【課題】配線パターンを覆う絶縁層をできる限り薄くする。
【解決手段】配線パターン１は、第一の一対の端子３，４及び該第一の一対の端子３，４間を接続する複数の第一の引き回し部５を有する第一の配線２と、第二の一対の端子７，８及び該第二の一対の端子７，８間を接続する少なくとも一つの第二の引き回し部９を有する第二の配線６とを含む。 （もっと読む）

【課題】予め個片化された半導体チップの角の面取りをできるようにする。
【解決手段】面取り装置１０が、半導体チップ１１を回転させる回転装置３０と、回転装置３０の周辺に半導体チップ１１の角に接離可能に配置された工具４０と、回転装置３０の回転軸に関する径方向に沿って工具４０を移動させることによって、工具４０を半導体チップ１１の角に接触させて、半導体チップ１１の角を面取りする移動装置５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の照射による滓の発生を抑えるようにするとともに、分断後の低誘電率膜にダメージを与えないようにする。
【解決手段】半導体ウエハ６１の一方の面６１ａの上に形成された低誘電率膜２１をドライエッチングすることにより低誘電率膜２１に溝２１ａを形成し、低誘電率膜２１の上に封止層４１を形成するとともに、低誘電率膜２１の溝２１ａ内に封止層４１の一部を埋め込み、半導体ウエハ６１及び封止層４１を低誘電率膜２１の溝２１ａに沿って分割する。 （もっと読む）

【課題】大量のチップに放熱部を設けるに際してその生産性の向上を図るとともに、放熱効果の向上を図る半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１が、半導体基板１１と、絶縁膜１４の表面１４ｂに積層された封止層２６と、半導体基板１１の外周面１１ｃに設けられた第１の放熱部４０と、半導体基板１１の裏側の主面１１ｂに設けられた第２の放熱部３０と、を備える。第１の放熱部及び第２の放熱部は半導体ウエハのレベルで設け、それらをダイシングする。 （もっと読む）

【課題】配線板の配線パターンの設計の自由度を向上させるとともに、配線板を薄型化する。
【解決手段】半導体チップ組込体１が、外側配線パターン７０を有する配線板２と、配線板２に埋設された半導体チップ１０と、配線板２に組み込まれ、第一の端子９１ａを有する電子部品９１と、配線板２に組み込まれ、第二の端子９２ａを有する電子部品９２と、を備える。半導体チップ１０が、半導体基板１１と、その半導体基板１１の上に形成された内部配線パターン２０と、を有する。電子部品９１の第一の端子９１ａと電子部品９２の第二の端子９２ａが、外側配線パターン７０及び内部配線パターン２０を経由して導通している。 （もっと読む）

【課題】めっき液を撹拌し、めっき槽内のめっき液の濃度分布や温度分布を均一にするめっき装置において、装置を小型化でき、撹拌するための運転費を不要とすることができるめっき装置を提供する。
【解決手段】ポンプ１４が駆動すると、めっき液タンク６内のめっき液３がめっき液供給配管１３等を介してノズル構成体１５の角筒状のノズル１７に供給される。ノズル１７の先端の開口部１７ａは時計方向側に開放されているため、開口部１７ａからめっき液３が時計方向に向かって流出され、その流出力によりノズル構成体１５が反時計方向に回転され、めっき液３が撹拌される。この場合、ノズル構成体１５を回転させるためのそれ専用の機構を必要とせず、その分小型化することができ、まためっき液３を撹拌するための運転費を不要とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＳＰと呼ばれる半導体構成体を２つ積層した構造の半導体装置において、製造工程数を少なくする。
【解決手段】 第１の半導体ウエハ２１ａ上に封止膜１２ａ等が形成されたもののうちの第１の半導体ウエハ２１ａの下面を、第２の半導体構成体２１ｂ下に封止膜１２ｂ等が形成されたもののうちの第２の半導体構成体２１ｂの上面に直接固着する。この後、ダイシングストリート２２に沿って切断すると、ＣＳＰと呼ばれる半導体構成体を２つ積層した構造の半導体装置が複数個得られる。これにより、ＣＳＰと呼ばれる２つの半導体構成体を個々に製造してから、この２つの半導体構成体を積層する場合と比較して、製造工程数を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】薄型化及び小型化を図る半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ１０と、半導体チップ１０の上に積層された多層配線構造３０と、多層配線構造３０内に埋設された電子部品６０，８０と、を備える。半導体チップは、半導体基板１１と、半導体基板上に形成された内部配線２０と、内部配線を被覆するようにして半導体基板上に形成された封止層１６と、を有し、多層配線構造が封止層上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの大型化を抑られる手段を提供する。
【解決手段】上面に端子２９を有する多層配線板２０を作成し、多層配線板２０の端子となるコンタクト導体３０を多層配線板２０の下面に形成し、多層配線板２０の端子となる柱状導体３５を多層配線板２０の上面に形成し、半導体チップ４０を多層配線板２０の上面に搭載して、半導体チップ４０の外部接続用電極４１を端子２９に接続し、封止材５０によって半導体チップ４０を覆い、柱状導体３５を封止材５０から露出させる。このようにして作成した半導体デバイス１〜３の積み重ねに際しては、半導体デバイス１の柱状導体３５と、半導体デバイス２のコンタクト導体３０とをバンプ４によって半田付けし、半導体デバイス２の柱状導体３５と、半導体デバイス３のコンタクト導体３０とをバンプ５によって半田付けする。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の強度を弱めずに、スルーホールの形成に要する時間を短縮できるようにする。
【解決手段】半導体ダイ１が、半導体基板１１と、半導体基板１１上に設けられた配線２３と、配線２３上に設けられたレーザー光防護電極２７と、を備える。半導体装置４０が、半導体ダイ１と、半導体ダイ１を覆い、レーザー光防護電極２７に対応する部分に設けられたスルーホール４３ａを有する封止層４３と、封止層４３のスルーホール４３ａ内に設けられた導体４４と、を備える。レーザー光防護電極２７の上面は、導体４４と接触する第一領域２７ｄと、導体４４と接触していない第二領域２７ｃと、を有する。 （もっと読む）