印刷マスクおよびそれを用いた印刷方法並びに半導体装置の製造方法
【課題】多層プリント配線板の上面側に設けられた凹部の深さにバラツキがあっても、凹部の底面に安定した半田印刷を行うことができるようにする。
【解決手段】印刷マスク２１として、板状の印刷マスク本体２２と、この印刷マスク本体２２に凹むように設けられた皿状部２３と、この皿状部２３の底板に設けられた複数の第１の開口部２４と、皿状部２３の底板の下面に設けられたウレタンゴム等からなる弾性変形可能な高さ調整膜２５と、皿状部２３の第１の開口部２４に対応する部分における高さ調整膜２５に設けられた第２の開口部２６とを備えているものを用いる。これにより、多層プリント配線板１の凹部４の深さにバラツキがあっても、高さ調整膜２５の弾性変形により多層プリント配線板１の凹部４の深さのバラツキを吸収することができ、したがって安定した半田印刷を行うことができる。
【解決手段】印刷マスク２１として、板状の印刷マスク本体２２と、この印刷マスク本体２２に凹むように設けられた皿状部２３と、この皿状部２３の底板に設けられた複数の第１の開口部２４と、皿状部２３の底板の下面に設けられたウレタンゴム等からなる弾性変形可能な高さ調整膜２５と、皿状部２３の第１の開口部２４に対応する部分における高さ調整膜２５に設けられた第２の開口部２６とを備えているものを用いる。これにより、多層プリント配線板１の凹部４の深さにバラツキがあっても、高さ調整膜２５の弾性変形により多層プリント配線板１の凹部４の深さのバラツキを吸収することができ、したがって安定した半田印刷を行うことができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は印刷マスクおよびそれを用いた印刷方法並びに半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、従来の半導体装置には、多層プリント配線板の上面側中央部に設けられた凹部内にＩＣチップがフェースアップ方式で搭載されたものがある（例えば、特許文献１参照）。この場合、多層プリント配線板およびＩＣチップの上面には上層絶縁膜が設けられている。上層絶縁膜の上面には上層配線が設けられている。上層配線は、上層絶縁膜に設けられた開口部を介して、ＩＣチップの上面に設けられた接続パッドに接続されている。
【０００３】
上記従来の半導体装置では、多層プリント配線板の凹部内にＩＣチップをフェースアップ方式で搭載しているが、フェースダウン方式で搭載することが考えられる。すなわち、多層プリント配線板のうち凹部内に露出された配線のランド上に半田を供給し、この供給された半田を介して、ＩＣチップをフェースダウン方式で搭載することが考えられる。
【０００４】
多層プリント配線板のうち凹部内に露出された配線のランド上に半田を供給する方法としては、半田印刷用の印刷マスクとして、該印刷マスクの下面において多層プリント配線板の凹部の一部に対応する部分に該凹部の深さとほぼ同じ高さの凸部を設けたものを用いる方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。この場合、印刷マスクを多層プリント配線板の上面に配置するとともに、その凸部を多層プリント配線板の凹部内に配置し、当該凸部の両側における印刷マスクに設けられた開口部内およびその下方にクリーム半田を印刷により供給している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１６８５７号公報
【特許文献２】特開２００８−６６３４４号公報（図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の印刷方法では、印刷マスクとして、該印刷マスクの下面において多層プリント配線板の凹部の一部に対応する部分に該凹部の深さとほぼ同じ高さの凸部を設けたものを用いているので、多層プリント配線板のうち凹部が設けられたプリント配線板（絶縁基板）の厚さのバラツキ等に起因して、多層プリント配線板の凹部の深さにバラツキがある場合には、安定した半田印刷を行うことができないおそれがあるという問題がある。
【０００７】
そこで、この発明は、多層プリント配線板の凹部の深さにバラツキがあっても、安定した半田印刷を行うことができる印刷マスクおよびそれを用いた印刷方法並びに半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明に係る印刷マスクは、底面に複数の第１の開口部が形成された第１の凹部を備えた板状のマスク本体と、前記第１の凹部の底面下に設けられ、前記第１の開口部に対応する部分に第２の開口部を有する高さ調整膜と、を備えていることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明に係る印刷方法は、底面に複数の第１の開口部が形成された第１の凹部を備えた板状のマスク本体と、前記第１の凹部の底面下に設けられ、前記第１の開口部に対応する部分に第２の開口部を有する高さ調整膜と、を備えている印刷マスクを準備し、一方の面に第２の凹部を有する多層基板の前記第２の凹部の底面上に前記印刷マスクの前記第１の凹部が対応するように前記印刷マスクを配置し、前記多層基板の前記第２の凹部内に露出された配線上に、前記印刷マスクの前記第１の開口部及び前記第２の開口部を介して金属接合材料を印刷することを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項５に記載の前記多層基板の前記第２の凹部内に、半導体基板及び前記半導体基板下に設けられた外部接続用電極を有する半導体構成体を配置し、リフローを行うことにより、前記外部接続用電極が前記金属接合材料を介して前記多層基板の前記第２の凹部内に露出された配線に接続されることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、印刷マスクとして、底面に複数の第１の開口部が形成された第１の凹部を備えた板状のマスク本体と、前記第１の凹部の底面下に設けられ、前記第１の開口部に対応する部分に第２の開口部を有する高さ調整膜と、を備えているものを用いているので、多層基板の凹部の深さにバラツキがあっても、高さ調整膜の弾性変形により多層基板の凹部の深さのバラツキを吸収することができ、したがって安定した半田印刷を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】この発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の平面図。
【図２】図１のII−II線にほぼ沿う部分の断面図。
【図３】図１および図２に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初準備したものの断面図。
【図４】図３に示す印刷マスクの平面図。
【図５】図３に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】（Ａ）および（Ｂ）は半導体装置の他の例を説明するために示す一部の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１はこの発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の平面図を示し、図２は図１のII−II線にほぼ沿う部分の断面図を示す。この半導体装置は平面方形状の多層プリント配線板（多層基板）１を備えている。多層プリント配線板１は複数例えば７枚の絶縁基板２とそれよりも１つ多い数の配線３とが交互に積層された構造となっている。この場合、絶縁基板２は、プリント配線板用として用いられている材料からなり、一例を挙げれば、ガラス布、ガラス繊維、アラミド繊維等からなる基材にエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等からなる熱硬化性樹脂を含浸させたものからなっている。配線３は銅等によって形成されている。
