【課題】 外部接続用電極の周囲を封止膜で覆ったＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、封止膜の上面側を研削するとき、外部接続用電極の上面にバリが発生しないようにする。
【解決手段】 メッキレジスト膜を用いた電解メッキにより外部接続用電極１０を形成した後に、サーフェスプレーナーを用いて全ての外部接続用電極１０の上部およびそれに対応するメッキレジスト膜の上面側を切って除去し、外部接続用電極１０の高さを揃える。この場合、外部接続用電極１０の上面にバリが発生することはない。次に、メッキレジスト膜を剥離し、封止膜１１を形成し、封止膜１１の上面側を研削し、外部接続用電極１０上に封止膜１１が僅か例えば厚さ数μｍ〜１０μｍ残るようにする。この場合、外部接続用電極１０の上部は研削しないため、外部接続用電極１０の上面にバリが発生することはない。次に、外部接続用電極１０の上面中央部に対応する部分における封止膜１１に、レーザビームを照射するレーザ加工により、開口部１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 アンダーフィル材を用いなくとも、柱状電極と半田端子との接合強度不足や、信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた複数の配線と、複数の配線上にそれぞれ接続された複数の半田端子と、複数の配線の少なくとも一部を覆う樹脂層と、を備えている。樹脂層上には、少なくとも半田端子の周囲を覆うオーバーコート膜が被膜され、隣接する半田端子間のオーバーコート膜の高さは、半田端子の高さよりも低い。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の強度を弱めずに、スルーホールの形成に要する時間を短縮できるようにする。
【解決手段】半導体ダイ１が、半導体基板１１と、半導体基板１１上に設けられた配線２３と、配線２３上に設けられたレーザー光防護電極２７と、を備える。半導体装置４０が、半導体ダイ１と、半導体ダイ１を覆い、レーザー光防護電極２７に対応する部分に設けられたスルーホール４３ａを有する封止層４３と、封止層４３のスルーホール４３ａ内に設けられた導体４４と、を備える。レーザー光防護電極２７の上面は、導体４４と接触する第一領域２７ｄと、導体４４と接触していない第二領域２７ｃと、を有する。 （もっと読む）

【課題】柱状電極の中心間隔を小さくしたとしてもレジスト残渣の発生を抑制することで、歩留まりを高める半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられ、ランドを有する配線と、ランド上に設けられた柱状電極とを備えている。柱状電極におけるランドに接触している面の形状は、３点以上の凸曲線からなる凸部２０ｂと、凸部のそれぞれを結ぶ凹曲線２０ｃからなる辺部とを有する。 （もっと読む）

【課題】 印刷された半田ペーストの直径を大きくしなくとも、半田ペーストの抜け性を向上させる。
【解決手段】 印刷装置はマスクを備える。このマスクは、円形の開口本体と、開口本体の周縁から外側に延びる少なくとも一つのスリットとを含む開口を備える。マスクのスリットの幅は、半田ペースト内に含まれる半田粒子の粒径よりも小さい値である。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の下面に樹脂からなる裏面保護膜が設けられた半導体装置の製造に際し、シリコン切削用のブレードの寿命が長くなるようにする。
【解決手段】ウエハ２１の下面に形成された樹脂からなる裏面保護膜３のダイシングストリート２２の幅方向中央部に対応する部分に、レーザーにより開口部２３を形成する。次に、樹脂切削用のブレード２７を用いて、ダイシングストリート２２およびその両側の樹脂からなる封止膜１３およびウエハ２１の上面側を切削して溝２８を形成する。次に、シリコン切削用のブレードを用いて、ダイシングストリート２２に対応する部分におけるウエハ２１および裏面保護膜３を切削する。この場合、シリコン切削用のブレードによる裏面保護膜３の切削は開口部２３の分だけ減少し、ブレードの目詰まりのリスクを低減し、ウエハの切削面のチッピング発生を抑えることができるとともに、ブレードの寿命を長くすることができる。 （もっと読む）

【課題】封止膜の材料を容易に選定することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に複数の接続端子１２が形成された半導体デバイスウェハ１０と、前記半導体デバイスウェハ１０の表面を覆うとともに前記接続端子１２を露出させる開口１４ａが設けられた第１絶縁膜１４と、前記第１絶縁膜１４上に形成され一端面が前記接続端子１２と接続された複数の再配線３０と、前記再配線３０の他端面上に形成された複数の柱状電極２１と、前記再配線３０の側面を被覆する第２絶縁膜１５と、前記再配線３０及び前記第２絶縁膜１５を封止するとともに前記柱状電極２１の表面を露出させる封止膜２２と、を備えることを特徴とする半導体装置１Ｂである。 （もっと読む）

【課題】配線の検査効率を向上させる。
【解決手段】複数の接続パッド１２が設けられた半導体デバイスウエハ１０と、半導体デバイスウエハ１０の接続パッド１２が設けられた面を被覆するとともに、接続パッド１２を露出させる開口１４ａが設けられた絶縁膜１４Ａと、開口１４ａから露出された接続パッド１２及び絶縁膜１４Ａの上部に設けられた配線１５Ａと、を備える半導体装置である。配線１５Ａは、無電解めっき用シード層１６Ａと、無電解めっき用シード層１６Ａを核とする無電解めっきにより形成される配線層１９Ａと、を含む。 （もっと読む）

【課題】配線間および配線と外部接続用電極との間にいわゆるイオンマイグレーションによるショートが発生しにくいようにすることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の周辺部上面、配線７を含む保護膜５の上面および外部接続用電極１０の外周面にはコーティング膜１１が設けられている。コーティング膜１１は、Ａｌ_２Ｏ_３およびＴｉ系無機物質によって形成された密着力向上膜１１ａと、該密着力向上膜の上面に形成された（Ｃ_１０Ｈ_４Ｆ_１７ＳｉＯ_２）_ｎを含む有機物質からなるフルオロカーボン膜１１ｂとの２層構造となっている。この２層構造のコーティング膜１１の膜厚は２〜１０ｎｍと比較的薄くすることができるので、配線７間および配線７と外部接続用電極１０との間にいわゆるイオンマイグレーションによるショートが発生しにくいようにすることができる上、より一層の薄型化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】配線のレイアウト設計の自由度が高く、電流リークを防止する。
【解決手段】複数の電極パッド１２、１２ncが設けられた半導体デバイスウエハ１０と、半導体デバイスウエハ１１の電極パッド１２、１２ncが設けられた面を被覆するとともに、一部の電極パッド１２を露出させる開口１４ａ、１４ｂが設けられた絶縁層１４と、開口１４ａ、１４ｂから露出された電極パッド１２及び絶縁層１４の上部に設けられた配線１５と、配線１５の端部に設けられた外部接続用電極２１と、を備える半導体装置１である。絶縁層１４は、少なくとも露出されていない電極パッド１２ncの上部において、複数の絶縁膜１４Ａ、１４Ｂを積層してなる。 （もっと読む）