本発明は、自動車に組み付けるためのワイパ装置（１）であって、少なくとも駆動モータと、駆動モータによって駆動される少なくとも１つのワイパシャフト（４）を備えたワイパ装置（１）に関する。本発明によれば、有利には、ワイパ装置（１）には前位置決め手段（１５）が設けられていて、前位置決め手段（１５）によって自動車ボディ及び／又は自動車ボディに固定された構成部材（９）との形状接続が形成可能である。
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いわゆるレーザ点火のレーザ装置が提案され、ここでは燃焼室窓（５８）とケーシング（３８）との間の熱排出が改善されており、さらには簡単な変更によって燃焼室窓の冷却性ないし温度を調節することができる。
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本発明は、回転可能なボディの回転方向および／または回転速度に対応付けることが可能でありかつセンサによって出力される正弦波信号（ｙ）および余弦波信号（ｘ）に基づいて、回転可能なボディの回転方向および／または回転速度ωを決定する方法および装置に関し、これは以下のステップのうちの少なくとも１つを有する。すなわち、上記の回転方向および／または回転速度に対応付けることの可能な正弦波信号（ｙ₀）および余弦波信号（ｘ₀）を時点ｔ₀に記録するステップと、上記の正弦波信号（ｙ₀）および余弦波信号（ｘ₀）から位相値φ₀を決定するステップと、上記の回転方向および／または回転速度に対応付けることの可能な正弦波信号（ｙ_i）および余弦波信号（ｘ_i）を時点ｔ_iに記録するステップと、相応する正弦波信号（ｙ_i）および余弦波信号（ｘ_i）から位相値φ_iを決定するステップと、上記の位相値φ_iと位相値φ₀とから位相差Δφ_iを形成するステップと、この位相差Δφ_iからバーニヤ方式に基づいて回転方向および／または回転速度ωを決定するステップとを有する。
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【課題】マイクロマシニング構成素子の機能欠陥を招く大きな圧力負荷及び剪断力を吸収するための機械的に安定した接触部を提供する。
【解決手段】第１のウェハである機能層２と、それに対応する第２のウェハであるキャップウェハ３とにおいて、機能層２の機能範囲５を取り囲むように、機能層２に設けた溝６と、キャップウェハ３に設けたピン構造７とが勘合している。 （もっと読む）

ゴム材料を被覆するため、特にウインドウワイパーのワイパーブレードのための、樹脂成分（Ａ）および充填剤成分（Ｂ）を含有する減摩塗料であって、樹脂成分（Ａ）はポリアクリレートおよび／またはポリエステルを含有しており、かつ充填剤成分（Ｂ）は少なくとも部分的にグラファイトから形成されている減摩塗料を記載する。 （もっと読む）

本発明は、電気機器（２）用のカーボンブラシ装置（１）であって、少なくとも２つのカーボンブラシ（３）が設けられていて、これらのカーボンブラシが軸方向で互いに並んで配置されていて、回転可能な対応接触装置（６）と共働する形式のものに関する。このようなカーボンブラシ装置において本発明の構成では、カーボンブラシ（３）が、直に又は間接的に軸方向において相互に支持し合うカーボンブラシ（３）として形成されている。
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本発明は、約２０Ｖの降伏電圧を有するツェナーダイオードとして自動車ジェネレータシステムにおける使用に適している、クリップ素子としてのサブストレートＰＮダイオードが集積されているトレンチＭＯＳバリア・ショットキー・ダイオード（ＴＭＢＳ−Ｓｕｂ−ＰＮ）を備えた半導体装置に関する。ＴＭＢＳ−Ｓｕｂ−ＰＮは、ショットキーダイオードとＭＯＳ構造体とサブストレートＰＮダイオードとの組み合わせから較正されており、サブストレートＰＮダイオードの降伏電圧（ＢＶ＿ｐｎ）はショットキーダイオードの降伏電圧（ＢＶ＿ｓｃｈｏｔｔｋｙ）およびＭＯＳ構造体の降伏電圧（ＢＶ＿ｍｏｓ）より低い。
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【課題】成層モードにおいても混合気組成が正確に決定され、トルク誤差が回避されるようにする。
【解決手段】燃料が燃焼室（１２）に直接噴射され、少なくとも一時的に成層モード（Ｓ１）が実施される、内燃機関（１０）の動作のための方法において、
前記成層モード（Ｓ１）においてビルドアップ時間の後で実際回転数（ｎ＿ｉｓｔ）と目標回転数（ｎ＿ｓｏｌｌ）との間の回転数差が検出され、
混合気適応（５４）が前記差に依存して、回転数閉ループ制御部（５２）の閉ループ制御量（Ｉ）に基づいて間接的に実施されるか、または前記混合気適応は直接的に実施されることを特徴とする、内燃機関（１０）の動作のための方法。 （もっと読む）

本発明は、工作機械（１０）における使用状況を識別するための識別ユニット（３２）を備えた工作機械安全装置に関している。本発明によれば、前記識別ユニット（３２）が、第１の安全監視領域（３６）を監視するための画像検出ユニット（３４）と、該画像検出ユニット（３４）とは異なる第２の安全領域（４０）を監視するためのセンサユニット（３８）を含んでいることを特徴としている。
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本発明は、高濃度ｎドープシリコン基板（１）と第１のｎ型シリコンエピタキシャル層（２２）とから成る半導体装置であって、第１のｎ型シリコンエピタキシャル層（２２）は高濃度ｎドープシリコン基板（１）に直に接しており、ｐドープＳｉＧｅ層（３）が第２のｎ型シリコンエピタキシャル層（１２）に接し、ヘテロ接合ダイオードを形成しており、ヘテロ接合ダイオードは第１のｎ型シリコンエピタキシャル層（２２）の上にあり、ヘテロ接合ダイオードにおいてｐｎ接合はｐドープＳｉＧｅ層（３）の内部にある。第１のｎ型シリコンエピタキシャル層（２２）は第２のｎ型シリコンエピタキシャル層（１２）よりも高いドーパント濃度を有している。２つのｎ型シリコンエピタキシャル層の間には少なくとも１つのｐドープエミッタウェル（９）があって、埋め込みエミッタを形成しており、第１のｎ型シリコンエピタキシャル層（２２）と第２のｎ型シリコンエピタキシャル層（１２）とへのｐｎ接合が形成されており、少なくとも１つのエミッタウェル（９）は２つのエピタキシャル層によって完全に包囲されている。
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