【００１２】
多層プリント配線板１の上面側中央部には平面方形状の凹部４が設けられている。この場合、凹部（第２の凹部）４は上側の４枚の絶縁基板２に設けられているので、上から５枚目の絶縁基板２の上面中央部および該上面中央部に設けられた配線３は凹部４を介して露出されている。この露出された配線３を含む上から５枚目の絶縁基板２の上面にはソルダーレジスト等からなるオーバーコート膜５が設けられている。当該露出された配線３のランドに対応する部分におけるオーバーコート膜５には円形状の開口部６が設けられている。
【００１３】
多層プリント配線板１において、最下層の配線３を含む最下層の絶縁基板２の下面にはソルダーレジスト等からなる下層オーバーコート膜７が設けられている。最下層の配線３のランドに対応する部分における下層オーバーコート膜７には円形状の開口部８が設けられている。
【００１４】
多層プリント配線板１の凹部４以外の部分において、最上層の配線３を含む最上層の絶縁基板２の上面全体にはソルダーレジスト等からなる上層オーバーコート膜９が設けられている。ここで、凹部４に対応する部分における上層オーバーコート膜９には、凹部４の上部を実質的に構成する開口部が設けられている。すなわち、凹部４は、実質的には、上側の４枚の絶縁基板２および上層オーバーコート膜９に設けられている。
【００１５】
凹部４内においてオーバーコート膜５上には半導体構成体１１が配置されている。この半導体構成体１１は、一般的にはＣＳＰ(chip size package)と呼ばれるものであり、平面方形状のシリコンからなる半導体基板１２を備えている。半導体基板１２の下面には、図示していないが、所定の機能の集積回路を構成する素子、例えば、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等の素子が形成されている。半導体基板１２の下面周辺部には、上記集積回路の各素子に接合されたアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド１３が設けられている。
【００１６】
接続パッド１３の中央部を除く半導体基板１２の下面には、詳細には図示していないが、パッシベーション膜および樹脂保護膜の２層からなる絶縁膜１４が設けられている。絶縁膜１４の下面には銅等からなる複数の配線１５が設けられている。配線１５の一端部は、絶縁膜１４に設けられた開口部を介して接続パッド１３に接合されており、他端部はランドとなっている。
【００１７】
配線１５のランド下面には銅からなる柱状の外部接続用電極１６が設けられている。配線１５を含む絶縁膜１４の下面において外部接続用電極１６の周囲にはシリカフィラーを含むエポキシ系樹脂等からなる封止膜１７が設けられている。ここで、外部接続用電極１６は、半導体基板１２の下面側に平面的に見てマトリクス状に配置されている。
【００１８】
そして、半導体構成体１１は、その外部接続用電極１６がオーバーコート膜５の開口部６を介して露出された配線３のランドに半田１８を介して接合されていることにより、凹部４内においてオーバーコート膜５上にフェースダウン方式で搭載されている。この状態では、半導体構成体１１の上面は上層オーバーコート膜９の上面よりも下側に位置している。
【００１９】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図３に示すように、多層プリント配線板１および半田印刷用の印刷マスク２１を準備する。この場合、多層プリント配線板１は、図２に示す完成された半導体装置を複数個形成することが可能な平面サイズを有するものからなっている。そして、図３において、符号３１で示す領域は格子状の切断ラインに対応する領域である。なお、図３において、図２に示す配線３は、図示の都合上、省略している。
【００２０】
多層プリント配線板１の上面側には複数の凹部４、４４がマトリクス状に設けられている。凹部４、４４の底面には開口部６を有するオーバーコート膜５が設けられている。多層プリント配線板１の下面には開口部８を有する下層オーバーコート膜７が設けられている。凹部４、４４の周囲における多層プリント配線板１の上面全体には上層オーバーコート膜９が設けられている。この場合も、凹部４、４４は、実質的には、上側の４枚の絶縁基板２および上層オーバーコート膜９に設けられている。
【００２１】
次に、印刷マスク２１について説明する。印刷マスク２１は、図４の平面図にも示すように、ステンレス鋼等からなる板状の印刷マスク本体（マスク本体）２２と、印刷マスク本体２２の複数の箇所にプレス加工等により凹むように設けられた皿状部（第１の凹部）２３と、皿状部２３の底板に設けられた複数の円形状の第１の開口部２４と、皿状部２３の底板の下面に設けられたウレタンゴム等からなる弾性変形可能な高さ調整膜２５と、皿状部２３の第１の開口部２４に対応する部分における高さ調整膜２５に設けられた円形状の第２の開口部２６とを備えたものからなっている。
【００２２】
高さ調整膜２５は、物体に荷重を加えると変形するが、除荷すれば元の形状に戻る性質を有する弾性変形可能であればよい。弾性変形は、応力が一定の値以下であれば、応力と歪は常に比例する。この時の比例定数は材料によって一定している。高さ調整膜２５としては、ウレタンゴム以外にも、アクリルゴム、ニトリルゴム、イソプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、
エピクロルヒドリンゴム、クロロプレンゴム、シリコーンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、フッ素ゴム、ポリイソブチレン（ブチルゴム）等が挙げられる。
【００２３】
この場合、印刷マスク２１の平面サイズは図３に示す多層プリント配線板１の平面サイズとほぼ同じとなっている。皿状部２３は凹部４、４４に対応する部分にマトリクス状に設けられ、その平面サイズは凹部４、４４の平面サイズよりもやや小さくなっている。第１、第２の開口部２４、２６はオーバーコート膜５の開口部６に対応する部分に設けられ、その平面サイズはオーバーコート膜５の開口部６の平面サイズと同じとなっている。
【００２４】
さて、図３に示すものを準備したら、次に、図５に示すように、凹部４、４４内におけるオーバーコート膜５の上面に印刷マスク２１の皿状部２３および高さ調整膜２５の部分を位置合わせして配置し、且つ、上層オーバーコート膜９の上面に印刷マスク２１の印刷マスク本体２２を配置する。この状態では、印刷マスク２１の第１、第２の開口部２４、２６はオーバーコート膜５の開口部６と一致させられている。
【００２５】
次に、図６に示すように、印刷ヘッド３２を準備する。この印刷ヘッド３２は、下側に帯状の吐出口３４を有するホッパー状の長尺なヘッド本体３３の内部にピストン３５が上下動可能に設けられたものからなっている。この場合、図６において、ヘッド本体３３の紙面に垂直な方向の長さは印刷マスク２１の紙面に垂直な方向の長さより長くなっている。そのため、印刷ヘッド３２を移動させても、印刷マスク２１の皿状部２３に落ちてしまうことはない。また、ヘッド本体３３内においてピストン３５の下方にはクリーム半田（金属接合材料）３６が充填されている。クリーム半田３６はフラックス中に多数の半田粒子が混入されたものからなっている。
【００２６】
