【課題】半田バンプにおけるクラックの発生を抑制して、回路基板との良好な電気的接続を得ることができる半導体装置の製造方法、及び、半導体装置の実装構造の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ２１の上面にパッシベーション膜１３、保護膜１４、配線１５、柱状電極１６及び封止層１７を形成した後、封止層１７上面に、柱状電極１６の上面が露出する開口部１９ｈが設けられたガイド層１９を形成する。次いで、ガイド層１９に形成された開口部１９ｈ内に、半田ボール１８ｂを１又は複数個搭載した後、加熱処理を行って、半田ボール１８ｂを溶融して開口部１９ｈ内に半田材料を充填することにより、柱状電極１６の上面に電気的に接触されるとともに、ガイド層１９の上面から上部が突出した外部接続用電極１８が形成される。 （もっと読む）

【課題】多層プリント配線板の上面側に設けられた凹部内にＣＳＰと呼ばれる半導体構成体を搭載した半導体装置において、凹部の底面に半導体構成体搭載用の半田を特殊な設備を用いることなく供給する。
【解決手段】多層プリント配線板１の凹部４内に、複数の円孔１２を有し、且つ、前記円孔１２内およびその上下に突出して設けられた半田ボール１３ａを有する半田支持シート１１を配置する。次に、その上に半導体構成体２１をフェースダウン方式で配置する。次に、リフローを行うことにより、多層プリント配線板１の凹部４内において半田支持シート１１上に半導体構成体２１をフェースダウン方式で搭載する。 （もっと読む）

【課題】配線の断線を防止する。
【解決手段】半導体装置１が、半導体基板１１と、半導体基板１１の上に形成された配線２１と、半導体基板１１の上に形成され、配線２１に接続された接続導体２２と、半導体基板１１の上に形成され、接続導体２２に接続されたランド２３と、ランド２３の上に形成され、ランド２３の外縁からはみ出るように形成された端子２９と、を備る。接続導体２２が端子２９の外周からはみ出て、接続導体２２の幅Ｗ２が配線２１の幅Ｗ１よりも広い。 （もっと読む）

【課題】パッケージのうち封止層の表面に窪みが形成されることを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造プロセスにおいて、半導体ウエハ２１上への液状の封止材料３３の塗布、脱泡、仮焼成からなる一連の工程を実行して仮硬化状態の封止膜１７−１を形成した後、再度液状の封止材料３３の塗布、脱泡、本焼成からなる一連の工程を実行して、仮硬化状態の封止膜１７−１と、その後に塗布した封止材料３３からなる封止膜１７−２が、境目のない一体の層をなす封止層１７が形成される。また、これにより、均一な膜厚を有するとともに、平坦な表面状態を有する封止層１７が形成される。 （もっと読む）

【課題】封止層の焼成処理に際して、封止層中にボイドが形成されたり、封止材用フィラーの密度が不均一になることを抑制することができる半導体装置の製造方法、及び、その製造方法に用いる半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ２１上面への封止層１７の形成に先立って、半導体ウエハ２１や保護膜１４などに吸着あるいは含有している水分などのガス成分を放出させて除去する脱ガス処理を行う。脱ガス処理は、例えば、窒素濃度を高くした雰囲気下で、かつ、配線１５や外部接続用電極１６などが形成された半導体ウエハ２１の上面側（デバイス面側）を下方に向けた状態（裏返した状態）で、半導体ウエハ２１を所定の温度条件及び時間条件で加熱処理することにより行われる。 （もっと読む）

【課題】多層プリント配線板の上面側に設けられた凹部の深さにバラツキがあっても、凹部の底面に安定した半田印刷を行うことができるようにする。
【解決手段】印刷マスク２１として、板状の印刷マスク本体２２と、この印刷マスク本体２２に凹むように設けられた皿状部２３と、この皿状部２３の底板に設けられた複数の第１の開口部２４と、皿状部２３の底板の下面に設けられたウレタンゴム等からなる弾性変形可能な高さ調整膜２５と、皿状部２３の第１の開口部２４に対応する部分における高さ調整膜２５に設けられた第２の開口部２６とを備えているものを用いる。これにより、多層プリント配線板１の凹部４の深さにバラツキがあっても、高さ調整膜２５の弾性変形により多層プリント配線板１の凹部４の深さのバラツキを吸収することができ、したがって安定した半田印刷を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】キャビティの上面側に設けられた半導体構成体用凹部内に半導体構成体を配置した半導体装置において、薄型化する。
【解決手段】キャビティ１の上面側に設けられた半導体構成体用凹部４内には半導体構成体１１がフェースダウン方式で配置されている。半導体構成体用凹部４内には絶縁層３５が半導体構成体１１を覆うように設けられている。絶縁層３５の上面は、キャビティ１の上面に設けられた上層オーバーコート膜３３の上面と面一となっている。絶縁層３５および上層オーバーコート膜３３の上面には上層配線３７が設けられている。この場合、キャビティ１および半導体構成体１１上には上層絶縁膜を設けておらず、したがってその分薄型化することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩと呼ばれる半導体構成体を含む半導体装置において、半導体構成体の半導体基板の下面をグランド電位とするための回路設計に制約を受けにくいようにする。
【解決手段】多層プリント配線板１２と、この多層プリント配線板１２の下面側に設けられた凹部１５内にフェースアップ方式で搭載されたＳＯＩと呼ばれる半導体構成体３１とを備えている。そして、半導体構成体３１は、その半導体基板３３の下面中央部がその下に配置された導電性接着剤層４３を介してプリント配線板１のグランド配線３に接続されていることにより、プリント配線板１上に実装されている。この場合、グランド用の引き回し線をほとんど考慮する必要がなく、したがって半導体構成体３１の半導体基板３３の下面をグランド電位とするための回路設計に制約を受けにくいようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの縁に沿って分断した接着フィルムの縁にばり（burr）が形成されないようにする。
【解決手段】一方の面１０１ａに集積回路を有する半導体ウエハ１０１の他方の面１０１ｂに接着フィルム１２２を貼り付け、ダイシングブレード１２６を半導体ウエハ１０１の一方の面１０１ａから接着フィルム１２２まで切り込んで、半導体ウエハ１０１と共に接着フィルム１２２を切断する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたレジストを除去する際のレジストの残渣の発生を抑える一方で、基板を洗浄する際の洗浄能力の低下を図る。
【解決手段】被噴射体噴射装置は、回転軸４１を有し、回転軸４１の回転によって基板を回転させるスピンナー４０と、基板に相対する位置であってスピンナー４０の回転軸４１からずれて配置され、被噴射体を噴射するノズル２４及びノズル２５と、を備え、スピンナー４０の回転軸４１の方向に見て、ノズル２４の噴射口２４Ａがスピンナー４０の回転軸４１が回転する向きと向き合っており、ノズル２５の噴射口２５Ａが第一ノズル２４の噴射口２４Ａの向きとは逆向きである。 （もっと読む）