【課題】携帯端末でパケット・フィルタリングを通じて電力消耗を低減させるための装置及びその方法を提供する。
【解決手段】スリープ・モードに進入したアプリケーション処理部が不要なパケットによってウェイク・アップすることを防止するために、モデム部でパケットをフィルタリングさせ、自身が必要とするパケットに対するリストをパケット確認部に提供するアプリケーション処理部と、アプリケーション処理部から提供されたリストに含まれたパケットのみをフィルタリングして、リストに含まれたパケットをアプリケーション処理部に提供するパケット確認部とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】内部高電源電圧を利用して希望の動作をうまく行える半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】セルフリフレッシュ動作モードで内部の高電源電圧を使用する半導体メモリ装置及びその高電源電圧の印加方法が開示される。
複数のメモリバンクからなるメモリセルアレイを具備した半導体メモリ装置を動作させるために高電源電圧を印加する方法は、半導体メモリ装置の動作モードによって区別され得る。セルフリフレッシュ動作と同一である特定動作モードで外部の高電源電圧を受ける必要なく、内部から生成された高電源電圧を受けてメモリバンク別、またはメモリバンクグループ別にセルフリフレッシュを行う方法によれば、高電源電圧発生器のパンピング効率低下の発生無し、動作に必要な高電源電圧が安定的に印加される。 （もっと読む）

【課題】表現可能な全階調の中で上位階調のガンマ歪曲が除去できる第１のフレームレート制御方法を提供する。
【解決手段】フレームレート制御方法は、入力される２進ｎビットの階調値で構成されるＲＧＢデータを、ｅビット（ｅ≧ｎ＋１）に拡張し、連続する２^ｄ個のフレーム内に、拡張ＲＧＢデータの下位ｄビットを除いた上位（ｅ−ｄ）ビットが示す階調データとその直上位階調データの発生頻度が調整されるようにフレームデータを変換し、２^ｄ個のフレームデータの中で最初半分であるノーマルフレームと、各フレームの画素配置を垂直方向に変えて得られる残り半分のフレームであるプラスフレームとを、毎フレームごとに互いに交互に表示されるようにフレームデータを再配置することを、各単位画素ブロック内においてＲＧＢデータの下位ｄビットを除いた上位（ｅ−ｄ）ビットが示す階調データとその直上位階調データの発生頻度が空間的に調整されるように配置する。 （もっと読む）

【課題】所定の整列関係を有する単位セルを含む半導体セル構造物を提供すること。
【解決手段】単位セルは、活性領域１４、１８、２４、２８、ゲートパターン３２、３４、３６、３８、ダミーパターン４２、４４、４６、４８、及び導電パターン９４を有する。ゲートパターン３２、３４、３６、３８は活性領域１４、１８、２４、２８と交差する。ダミーパターン４２、４４、４６、４８は単位セルを電気的に接続する。選択された単位セル内のダミーパターン４２、４４、４６、４８は、選択された単位セル内のゲートパターン３２、３４、３６、３８との間に対角的に配置される。導電パターン９４はダミーパターン４２、４４、４６、４８と電気的に接続する。これにより、半導体セル構造物は、行及び列に沿って互い突出しない単位セルを有することができる。上述した半導体セル構造物は半導体装置及び半導体モジュールに配置される。 （もっと読む）

【課題】自動で受信器のパワーダウンを検出する送信器及びそれを含むシステムを提供する。
【解決手段】本発明によるＴＭＤＳシステムの送信器は、電流ソースと、電流ソースに連結され、電流ソースの電流をスイッチングするためのスイッチ対と、電流ソース及びスイッチ対を連結するノードである連結ノードに発生する電位をモニタリングするモニタリングユニットと、を含む。スイッチ対は、それぞれ第１ライン及び第２ラインを通じてＴＭＤＳシステムの受信器に連結され、モニタリングユニットは、受信器に印加されるパワーサプライ電源電圧及びスイッチング対の電流スイッチングに基づいて、連結ノードに発生する電位をモニタリングする。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリ装置及びそれのプログラム方法を提供する。
【解決手段】ここに提供されるフラッシュメモリ装置のプログラム方法は、選択されたワードラインのメモリセルをプログラムする段階と、検証動作を実行して前記選択されたワードラインのメモリセルのスレッショルド電圧が目標状態の検証レベルと同一であるか、または高いかを判別する段階とを含み、前記目標状態の各々と関連する前記検証動作の開始点は前記目標状態より前に行われた初期状態のプログラミングの間最初に検出された少なくとも１つのパスビットの位置に基づいて決定され、前記目標状態の各々と関連する前記検証動作の終了点は前記目標状態のうちで最下位目標状態のパス情報に基づいて決定される。 （もっと読む）

【課題】バルクシリコン基板を使用する変調器を提供する。
【解決手段】所定の幅及び所定の深さにエッチングされたトレンチを備えるバルクシリコン基板２８１と、バルクシリコン基板２８１のトレンチに形成される下部クラッド層２８０と、下部クラッド層２８０上に形成される複数個の導波路２１０，２３０，２４０，２６０と、下部クラッド層２８０上に形成され、導波路２３０の屈折率を変調して、導波路２３０を通過する光信号の位相を変調する位相変調部２７０と、複数個の導波路２１０，２３０，２４０，２６０及び位相変調部２７０上に形成される上部クラッド層と、を備える変調器２００である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、その上に形成されるソース・ドレイン電極が均一で良好なステップカバレッジを有するように、酸化物半導体パターン上の第１絶縁膜パターンの周縁部の急傾斜を緩和して信頼性が向上した酸化物半導体薄膜トランジスター及びその形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスターは、ゲート電極、酸化物半導体パターン、前記ゲート電極と前記酸化物半導体パターンとの間に介在した第１ゲート絶縁膜パターン、前記酸化物半導体パターンと電気的に連結して互いに離隔して位置するソース・ドレイン電極、及び前記ソース・ドレイン電極と前記酸化物半導体パターンとの間に位置する前記第１ゲート絶縁膜パターンと部分的に接し、階段状の外郭部によって囲まれた第１絶縁膜パターンを含む。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリ装置及びその読み出し方法を提供する。
【解決手段】本発明のフラッシュメモリ装置は、複数のメモリセルで構成されたメモリセルアレイと、複数のメモリセルに対する読み出し動作を制御する制御ロジックと、制御ロジックの制御に応答して、選択された複数のメモリセルの各々から硬判定データ及び複数の軟判定データを感知し、感知された硬判定データ及び複数の軟判定データを読み出し結果として出力するページバッファ回路と、制御ロジックの制御に応答して、硬判定データ及び複数の軟判定データを読み出すための複数の読み出し電圧を発生する電圧発生回路とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の微細パターン形成方法はパターン対象層上に多数の第１感光膜パターンを形成しＳ１００、パターン対象層および多数の第１感光膜パターン上に境界膜を形成しＳ１１０、境界膜上に平坦化膜を形成しＳ１２０、平坦化膜上に多数の第２感光膜パターンを形成しＳ１３０、多数の第２感光膜パターンを利用して多数の平坦化膜パターンを形成しＳ１４０、多数の平坦化膜パターンおよび多数の第１感光膜パターンを利用して多数のパターン対象層パターンを形成するＳ１５０ことを含む。 （もっと読む）