そして、印刷ヘッド３２を印刷マスク２１の印刷マスク本体２２の上面に押し付けて図６の左側から右側に向かって移動させながらピストン３５に下降力が付与されると、印刷マスク２１の皿状部２３の部分において、ヘッド本体３３内のクリーム半田３６が吐出口３４から吐出され、この吐出されたクリーム半田３６が印刷マスク２１の皿状部２３の内部、印刷マスク２１の第１、第２の開口部２４、２６の内部およびオーバーコート膜５の開口部６の内部に供給される。
【００２７】
この場合、印刷マスク２１として、印刷マスク本体２２に凹むように設けられた皿状部２３の底板の下面に弾性変形可能な高さ調整膜２５が設けられたものを用いているので、多層プリント配線板１の凹部４の深さと多層プリント配線板１の別の凹部４４の深さにバラツキがあっても、印刷マスク２１の印刷マスク本体２２が印刷ヘッド３２によって押え付けられることに起因して生じる印刷マスク２１の高さ調整膜２５の弾性変形により、多層プリント配線板１の凹部４と別の凹部４４との深さの差のギャップを吸収することができ、したがって安定した半田印刷を行うことができる。
【００２８】
例えば、１００〜１２０ｍｍ角の多層プリント配線板１の凹部４は、平面視した大きさは４〜５ｍｍ角または約１０ｍｍ角であり、凹部４、４４の深さは１．０〜１．５ｍｍの範囲内のいずれかの値に設定される。このように一般には、同じ多層プリント配線板１であれば、複数の凹部を有していても、いずれの凹部の深さも同一の値に設定して形成するが、実際には±１０％の範囲内のばらつきが発生してしまう。従って、各凹部４、４４間に深さの差があったとしても、安定した半田印刷を行うため、印刷マスク２１の皿状部２３下の高さ調整膜２５がオーバーコート膜５と密着する必要がある。
【００２９】
仮に、凹部４の深さが別の凹部４４よりも深い場合、凹部４の位置に対応する印刷マスク２１の皿状部２３下の高さ調整膜２５は弾性変形しない。しかし、別の凹部４４の深さは凹部４の深さより浅いため、別の凹部４４の位置に対応する印刷マスク２１の皿状部２３下の高さ調整膜２５は弾性変形し、凹部４の深さと凹部４４の深さの差分を吸収する。
【００３０】
ここで、図６に示す多層プリント配線板１とは別の多層プリント配線板に対して半田印刷を行う場合には、絶縁基板の厚さのバラツキ等に起因して、別の多層プリント配線板の凹部の深さが図６に示す多層プリント配線板１の凹部４の深さと異なることがある。このような場合においても、印刷マスク２１の印刷マスク本体２２が印刷ヘッド３２によって押え付けられることに起因して生じる印刷マスク２１の高さ調整膜２５の弾性変形により、多層プリント配線板１の凹部４の深さと別の多層プリント配線板の凹部の深さとの差のギャップを吸収して、安定した半田印刷を行うことができる。
【００３１】
次に、印刷マスク２１を取り除くと、図７に示すように、オーバーコート膜５の開口部６内およびその上方に円柱形状のクリーム半田３６が形成される。次に、図８に示すように、円柱形状のクリーム半田３６上に半導体構成体１１の外部接続用電極１６を位置合わせして載置する。この状態では、クリーム半田３６中のフラックスがある程度の粘着性を有するので、半導体構成体１１は円柱形状のクリーム半田３６上に仮固定される。
【００３２】
次に、リフロー炉による加熱を行うと、例えば図２に示すように、クリーム半田３６中のフラックスが蒸発し、半導体構成体１１の外部接続用電極１６がオーバーコート膜５の開口部６内およびその上方に形成された、クリーム半田３６中の半田からなる半田１８を介してオーバーコート膜５下の配線３のランドに接合されることにより、凹部４内においてオーバーコート膜５上に半導体構成体１１がフェースダウン方式で搭載される。次に、多層プリント配線板１を切断ライン３１に沿って切断すると、図１および図２に示す半導体装置が複数個得られる。
【００３３】
ところで、図２を参照して説明すると、オーバーコート膜５下に設けられた絶縁基板２の上面には配線３が設けられているため、当該配線３（以下、単に配線３という）を含む当該絶縁基板２（以下、単に絶縁基板２という）の上面は凸凹となっている。このため、例えば、図９（Ａ）に示すように、配線３を含む絶縁基板２の上面に設けられたオーバーコート膜５の上面も凸凹となってしまう。しかも、この場合、オーバーコート膜５の最上面５ａの高さにバラツキが生じることがある。
【００３４】
このような場合においても、図９（Ｂ）に示すように、オーバーコート膜５上に印刷マスク２１の皿状部２３および高さ調整膜２５の部分を配置して半田印刷を行うと、印刷マスク２１の印刷マスク本体２２が印刷ヘッド３２によって押え付けられることに起因して生じる印刷マスク２１の高さ調整膜２５の弾性変形により、オーバーコート膜５の上面の凹部が高さ調整膜２５によって埋められ、且つ、オーバーコート膜５の最上面５ａの高さのバラツキ（実質的には１つの凹部４の深さのバラツキ）があるが、最上面５ａの高さのギャップの差が吸収され、印刷マスク２１の第１、第２の開口部２４、２５およびオーバーコート膜５の開口部６に対して安定した半田印刷を行うことができる。
【００３５】
なお、印刷マスク２１は１つの凹部４に対応するものであってもよい。すなわち、印刷マスク２１は、方形枠状の印刷マスク本体２２の内側に１つの皿状部２３が設けられ、皿状部２３の下面に高さ調整膜２５が設けられたものであってもよい。また、印刷マスク２１は、帯状の印刷マスク本体２２に複数の皿状部２３が直列に配置され、皿状部２３の下面に高さ調整膜２５が設けられたものであってもよい。
【００３６】
また、半導体構成体は上記構成の半導体構成体に限らず、例えば、半導体基板の下面に接続パッド（外部接続用電極）が設けられ、接続パッドの中央部を除く半導体基板の下面に絶縁膜が設けられたものであってもよい。また、多層プリント配線板１の最下層の配線３のランド下面に半田突起を設けるようにしてもよい。また、最上層の配線３のランドに対応する部分における上層オーバーコート膜８に開口部を設け、上層オーバーコート膜８上にコンデンサや抵抗等からなるチップ部品を最上層の配線３のランドに半田を介して接続させて搭載するようにしてもよい。
【００３７】
以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明は、これに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲を含むものである。以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
【００３８】
（付記）
請求項１に記載の発明は、底面に複数の第１の開口部が形成された第１の凹部を備えた板状のマスク本体と、前記第１の凹部の底面下に設けられ、前記第１の開口部に対応する部分に第２の開口部を有する高さ調整膜と、を備えていることを特徴とする印刷マスクである。
【００３９】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記高さ調整膜は弾性変形可能であり、ウレタンゴム、アクリルゴム、ニトリルゴム、イソプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、
エピクロルヒドリンゴム、クロロプレンゴム、シリコーンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、フッ素ゴム、ブチルゴムのいずれかを含み、
前記マスク本体に前記第１の凹部が複数設けられていることを特徴とする印刷マスクである。
【００４０】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記マスク本体に前記第１の凹部がマトリクス状に設けられていることを特徴とする印刷マスクである。
【００４１】
請求項４に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記マスク本体に前記第１の凹部が直列に設けられていることを特徴とする印刷マスクである。
