【課題】半導体分野、液晶分野での半導体基板表面あるいは液晶基板表面への酸化膜形成工程に係る分野であって、酸化膜形成と酸化膜形成に使用される超高純度薬剤の再生方法とを提供する。
【解決手段】半導体基板表面への酸化膜形成工程あるいは液晶基板表面への酸化膜形成工程とそれに使用する超高純度薬剤の硝酸の前記酸化膜形成工程での使用済み硝酸の再生工程とにおいて、前記使用済み硝酸に溶解・溶出した基板成分の除去処理と再使用する超高純度硝酸の精製処理とを含む気化・冷却方式の蒸留工程を備え、酸化膜形成工程と使用薬剤を再生する工程とが一体のクローズドシステムで使用済み薬剤の連続精製回収することで、薬剤の消費軽減と持続的な酸化膜形成とを一体的に行い、高性能な化学酸化膜の形成に寄与すると同時に、環境課題の削減ないしは解消をも可能にする。 （もっと読む）

【課題】患者が使用する寝具内での患者の気流負荷を減少させ、寝具外への臭気の拡散を防止する。
【解決手段】寝具は臭気不透過性カバーで覆われ、寝具上方より送風通路１１より送気され寝具内の患者の上下に設置されたスポンジ状気流減速整流板３で減速整流して寝具下方に設けられた臭気処理用空気貯溜槽４に溜められ、空気通路で送風機又は圧縮機６、紫外線ランプ７、光触媒８、活性炭９を内蔵する脱臭器５を介して大部分の処理空気は循環通路１０で臭気処理用空気貯溜槽４へ返送され循環処理される、処理空気の一部が温度調整器１２を介して送気通路１１より送気される寝具等の脱臭方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体用基体上または液晶用基板上等のレジスト膜等の有機被膜を炭酸エチレン溶液または炭酸エチレン溶液、炭酸プロピレン溶液の混合溶液である炭酸アルキレン溶液を洗浄液として使用後の使用済洗浄液を再結晶化させて再生させる手段を提供すること。
【解決手段】使用済炭酸エチレン溶液または炭酸アルキレン溶液の洗浄液から高純度の炭酸エチレン結晶を再結晶化させる手段において、一方を冷却部とし、他方を加熱部とすることにより高純度の炭酸エチレン結晶を再生させることを特徴とする結晶化再生装置。 （もっと読む）

【課題】人体・ペット動物用、植物用、水棲動物水槽用、生鮮食品・生菓子保存用などの保温剤としての経済的の安価で、保温性の保持がよく、環境にやさしい蓄冷蓄熱媒体組成物を提供する。
【解決手段】炭酸エチレン（１，３−Ｄｉｏｘｏｌａｎ−２−ｏｎｅ）を主成分とし、これに３６．４℃以上では任意の割合で溶解しあい、その混合液を冷却するとほぼ定温で主成分の固化が進行していくような物質を少量成分として付加した蓄冷蓄熱媒体物質である。該当する付加物は純物質としては水、エチレングリコール、エタノールがあり、さらに、これら液体の溶媒としての活動度を減少させる物質（例えば水の場合のショ糖）を加えて保持温度設定が容易となり、又保持効率の優れた物質が得られる。 （もっと読む）

【課題】 製造工程中でイオン注入等で損傷を受けてフォトレジスト等の上層部が変質硬化した有機被膜であっても、変質を受けていないフォトレジスト共々、大きな剥離速度で除去でき、環境面でも問題なく、経済的にも安価な、有機被膜の除去方法及び除去剤を提供する。
【解決手段】
表面に有機被膜が付着した基体から該有機被膜を除去する方法であって、
（１）炭酸エチレン結晶粉末を用いてＣＭＰ（化学的機械研磨）処理を行う工程と、
（２）炭酸アレキレン溶液により剥離洗浄処理する工程と
を有する前記有機被膜の除去方法、並びに
有機被膜が付着した基体から該有機被膜を除去する除去剤であって、
（Ａ）炭酸エチレン結晶粉末と、
（Ｂ）炭酸エチレン溶液単体及び／あるいは炭酸エチレン溶液と炭酸プロピレン溶液の混合液を主成分とする炭酸アルキレン溶液と
を有する前記有機被膜の除去剤。 （もっと読む）

