【課題】回路基板の局所的な膨れの発生を抑える。
【解決手段】回路基板２０の半導体チップ３０が配置される領域を含む中央部２０ａ、及び半導体チップ３０と回路基板２０とをＡｕワイヤ５０で接続するためのパッド２１ｃの形成領域を含む周辺部２０ｃとの間の中間部２０ｂに、スルーホール２９ｂを形成する。このような領域にスルーホール２９ｂを形成することにより、ソルダボール７０のリフロー時等に、グランドプレーン配線２２ａとプリプレグ層２７との剥離、及び電源プレーン配線２３ａとプリプレグ層２８との剥離が抑えられ、スルーホール２９ｂを形成しなかった場合に中間部２０ｂを中心とする回路基板２０の膨れの発生が効果的に抑えられるようになる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子と透明部材との間の距離を高い精度をもって検出することができ、不良品の製造を防止することができる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像素子７２と、前記固体撮像素子の受光領域ＰＡに対向して配置される透明部材７３と、前記透明部材を支持する支持部材７１と、前記透明部材の上面又は前記透明部材の上面のいずれかに配設される第１のマーク７７と、前記固体撮像素子の受光領域の外側に配設される第２のマーク７８と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】放電ランプの発光位置、輝度及び輝度分布の経時変化を少なくする。
【解決手段】 陰極電極１１と陽極電極１２との間にアークを発生させる放電ランプ１０を光源とする発光装置において、陰極電極１１を陽極電極１２方向に沿い移動させるアクチュエータ１６と、陰極電極１１の移動に対して放電ランプ１０の輝度が極大値又は所定値になるように、アクチュエータ１６を制御する制御装置とを有する。電極消耗に起因する輝度分布等の変動を、陰極電極１１の移動により修正するので輝度分布等の変動が少ない。 （もっと読む）

【課題】 基板上に発生する欠陥を可及的に迅速且つ正確に把握し、インプロセス内における欠陥の発生源や発生原因を確実に特定して、歩留まり良く信頼性の高い製品作製が実現を実現する。
【解決手段】 欠陥分布判定部３で特異分布の存在が確認された場合には、欠陥情報作成部２は、有効チップ内領域外、具体的には半導体基板の表面における有効チップ内領域外の第１の領域、半導体基板の端面（いわゆるベベル部分）である第２の領域及び裏面である第３の領域について欠陥検査装置を用いて調べ、当該欠陥に関する第２の欠陥情報（第１、第２及び第３の領域内の夫々における欠陥数及び欠陥の位置座標等）を作成する。 （もっと読む）

【課題】特殊な付加工程や材料を用いることなく、既存のＭＩＳ型トランジスタを主構成部材として用いるも、極めて簡易且つ確実に記憶情報の書き込み及び読み出しを行うことを可能とする。
【解決手段】メモリセル１０の主構成部材であるＰ型ＭＯＳトランジスタ２１は、メモリセル１０において記憶素子として機能するものである。このＰ型ＭＯＳトランジスタ２１に所定の高電圧を印加すると、ＨＣＩによるＩ_offリークが増加する、いわゆるＩ_offリーク現象が発生する。このＩ_offリーク現象がＰ型ＭＩＳトランジスタに保存される性質ものであることを利用して、ＭＯＳトランジスタ２１を記憶素子として用いる。 （もっと読む）

【課題】最小の工程数で尚且つ、特性が安定しており、スイッチングスピードの速いパワー半導体装置を実現する。
【解決手段】厚いゲート絶縁膜９及びこれよりも薄いゲート絶縁膜１１を形成した後、ゲート電極材料を堆積し、ゲート絶縁膜９下のボディ領域の形成予定部位にｐ型不純物をイオン注入してｐ型不純物領域１５を形成する。そして、ゲート絶縁膜９，１１下にそれぞれｐ型不純物をイオン注入してボディ領域１９ａ，１９ｂをそれぞれ形成する。ボディ領域１９ａはｐ型不純物領域１５と一体化する。 （もっと読む）

【課題】地図データの構成を変えることなく高速な描画処理を実現すること。
【解決手段】描画処理装置は、画像を分割するパーセル構造１１０単位にそれぞれパーセル内に存在する描画対象図形の情報を含んだ地図データを用いて図形描画をおこなう描画処理装置であって、パーセル構造１１０をより小さな仮想サブパーセル構造１２０に分割し、分割された仮想サブパーセルからパーセル内の図形の少なくとも一部が存在する仮想サブパーセルを特定し、特定された仮想サブパーセルと、図形とを関連付ける。そして、描画処理装置は、描画環境設定から画像の表示領域の指示を受け付けると、図形データの中から、表示領域に含まれるパーセルを抽出し、さらに抽出されたパーセル表示領域に含まれる仮想サブパーセルを抽出し、抽出されたパーセルの少なくとも一部に存在する図形の中から、抽出された仮想サブパーセルと関連付けされた図形を描画する。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークとなる島状の構造体の占有面積を可及的に小さく抑えるも、アライメントマークの誤検出を容易且つ確実に防止し、アライメントを安定して高精度に行うことを可能とする。
【解決手段】アライメントマーク５を、アライメント時の画像解析対象となる複数の第１の溝１５と、当該アライメントマーク５の周縁部分を分割するように第１の溝１５よりも幅狭で稠密に形成されてなる複数の第２の溝１６とから形成する。第１の溝１５は、Ｙ方向に延在しており、Ｘ座標検出用の溝１５ａと、Ｘ方向に延在しており、Ｙ座標検出用のする溝１５ｂとが、それぞれライン＆スペース状に並列して複数形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】タッチセンサーの検出精度を向上させ得る容量センサーを提供する。
【解決手段】電極１１ａと接地端ＧＮＤとの間の第一の容量Ｃｓ２の充電電圧の変化を検出する第一の充電電圧検出部１２ａと、複数の電極１１ａ，１１ｂ間の第二の容量Ｃｓ１の充電電圧の変化を検出する第二の充電電圧検出部１２ｂと、第一の充電電圧検出部１２ａと第二の充電電圧検出部１２ｂからそれぞれ出力される検出信号Ｆ１，Ｆ２に基づいて判定信号ＯＵＴを生成する判定部１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ半導体装置のバンプ形成において、チップキャリアの必要以上の高温化を防いで変形化を未然に防ぎ、またダイシングテープの粘着剤に起因するチップキャリアとチップとの固着によるバンプ形成の生産性低下を防ぐ。
【解決手段】半導体チップを、チップキャリアの、底部に開口部を有するチップ搭載部に載置し、前記半導体チップをバンプ形成装置の、少なくとも上面が被覆膜で平滑状態とした突起部を、開口部内に下方から上方に貫通させ、半導体チップを前記上面上に固定し、半導体チップの表面にバンプを形成するようにする。これによって、チップキャリアの過度な温度上昇を抑制し、また半導体裏面に粘着剤が付着していても、チップキャリアとチップとの固着は勿論、これが前記突起部の上面と半導体チップ間で固着して剥離しなくなる状況をも回避できる。 （もっと読む）