【００４２】
請求項５に記載の発明は、底面に複数の第１の開口部が形成された第１の凹部を備えた板状のマスク本体と、前記第１の凹部の底面下に設けられ、前記第１の開口部に対応する部分に第２の開口部を有する高さ調整膜と、を備えている印刷マスクを準備し、
一方の面に第２の凹部を有する多層基板の前記第２の凹部の底面上に前記印刷マスクの前記第１の凹部が対応するように前記印刷マスクを配置し、
前記多層基板の前記第２の凹部内に露出された配線上に、前記印刷マスクの前記第１の開口部及び前記第２の開口部を介して金属接合材料を印刷することを特徴とする印刷方法である。
【００４３】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、前記高さ調整膜は弾性変形可能であり、ウレタンゴム、アクリルゴム、ニトリルゴム、イソプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、
エピクロルヒドリンゴム、クロロプレンゴム、シリコーンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、フッ素ゴム、ブチルゴムのいずれかを含み、
前記金属接合材料はクリーム半田であり、
前記多層基板のうち前記第２の凹部内に露出された配線を含む絶縁基板上に、前記印刷マスクの前記第１の開口部及び前記第２の開口部に対応する部分に開口部を有するオーバーコート膜が設けられ、前記印刷マスクの第１の開口部と前記第２の開口部および前記オーバーコート膜の開口部を介して前記多層基板のうち前記第２の凹部内に露出された前記配線のランド上に前記クリーム半田を印刷することを特徴とする印刷方法である。
【００４４】
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、前記クリーム半田の印刷は、帯状の吐出口を有する長尺な印刷ヘッドを前記マスク本体上に押し付けて移動させることにより行うことを特徴とする印刷方法である。
【００４５】
請求項８に記載の発明は、請求項５に記載の前記多層基板の前記第２の凹部内に、半導体基板及び前記半導体基板下に設けられた外部接続用電極を有する半導体構成体を配置し、
リフローを行うことにより、前記外部接続用電極が前記金属接合材料を介して前記多層基板の前記第２の凹部内に露出された配線に接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００４６】
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の発明において、前記多層基板は、当初、完成された半導体装置を複数個形成することが可能な面積を有し、その上面側に前記第２の凹部が複数設けられ、最終的には前記多層基板を切断して半導体装置を複数個得ることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００４７】
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の発明において、前記多層基板の前記一方の面に前記第２の凹部がマトリクス状に設けられ、前記印刷マスクは、前記マスク本体に前記第２の凹部がマトリクス状に設けられたものからなることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【符号の説明】
【００４８】
１ 多層プリント配線板（多層基板）
２ 絶縁基板
３ 配線
４ 凹部（第２の凹部）
５ オーバーコート膜
７ 下層オーバーコート膜
９ 上層オーバーコート膜
１１ 半導体構成体
１２ 半導体基板
１６ 外部接続用電極
１８ 半田
２１ 印刷マスク
２２ 印刷マスク本体（マスク本体）
２３ 皿状部（第１の凹部）
２４ 第１の開口部
２５ 高さ調整膜
２６ 第２の開口部
３６ クリーム半田（金属接合材料）
【技術分野】
【０００１】
この発明は印刷マスクおよびそれを用いた印刷方法並びに半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、従来の半導体装置には、多層プリント配線板の上面側中央部に設けられた凹部内にＩＣチップがフェースアップ方式で搭載されたものがある（例えば、特許文献１参照）。この場合、多層プリント配線板およびＩＣチップの上面には上層絶縁膜が設けられている。上層絶縁膜の上面には上層配線が設けられている。上層配線は、上層絶縁膜に設けられた開口部を介して、ＩＣチップの上面に設けられた接続パッドに接続されている。
【０００３】
上記従来の半導体装置では、多層プリント配線板の凹部内にＩＣチップをフェースアップ方式で搭載しているが、フェースダウン方式で搭載することが考えられる。すなわち、多層プリント配線板のうち凹部内に露出された配線のランド上に半田を供給し、この供給された半田を介して、ＩＣチップをフェースダウン方式で搭載することが考えられる。
【０００４】
多層プリント配線板のうち凹部内に露出された配線のランド上に半田を供給する方法としては、半田印刷用の印刷マスクとして、該印刷マスクの下面において多層プリント配線板の凹部の一部に対応する部分に該凹部の深さとほぼ同じ高さの凸部を設けたものを用いる方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。この場合、印刷マスクを多層プリント配線板の上面に配置するとともに、その凸部を多層プリント配線板の凹部内に配置し、当該凸部の両側における印刷マスクに設けられた開口部内およびその下方にクリーム半田を印刷により供給している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１６８５７号公報
【特許文献２】特開２００８−６６３４４号公報（図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の印刷方法では、印刷マスクとして、該印刷マスクの下面において多層プリント配線板の凹部の一部に対応する部分に該凹部の深さとほぼ同じ高さの凸部を設けたものを用いているので、多層プリント配線板のうち凹部が設けられたプリント配線板（絶縁基板）の厚さのバラツキ等に起因して、多層プリント配線板の凹部の深さにバラツキがある場合には、安定した半田印刷を行うことができないおそれがあるという問題がある。
【０００７】
そこで、この発明は、多層プリント配線板の凹部の深さにバラツキがあっても、安定した半田印刷を行うことができる印刷マスクおよびそれを用いた印刷方法並びに半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明に係る印刷マスクは、底面に複数の第１の開口部が形成された第１の凹部を備えた板状のマスク本体と、前記第１の凹部の底面下に設けられ、前記第１の開口部に対応する部分に第２の開口部を有する高さ調整膜と、を備えていることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明に係る印刷方法は、底面に複数の第１の開口部が形成された第１の凹部を備えた板状のマスク本体と、前記第１の凹部の底面下に設けられ、前記第１の開口部に対応する部分に第２の開口部を有する高さ調整膜と、を備えている印刷マスクを準備し、一方の面に第２の凹部を有する多層基板の前記第２の凹部の底面上に前記印刷マスクの前記第１の凹部が対応するように前記印刷マスクを配置し、前記多層基板の前記第２の凹部内に露出された配線上に、前記印刷マスクの前記第１の開口部及び前記第２の開口部を介して金属接合材料を印刷することを