【課題】 小規模な回路構成であるにも拘わらず、Ｘ、Ｙ及びＺ軸方向といった３次元方向の正確な加速度を検出できる３軸加速度センサ及びそのＺ軸依存性の補正方法を提供する。
【解決手段】 Ｘ軸方向に配置された一対の静電容量素子Ｃx+及びＣx-の容量比に基づいてＸ軸方向の加速度を検出する第１スイッチトキャパシタ回路４１と、Ｙ軸方向に配置された一対の静電容量素子Ｃy+及びＣy-の容量比に基づいてＹ軸方向の加速度を検出する第２スイッチトキャパシタ回路４２と、Ｚ軸方向に配置された静電容量素子Ｃzと基準容量を有する静電容量素子Ｃrefの容量比に基づいてＺ軸方向の加速度を検出する第３スイッチトキャパシタ回路４３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 十分なストロークおよび良好なクリック感をもったＯＮ／ＯＦＦ操作が可能で、かつ、押圧力として与えた操作量の大きさを検出できる安価なスイッチを提供する。
【解決手段】 電極パターンＥ１〜Ｅ３を有するプリント基板１１０上に、金属板からなる中間変位板１２０を配置し、その上に、シリコンゴムからなる起歪体１３０を配置し、取付具１４０で固定する。操作ボタン１５０を押下すると、接続部１３２が撓み、電極Ｆ０が電極Ｅ１，Ｅ２に接触して導通状態となりＯＮになる。操作ボタン１５０を更に押下すると、弾性変形部１３４が弾性変形して押し潰され、中間変位板１２０が押し下げられる。電極Ｅ３と中間変位板１２０とによって構成される容量素子Ｃの静電容量値は、中間変位板１２０の押し下げ量に応じて変化するので、押圧力の大きさが検出できる。 （もっと読む）

【課題】 小型のセンサを量産する。
【解決手段】 シリコンからなる下層部１１０Ａと、ＳｉＯ_２からなる中層部１２０と、シリコンからなる上層部１３０との三層構造からなる第１の基板１００を用意する。下層部１１０Ａには、不純物がドープされており導電性を有する。下層部１１０の下面をエッチングして、ダイヤフラム部１１２と台座部１１１とを形成し、その下に、ガラスからなる第２の基板２００を接合する。第２の基板２００上の電極Ｅと、ダイヤフラム部１１２とにより容量素子が形成される。上層部１３０の上面側からダイシングブレードにより溝Ｇ１１〜Ｇ１７を切削した後、溝の底部を、下層部１１０Ａの上面が露出するまでエッチングにより掘り下げる。単位領域Ｕ１，Ｕ２を切り離すと、ダイヤフラム部１１２の中央に重錘体１３１が位置し、周囲に台座１３２が形成された構造が得られる。容量素子に代えてピエゾ抵抗素子を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】 角速度検出のための信号処理を単純化する。
【解決手段】 可撓性をもった変位基板１１０と剛性をもった固定基板１２０とを対向させて装置筐体１４０で支持する。変位基板１１０に振動子１３０を固着する。電極Ｅ１５／Ｅ２５間に交流駆動信号を与え、クーロン力を利用して、振動子１３０を上下に振動させる。電極Ｅ１１／Ｅ２１により容量素子Ｃ１を、電極Ｅ１２／Ｅ２２により容量素子Ｃ２を構成し、容量素子Ｃ１を用いたＣＲ遅延回路と容量素子Ｃ２を用いたＣＲ遅延回路に、それぞれ位相の異なる周期信号を与え、遅延後の両周期信号の位相差をＸＯＲ回路で検出する。角速度ωｙが作用すると、コリオリ力＋Ｆｘにより変位基板１１０が傾斜し、両遅延回路の遅延時間に差が生じて位相差が変化する。位相差の変化態様により角速度ωｙを検出する。 （もっと読む）