【課題】半導体構成体の周囲におけるベース板上に絶縁層が設けられ、半導体構成体および絶縁層の上面に上層絶縁膜および上層配線が設けられた半導体装置において、半導体構成体の上面と該上面を覆っている上層絶縁膜との間の密着力を大きくした半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体構成体２の外部接続用電極１３を含む封止膜１４の上面と該上面を覆っている上層絶縁膜２１との間にはシランカップリング剤からなる密着力向上膜１５が設けられている。半導体構成体２の封止膜１４は、８０ｗｔ％以上のシリカフィラーを含むエポキシ系樹脂などの樹脂によって形成されている。半導体構成体２の封止膜１４の上面の大部分においては、研削されていることにより、シリカフィラーの研削面が露出されている。密着力向上膜１５は、封止膜１４の上面と該上面を覆っている上層絶縁膜２１との間の密着力を大きくするためのものである。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体ウエハ等といった複数の被処理物を処理液に浸漬するに際して、これら被処理物の間で処理具合にばらつきが生じないようにする。
【解決手段】処理装置１が、処理液３０が貯留される処理槽２と、処理槽２内に配置され、処理槽２内で回転する回転車４と、被処理物３２をそれぞれ保持し、回転車４に取り付けられ、回転車４の第１の回転軸６を中心にした円周方向に沿って配列された複数の保持具１０と、を備える。 （もっと読む）