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項５に記載の前記多層基板の前記第２の凹部内に、半導体基板及び前記半導体基板下に設けられた外部接続用電極を有する半導体構成体を配置し、リフローを行うことにより、前記外部接続用電極が前記金属接合材料を介して前記多層基板の前記第２の凹部内に露出された配線に接続されることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、印刷マスクとして、底面に複数の第１の開口部が形成された第１の凹部を備えた板状のマスク本体と、前記第１の凹部の底面下に設けられ、前記第１の開口部に対応する部分に第２の開口部を有する高さ調整膜と、を備えているものを用いているので、多層基板の凹部の深さにバラツキがあっても、高さ調整膜の弾性変形により多層基板の凹部の深さのバラツキを吸収することができ、したがって安定した半田印刷を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】この発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の平面図。
【図２】図１のII−II線にほぼ沿う部分の断面図。
【図３】図１および図２に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初準備したものの断面図。
【図４】図３に示す印刷マスクの平面図。
【図５】図３に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】（Ａ）および（Ｂ）は半導体装置の他の例を説明するために示す一部の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１はこの発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の平面図を示し、図２は図１のII−II線にほぼ沿う部分の断面図を示す。この半導体装置は平面方形状の多層プリント配線板（多層基板）１を備えている。多層プリント配線板１は複数例えば７枚の絶縁基板２とそれよりも１つ多い数の配線３とが交互に積層された構造となっている。この場合、絶縁基板２は、プリント配線板用として用いられている材料からなり、一例を挙げれば、ガラス布、ガラス繊維、アラミド繊維等からなる基材にエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等からなる熱硬化性樹脂を含浸させたものからなっている。配線３は銅等によって形成されている。
【００１２】
多層プリント配線板１の上面側中央部には平面方形状の凹部４が設けられている。この場合、凹部（第２の凹部）４は上側の４枚の絶縁基板２に設けられているので、上から５枚目の絶縁基板２の上面中央部および該上面中央部に設けられた配線３は凹部４を介して露出されている。この露出された配線３を含む上から５枚目の絶縁基板２の上面にはソルダーレジスト等からなるオーバーコート膜５が設けられている。当該露出された配線３のランドに対応する部分におけるオーバーコート膜５には円形状の開口部６が設けられている。
【００１３】
多層プリント配線板１において、最下層の配線３を含む最下層の絶縁基板２の下面にはソルダーレジスト等からなる下層オーバーコート膜７が設けられている。最下層の配線３のランドに対応する部分における下層オーバーコート膜７には円形状の開口部８が設けられている。
【００１４】
多層プリント配線板１の凹部４以外の部分において、最上層の配線３を含む最上層の絶縁基板２の上面全体にはソルダーレジスト等からなる上層オーバーコート膜９が設けられている。ここで、凹部４に対応する部分における上層オーバーコート膜９には、凹部４の上部を実質的に構成する開口部が設けられている。すなわち、凹部４は、実質的には、上側の４枚の絶縁基板２および上層オーバーコート膜９に設けられている。
【００１５】
凹部４内においてオーバーコート膜５上には半導体構成体１１が配置されている。この半導体構成体１１は、一般的にはＣＳＰ(chip size package)と呼ばれるものであり、平面方形状のシリコンからなる半導体基板１２を備えている。半導体基板１２の下面には、図示していないが、所定の機能の集積回路を構成する素子、例えば、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等の素子が形成されている。半導体基板１２の下面周辺部には、上記集積回路の各素子に接合されたアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド１３が設けられている。
【００１６】
接続パッド１３の中央部を除く半導体基板１２の下面には、詳細には図示していないが、パッシベーション膜および樹脂保護膜の２層からなる絶縁膜１４が設けられている。絶縁膜１４の下面には銅等からなる複数の配線１５が設けられている。配線１５の一端部は、絶縁膜１４に設けられた開口部を介して接続パッド１３に接合されており、他端部はランドとなっている。
【００１７】
配線１５のランド下面には銅からなる柱状の外部接続用電極１６が設けられている。配線１５を含む絶縁膜１４の下面において外部接続用電極１６の周囲にはシリカフィラーを含むエポキシ系樹脂等からなる封止膜１７が設けられている。ここで、外部接続用電極１６は、半導体基板１２の下面側に平面的に見てマトリクス状に配置されている。
【００１８】
そして、半導体構成体１１は、その外部接続用電極１６がオーバーコート膜５の開口部６を介して露出された配線３のランドに半田１８を介して接合されていることにより、凹部４内においてオーバーコート膜５上にフェースダウン方式で搭載されている。この状態では、半導体構成体１１の上面は上層オーバーコート膜９の上面よりも下側に位置している。
【００１９】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図３に示すように、多層プリント配線板１および半田印刷用の印刷マスク２１を準備する。この場合、多層プリント配線板１は、図２に示す完成された半導体装置を複数個形成することが可能な平面サイズを有するものからなっている。そして、図３において、符号３１で示す領域は格子状の切断ラインに対応する領域である。なお、図３において、図２に示す配線３は、図示の都合上、省略している。
【００２０】
多層プリント配線板１の上面側には複数の凹部４、４４がマトリクス状に設けられている。凹部４、４４の底面には開口部６を有するオーバーコート膜５が設けられている。多層プリント配線板１の下面には開口部８を有する下層オーバーコート膜７が設けられている。凹部４、４４の周囲における多層プリント配線板１の上面全体には上層オーバーコート膜９が設けられている。この場合も、凹部４、４４は、実質的には、上側の４枚の絶縁基板２および上層オーバーコート膜９に設けられている。
【００２１】
次に、印刷マスク２１について説明する。印刷マスク２１は、図４の平面図にも示すように、ステンレス鋼等からなる板状の印刷マスク本体（マスク本体）２２と、印刷マスク本体２２の複数の箇所にプレス加工等により凹むように設けられた皿状部（第１の凹部）２３と、皿状部２３の底板に設けられた複数の円形状の第１の開口部２４と、皿状部２３の底板の下面に設けられたウレタンゴム等からなる弾性変形可能な高さ調整膜２５と、皿状部２３の第１の開口部２４に対応する部分における高さ調整膜２５に設けられた円形状の第２の開口部２６とを備えたものからなっている。
【００２２】