【課題】高濃度イオン注入で硬化変質したレジスト膜すら室温で除去することができ、炭酸エチレン（ＥＣ）処理並みの環境へのやさしさとオゾン再生を用いた多数回繰返し処理能力とを備えた、基板表面上の有機系付着物の除去用処理液と処理方法と除去装置とを提供する。
【解決手段】（１）表面に有機系付着物を有する基体に、重量比８５／１５〜５５／４５のＥＣとγ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）とからなる混合溶媒を含む処理液を接触させて、前記付着物を剥離することを特徴とする基体表面上の有機系付着物の除去方法。
（２）前記混合溶媒とオゾンとの反応生成物及び前記有機系付着物とオゾンとの反応生成物を合計で０〜５重量％含み、残余は前記混合溶媒であることを特徴とする前記有機系付着物の除去用処理液。
（３）処理液導入手段と、付着物接触手段と、処理液循環手段と、オゾン含有ガス接触手段とを有することを特徴とする前記有機系付着物の除去装置。 （もっと読む）

【課題】分析対象の元素を小液滴に濃縮して分析用試料板上で蒸発乾固し、全反射蛍光Ｘ線分析を行なう高感度化に関して、試料板由来のＳｉエネルギーピークを避けるために使用する高温でのガス処理純化を経たアモルファスカーボンウェーハ試料板の清浄度をさらに向上させ、半導体用高純度シリコンウェーハのレベルまで純化することを課題としている。
【解決手段】純化対象のアモルファスカーボンウェーハを三酸化二ホウ素ガラスの熔融液に接触させて、該ウェーハの表面並びに表面近くの浅い層にある分析を妨害する元素を液に吸出させ、冷却後加熱した超純水でリンスして純化し、分析面を疎水性化する。要すれば酸化性処理液で該純化ウェーハを洗浄して表面を一旦親水性化し、これに対して再度前記の熔融液の接触による純化を追加する。 （もっと読む）

【構成】半導体シリコンウェーハの洗浄方法であって、アルカリ・過酸化水素・水より成る洗浄液に、0.１乃至１００ppm のコンプレクサン或いはそのカルボン酸基配位子を他の酸基で置換したキレート化剤を添加してシリコンウェーハの洗浄を行い、次いで１ppm 以上のフッ酸が添加された水を用いてリンスを行なうことを特徴とする。
【効果】最小でも６槽の洗浄槽乃至リンス槽を必要としたＲＣＡ処理の洗浄システムに対し、基本的に僅か２槽で全洗浄システムを構成することができ、装置価格、装置所要面積、稼働経費の点ではるかに有利となる。 （もっと読む）

【構成】半導体の表面を無機又は有機のアルカリ、過酸化水素及び水を主たる構成成分とする半導体表面処理剤で洗浄する工程と、洗浄後これを超純水でリンスする工程とから成る半導体表面処理方法であって、半導体表面処理剤とリンス用超純水の少くとも何れか一方に、分子中にホスホン酸基又はその塩を１以上有するキレ−ト剤又はそれらの酸化体、又は縮合リン酸又はその塩（以下、これらを総称して、単に「本発明に係る錯化剤」と略記する。）を存在させて該処理を行う方法、及び処理用薬剤。
【効果】本発明に係る錯化剤を半導体表面処理工程に於ける処理剤又はリンス液中に有機物汚染の害を及ぼさない程度の微量添加することにより、再結合ライフタイム低下とか酸化膜対圧低下等の電気的特性上の問題を起こさない表面不純物濃度まで、有害不純物の吸着を抑制することができ、また有害不純物に対する洗浄能力を向上させることが出来る。 （もっと読む）