために、第１のバイアス電圧（Ｖ_{ｂｉａｓ１}）を、ＭＥＭＳ検知素子の第１のプレートに供給する第１のバイアス電圧ユニット（Ｖ１）と、第２のバイアス電圧（Ｖ_{ｂｉａｓ２}）を、ＭＥＭＳ検知素子の第２のプレートに供給する第２のバイアス電圧ユニット（Ｖ２）と、電気量を処理して出力信号（Ｖ_ｏｕｔ）にする信号処理（２０）ユニットと、ＭＥＭＳ検知素子（１０）の過負荷状態の検出のために、出力（Ｖ_ｏｕｔ）信号を、基準信号（Ｖ_ｒｅｆ）と比較するとともに、比較器信号を出力する比較器ユニット（２１）と、過負荷状態の場合に、第１の時間間隔（Ｔ１）中に第１のプレートを第１の放電端子（Ｄ）に、および第２の時間間隔中（Ｔ２）に第２のプレートを第２の放電端子（Ｄ）に接続することによって、比較器信号により示された過負荷状態の場合に、ＭＥＭＳ検知素子（１０）の放電を制御する制御ユニット（２２）と、を備える、センサデバイスが提案されている。
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本発明は、直交拡散符号による符号多重通信システムの受信機におけるノイズ分散を推定するための方法および装置に関し、実質的に同一の振幅を有する２つの推定されるシンボルの和および差の各実数部および虚数部を決定し、決定した和および差の実数部および虚数部の各最小エネルギー成分を決定する。各最小エネルギー成分を最終的に組み合せてノイズ分散を得る。それによって、ノイズ分散を加算および比較の操作だけに基づいて推定することができ、複雑さと処理負荷を軽減させることができる。
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入力ボンド・パッド（ＩＢＰ）と第１の方向（ＦＤ）に互いに変位された複数のセル（ＣＥ１、ＣＥ２）と出力ボンド・パッド（ＯＢＰ）とをこの順序で第１の方向（ＦＤ）に備えた集積ＨＦ増幅器構造体。セル（ＣＥ１、ＣＥ２）の各々は入力パッド（ＧＰ１、ＧＰ２）とアクティブ領域（Ａ１、Ａ２）と出力パッド（ＤＰ１、ＤＰ２）とを有する増幅器を備える。アクティブ領域（Ａ１、Ａ２）は、入力パッド（ＧＰ１、ＧＰ２）と出力パッド（ＤＰ１、ＤＰ２）の間に配置され、入力パッド（ＧＰ１、ＧＰ２）とアクティブ領域（Ａ１、Ａ２）と出力パッド（ＤＰ１、ＤＰ２）は第１の方向（ＦＤ）に対してほぼ直角な第２の方向（ＳＤ）に互いに変位される。第１の回路網（Ｎ１）は、複数のセル（ＣＥ１、ＣＥ２）のうちの隣接するセルの入力パッド（ＧＰ１、ＧＰ２）を相互接続するための第１の相互接続手段（Ｌｉ、Ｃｉ；Ｌｉ１、Ｌｉ２、Ｃｉ１）を備え、且つ第１の方向（ＦＤ）に延びる。第２の回路網（Ｎ２）は、複数のセル（ＣＥ１、ＣＥ２）のうちの隣接するセルの出力パッド（ＤＰ１、ＤＰ２）を相互接続するための第２の相互接続手段（Ｌｏ、Ｃｏ；Ｌｏ１、Ｌｏ２、Ｃｏ１）を備え、且つ第１の方向（ＦＤ）に延びる。第１の回路網（Ｎ１）及び第２の回路網（Ｎ２）は、すべての相互接続されたセル（ＣＥ１、ＣＥ２）について、出力ボンド・パッド（ＯＢＰ）にて、入力ボンド・パッド（ＩＢＰ）での同じ入力信号（ＩＳ）に対して等しい位相シフト及び振幅を有する出力信号（ＯＳ）を得るように構成される。特定のバイアス及び位相シフト条件において、構造体は出力バックオフでの効率が改善されたドハティ増幅器を実現する。
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集積ドハティ増幅器構造体は、入力ボンドパッド（ＩＢＰ）と、出力ボンドパッド（ＯＢＰ）とを備える。第１のトランジスタ（Ｔ１）は、ドハティ増幅器のピーク増幅段を形成し且つドハティ増幅器の入力信号である第１の入力信号（ＩＳ１）を受け取るための制御入力（Ｇ１）とドハティ増幅器の出力で増幅された第１の入力信号（ＯＳ１）を供給するための出力（Ｄ１）とを有する。第２のトランジスタ（Ｔ２）は、ドハティ増幅器のメイン増幅段を形成し且つ第２の入力信号（ＩＳ２）を受け取るための制御入力（Ｇ２）と増幅された第２の入力信号（ＯＳ２）を供給するための出力（Ｄ２）とを有する。第１の入力信号（ＩＳ１）と第２の入力信号（ＩＳ２）とは９０度の位相オフセットを有する。第１のボンドワイヤ（ＢＷ１）は、第１のインダクタンス（Ｌ１）を形成し、第１の方向に延在するとともに、入力ボンドパッド（ＩＢＰ）と第１のトランジスタ（Ｔ１）の制御入力（Ｇ１）との間に配置される。第２のボンドワイヤ（ＢＷ２）は、第２のインダクタンス（Ｌ２）を形成し、第１の方向に延在するとともに、出力ボンドパッド（ＯＢＰ）と第１のトランジスタ（Ｔ１）の出力（Ｄ１）との間に配置される。第３のボンドワイヤ（ＢＷ３）は、第３のインダクタンス（Ｌ３）を形成し、第１の方向に対して略垂直な第２の方向に延在するとともに、第１のトランジスタ（Ｔ１）の出力（Ｄ１）と第２のトランジスタ（Ｔ２）の出力（Ｄ２）との間に配置される。
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