高さ調整膜２５は、物体に荷重を加えると変形するが、除荷すれば元の形状に戻る性質を有する弾性変形可能であればよい。弾性変形は、応力が一定の値以下であれば、応力と歪は常に比例する。この時の比例定数は材料によって一定している。高さ調整膜２５としては、ウレタンゴム以外にも、アクリルゴム、ニトリルゴム、イソプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、
エピクロルヒドリンゴム、クロロプレンゴム、シリコーンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、フッ素ゴム、ポリイソブチレン（ブチルゴム）等が挙げられる。
【００２３】
この場合、印刷マスク２１の平面サイズは図３に示す多層プリント配線板１の平面サイズとほぼ同じとなっている。皿状部２３は凹部４、４４に対応する部分にマトリクス状に設けられ、その平面サイズは凹部４、４４の平面サイズよりもやや小さくなっている。第１、第２の開口部２４、２６はオーバーコート膜５の開口部６に対応する部分に設けられ、その平面サイズはオーバーコート膜５の開口部６の平面サイズと同じとなっている。
【００２４】
さて、図３に示すものを準備したら、次に、図５に示すように、凹部４、４４内におけるオーバーコート膜５の上面に印刷マスク２１の皿状部２３および高さ調整膜２５の部分を位置合わせして配置し、且つ、上層オーバーコート膜９の上面に印刷マスク２１の印刷マスク本体２２を配置する。この状態では、印刷マスク２１の第１、第２の開口部２４、２６はオーバーコート膜５の開口部６と一致させられている。
【００２５】
次に、図６に示すように、印刷ヘッド３２を準備する。この印刷ヘッド３２は、下側に帯状の吐出口３４を有するホッパー状の長尺なヘッド本体３３の内部にピストン３５が上下動可能に設けられたものからなっている。この場合、図６において、ヘッド本体３３の紙面に垂直な方向の長さは印刷マスク２１の紙面に垂直な方向の長さより長くなっている。そのため、印刷ヘッド３２を移動させても、印刷マスク２１の皿状部２３に落ちてしまうことはない。また、ヘッド本体３３内においてピストン３５の下方にはクリーム半田（金属接合材料）３６が充填されている。クリーム半田３６はフラックス中に多数の半田粒子が混入されたものからなっている。
【００２６】
そして、印刷ヘッド３２を印刷マスク２１の印刷マスク本体２２の上面に押し付けて図６の左側から右側に向かって移動させながらピストン３５に下降力が付与されると、印刷マスク２１の皿状部２３の部分において、ヘッド本体３３内のクリーム半田３６が吐出口３４から吐出され、この吐出されたクリーム半田３６が印刷マスク２１の皿状部２３の内部、印刷マスク２１の第１、第２の開口部２４、２６の内部およびオーバーコート膜５の開口部６の内部に供給される。
【００２７】
この場合、印刷マスク２１として、印刷マスク本体２２に凹むように設けられた皿状部２３の底板の下面に弾性変形可能な高さ調整膜２５が設けられたものを用いているので、多層プリント配線板１の凹部４の深さと多層プリント配線板１の別の凹部４４の深さにバラツキがあっても、印刷マスク２１の印刷マスク本体２２が印刷ヘッド３２によって押え付けられることに起因して生じる印刷マスク２１の高さ調整膜２５の弾性変形により、多層プリント配線板１の凹部４と別の凹部４４との深さの差のギャップを吸収することができ、したがって安定した半田印刷を行うことができる。
【００２８】
例えば、１００〜１２０ｍｍ角の多層プリント配線板１の凹部４は、平面視した大きさは４〜５ｍｍ角または約１０ｍｍ角であり、凹部４、４４の深さは１．０〜１．５ｍｍの範囲内のいずれかの値に設定される。このように一般には、同じ多層プリント配線板１であれば、複数の凹部を有していても、いずれの凹部の深さも同一の値に設定して形成するが、実際には±１０％の範囲内のばらつきが発生してしまう。従って、各凹部４、４４間に深さの差があったとしても、安定した半田印刷を行うため、印刷マスク２１の皿状部２３下の高さ調整膜２５がオーバーコート膜５と密着する必要がある。
【００２９】
仮に、凹部４の深さが別の凹部４４よりも深い場合、凹部４の位置に対応する印刷マスク２１の皿状部２３下の高さ調整膜２５は弾性変形しない。しかし、別の凹部４４の深さは凹部４の深さより浅いため、別の凹部４４の位置に対応する印刷マスク２１の皿状部２３下の高さ調整膜２５は弾性変形し、凹部４の深さと凹部４４の深さの差分を吸収する。
【００３０】
ここで、図６に示す多層プリント配線板１とは別の多層プリント配線板に対して半田印刷を行う場合には、絶縁基板の厚さのバラツキ等に起因して、別の多層プリント配線板の凹部の深さが図６に示す多層プリント配線板１の凹部４の深さと異なることがある。このような場合においても、印刷マスク２１の印刷マスク本体２２が印刷ヘッド３２によって押え付けられることに起因して生じる印刷マスク２１の高さ調整膜２５の弾性変形により、多層プリント配線板１の凹部４の深さと別の多層プリント配線板の凹部の深さとの差のギャップを吸収して、安定した半田印刷を行うことができる。
【００３１】
次に、印刷マスク２１を取り除くと、図７に示すように、オーバーコート膜５の開口部６内およびその上方に円柱形状のクリーム半田３６が形成される。次に、図８に示すように、円柱形状のクリーム半田３６上に半導体構成体１１の外部接続用電極１６を位置合わせして載置する。この状態では、クリーム半田３６中のフラックスがある程度の粘着性を有するので、半導体構成体１１は円柱形状のクリーム半田３６上に仮固定される。
【００３２】
次に、リフロー炉による加熱を行うと、例えば図２に示すように、クリーム半田３６中のフラックスが蒸発し、半導体構成体１１の外部接続用電極１６がオーバーコート膜５の開口部６内およびその上方に形成された、クリーム半田３６中の半田からなる半田１８を介してオーバーコート膜５下の配線３のランドに接合されることにより、凹部４内においてオーバーコート膜５上に半導体構成体１１がフェースダウン方式で搭載される。次に、多層プリント配線板１を切断ライン３１に沿って切断すると、図１および図２に示す半導体装置が複数個得られる。
【００３３】
ところで、図２を参照して説明すると、オーバーコート膜５下に設けられた絶縁基板２の上面には配線３が設けられているため、当該配線３（以下、単に配線３という）を含む当該絶縁基板２（以下、単に絶縁基板２という）の上面は凸凹となっている。このため、例えば、図９（Ａ）に示すように、配線３を含む絶縁基板２の上面に設けられたオーバーコート膜５の上面も凸凹となってしまう。しかも、この場合、オーバーコート膜５の最上面５ａの高さにバラツキが生じることがある。
【００３４】
このような場合においても、図９（Ｂ）に示すように、オーバーコート膜５上に印刷マスク２１の皿状部２３および高さ調整膜２５の部分を配置して半田印刷を行うと、印刷マスク２１の印刷マスク本体２２が印刷ヘッド３２によって押え付けられることに起因して生じる印刷マスク２１の高さ調整膜２５の弾性変形により、オーバーコート膜５の上面の凹部が高さ調整膜２５によって埋められ、且つ、オーバーコート膜５の最上面５ａの高さのバラツキ（実質的には１つの凹部４の深さのバラツキ）があるが、最上面５ａの高さのギャップの差が吸収され、印刷マスク２１の第１、第２の開口部２４、２５およびオーバーコート膜５の開口部６に対して安定した半田印刷を行うことができる。
【００３５】
なお、印刷マスク２１は１つの凹部４に対応するものであってもよい。すなわち、印刷マスク２１は、方形枠状の印刷マスク本体２２の内側に１つの皿状部２３が設けられ、皿状部２３の下面に高さ調整膜２５が設けられたものであってもよい。また、印刷マスク２１は、帯状の印刷マスク本体２２に複数の皿状部２３が直列に配置され、皿状部２３の下面に高さ調整膜２５が設けられたものであってもよい。
【００３６】
また、半導体構成体は上記構成の半導体構成体に限らず、例えば、半導体基板の下面に接続パッド（外部接続用電極）が設けられ、接続パッドの中央部を除く半導体基板の下面に絶縁膜が設けられたものであってもよい。また、多層プリント配線板１の最下層の配線３のランド下面に半田突起を設けるようにしてもよい。また、最上層の配線３のランドに対応する部分における上層オーバーコート膜８に開口部を設け、上層オーバーコート膜８上にコンデンサや抵抗等からなるチップ部品を最上層の配線３のランドに半田を介して接続させて搭載するようにしてもよい。
【００３７】
以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明は、これに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲を含むものである。以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
【００３８】
（付記）
請求項１に記載の発明は、底面に複数の第１の開口部が形成された第１の凹部を備えた板状のマスク本体と、前記第１の凹部の底面下に設けられ、前記第１の開口部に対応する部分に第２の開口部を有する高さ調整膜と、を備えていることを特徴とする印刷マスクである。
【００３９】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記高さ調整膜は弾性変形可能であり、ウレタンゴム、アクリルゴム、ニトリルゴム、イソプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、
エピクロルヒドリンゴム、クロロプレンゴム、シリコーンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、フッ素ゴム、ブチルゴムのいずれかを含み、
前記マスク本体に前記第１の凹部が複数設けられていることを特徴とする印刷マスクである。
【００４０】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記マスク本体に前記第１の凹部がマトリクス状に設けられていることを特徴とする印刷マスクである。
【００４１】
請求項４に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記マスク本体に前記第１の凹部が直列に設けられていることを特徴とする印刷マスクである。
【００４２】
請求項５に記載の発明は、底面に複数の第１の開口部が形成された第１の凹部を備えた板状のマスク本体と、前記第１の凹部の底面下に設けられ、前記第１の開口部に対応する部分に第２の開口部を有する高さ調整膜と、を備えている印刷マスクを準備し、
一方の面に第２の凹部を有する多層基板の前記第２の凹部の底面上に前記印刷マスクの前記第１の凹部が対応するように前記印刷マスクを配置し、
前記多層基板の前記第２の凹部内に露出された配線上に、前記印刷マスクの前記第１の開口部及び前記第２の開口部を介して金属接合材料を印刷することを特徴とする印刷方法である。
【００４３】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、前記高さ調整膜は弾性変形可能であり、ウレタンゴム、アクリルゴム、ニトリルゴム、イソプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、
エピクロルヒドリンゴム、クロロプレンゴム、シリコーンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、フッ素ゴム、ブチルゴムのいずれかを含み、
前記金属接合材料はクリーム半田であり、
前記多層基板のうち前記第２の凹部内に露出された配線を含む絶縁基板上に、前記印刷マスクの前記第１の開口部及び前記第２の開口部に対応する部分に開口部を有するオーバーコート膜が設けられ、前記印刷マスクの第１の開口部と前記第２の開口部および前記オーバーコート膜の開口部を介して前記多層基板のうち前記第２の凹部内に露出された前記配線のランド上に前記クリーム半田を印刷することを特徴とする印刷方法である。
【００４４】
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、前記クリーム半田の印刷は、帯状の吐出口を有する長尺な印刷ヘッドを前記マスク本体上に押し付けて移動させることにより行うことを特徴とする印刷方法である。
【００４５】
請求項８に記載の発明は、請求項５に記載の前記多層基板の前記第２の凹部内に、半導体基板及び前記半導体基板下に設けられた外部接続用電極を有する半導体構成体を配置し、
リフローを行うことにより、前記外部接続用電極が前記金属接合材料を介して前記多層基板の前記第２の凹部内に露出された配線に接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００４６】
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の発明において、前記多層基板は、当初、完成された半導体装置を複数個形成することが可能な面積を有し、その上面側に前記第２の凹部が複数設けられ、最終的には前記多層基板を切断して半導体装置を複数個得ることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００４７】
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の発明において、前記多層基板の前記一方の面に前記第２の凹部がマトリクス状に設けられ、前記印刷マスクは、前記マスク本体に前記第２の凹部がマトリクス状に設けられたものからなることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【符号の説明】
【００４８】
１ 多層プリント配線板（多層基板）
２ 絶縁基板
３ 配線
４ 凹部（第２の凹部）
５ オーバーコート膜
７ 下層オーバーコート膜
９ 上層オーバーコート膜
１１ 半導体構成体
１２ 半導体基板
１６ 外部接続用電極
１８ 半田
２１ 印刷マスク
２２ 印刷マスク本体（マスク本体）
２３ 皿状部（第１の凹部）
２４ 第１の開口部
２５ 高さ調整膜
２６ 第２の開口部
３６ クリーム半田（金属接合材料）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底面に複数の第１の開口部が形成された第１の凹部を備えた板状のマスク本体と、前記第１の凹部の底面下に設けられ、前記第１の開口部に対応する部分に第２の開口部を有する高さ調整膜と、を備えていることを特徴とする印刷マスク。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記高さ調整膜は弾性変形可能であり、ウレタンゴム、アクリルゴム、ニトリルゴム、イソプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、
エピクロルヒドリンゴム、クロロプレンゴム、シリコーンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、フッ素ゴム、ブチルゴムのいずれかを含み、
前記マスク本体に前記第１の凹部が複数設けられていることを特徴とする印刷マスク。
【請求項３】
請求項２に記載の発明において、前記マスク本体に前記第１の凹部がマトリクス状に設けられていることを特徴とする印刷マスク。
【請求項４】
請求項２に記載の発明において、前記マスク本体に前記第１の凹部が直列に設けられていることを特徴とする印刷マスク。
【請求項５】
底面に複数の第１の開口部が形成された第１の凹部を備えた板状のマスク本体と、前記第１の凹部の底面下に設けられ、前記第１の開口部に対応する部分に第２の開口部を有する高さ調整膜と、を備えている印刷マスクを準備し、
一方の面に第２の凹部を有する多層基板の前記第２の凹部の底面上に前記印刷マスクの前記第１の凹部が対応するように前記印刷マスクを配置し、
前記多層基板の前記第２の凹部内に露出された配線上に、前記印刷マスクの前記第１の開口部及び前記第２の開口部を介して金属接合材料を印刷することを特徴とする印刷方法。
【請求項６】
請求項５に記載の発明において、前記高さ調整膜は弾性変形可能であり、ウレタンゴム、アクリルゴム、ニトリルゴム、イソプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、
エピクロルヒドリンゴム、クロロプレンゴム、シリコーンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、フッ素ゴム、ブチルゴムのいずれかを含み、
前記金属接合材料はクリーム半田であり、
前記多層基板のうち前記第２の凹部内に露出された配線を含む絶縁基板上に、前記印刷マスクの前記第１の開口部及び前記第２の開口部に対応する部分に開口部を有するオーバーコート膜が設けられ、前記印刷マスクの第１の開口部と前記第２の開口部および前記オーバーコート膜の開口部を介して前記多層基板のうち前記第２の凹部内に露出された前記配線のランド上に前記クリーム半田を印刷することを特徴とする印刷方法。
【請求項７】
請求項６に記載の発明において、前記クリーム半田の印刷は、帯状の吐出口を有する長尺な印刷ヘッドを前記マスク本体上に押し付けて移動させることにより行うことを特徴とする印刷方法。
【請求項８】
請求項５に記載の前記多層基板の前記第２の凹部内に、半導体基板及び前記半導体基板下に設けられた外部接続用電極を有する半導体構成体を配置し、
リフローを行うことにより、前記外部接続用電極が前記金属接合材料を介して前記多層基板の前記第２の凹部内に露出された配線に接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の発明において、前記多層基板は、当初、完成された半導体装置を複数個形成することが可能な面積を有し、その上面側に前記第２の凹部が複数設けられ、最終的には前記多層基板を切断して半導体装置を複数個得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の発明において、前記多層基板の前記一方の面に前記第２の凹部がマトリクス状に設けられ、前記印刷マスクは、前記マスク本体に前記第２の凹部がマトリクス状に設けられたものからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
底面に複数の第１の開口部が形成された第１の凹部を備えた板状のマスク本体と、前記第１の凹部の底面下に設けられ、前記第１の開口部に対応する部分に第２の開口部を有する高さ調整膜と、を備えていることを特徴とする印刷マスク。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記高さ調整膜は弾性変形可能であり、ウレタンゴム、アクリルゴム、ニトリルゴム、イソプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、
エピクロルヒドリンゴム、クロロプレンゴム、シリコーンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、フッ素ゴム、ブチルゴムのいずれかを含み、
前記マスク本体に前記第１の凹部が複数設けられていることを特徴とする印刷マスク。
【請求項３】
請求項２に記載の発明において、前記マスク本体に前記第１の凹部がマトリクス状に設けられていることを特徴とする印刷マスク。
【請求項４】
請求項２に記載の発明において、前記マスク本体に前記第１の凹部が直列に設けられていることを特徴とする印刷マスク。
【請求項５】
底面に複数の第１の開口部が形成された第１の凹部を備えた板状のマスク本体と、前記第１の凹部の底面下に設けられ、前記第１の開口部に対応する部分に第２の開口部を有する高さ調整膜と、を備えている印刷マスクを準備し、
一方の面に第２の凹部を有する多層基板の前記第２の凹部の底面上に前記印刷マスクの前記第１の凹部が対応するように前記印刷マスクを配置し、
前記多層基板の前記第２の凹部内に露出された配線上に、前記印刷マスクの前記第１の開口部及び前記第２の開口部を介して金属接合材料を印刷することを特徴とする印刷方法。
【請求項６】
請求項５に記載の発明において、前記高さ調整膜は弾性変形可能であり、ウレタンゴム、アクリルゴム、ニトリルゴム、イソプレンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、
エピクロルヒドリンゴム、クロロプレンゴム、シリコーンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、フッ素ゴム、ブチルゴムのいずれかを含み、
前記金属接合材料はクリーム半田であり、
前記多層基板のうち前記第２の凹部内に露出された配線を含む絶縁基板上に、前記印刷マスクの前記第１の開口部及び前記第２の開口部に対応する部分に開口部を有するオーバーコート膜が設けられ、前記印刷マスクの第１の開口部と前記第２の開口部および前記オーバーコート膜の開口部を介して前記多層基板のうち前記第２の凹部内に露出された前記配線のランド上に前記クリーム半田を印刷することを特徴とする印刷方法。
【請求項７】
請求項６に記載の発明において、前記クリーム半田の印刷は、帯状の吐出口を有する長尺な印刷ヘッドを前記マスク本体上に押し付けて移動させることにより行うことを特徴とする印刷方法。
【請求項８】
請求項５に記載の前記多層基板の前記第２の凹部内に、半導体基板及び前記半導体基板下に設けられた外部接続用電極を有する半導体構成体を配置し、
リフローを行うことにより、前記外部接続用電極が前記金属接合材料を介して前記多層基板の前記第２の凹部内に露出された配線に接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の発明において、前記多層基板は、当初、完成された半導体装置を複数個形成することが可能な面積を有し、その上面側に前記第２の凹部が複数設けられ、最終的には前記多層基板を切断して半導体装置を複数個得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の発明において、前記多層基板の前記一方の面に前記第２の凹部がマトリクス状に設けられ、前記印刷マスクは、前記マスク本体に前記第２の凹部がマトリクス状に設けられたものからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１２−１８２３０７（Ｐ２０１２−１８２３０７Ａ）
【公開日】平成２４年９月２０日（２０１２．９．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−４４０９３（Ｐ２０１１−４４０９３）
【出願日】平成２３年３月１日（２０１１．３．１）
【出願人】（３１１０１４３１４）株式会社テラミクロス (42)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月２０日（２０１２．９．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月１日（２０１１．３．１）
【出願人】（３１１０１４３１４）株式会社テラミクロス (42)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]