高い最大ガス流量を有し且つガス流量の微細な制御を行える弁システムは、ガス流路を通してのガスの流れを阻止するための弁ハウジングと、第１の弧状側壁部を有する前記ハウジングを通しての大面積開口及び第２の弧状側壁部を有する前記ハウジングを通しての小面積開口と、前記大面積及び小面積開口の各々において、前記第１及び第２の弧状側壁部と各々一致し且つ各々第１及び第２の弁ギャップを間に画成する弧状縁部を有する個々の大面積及び小面積回転弁フラップとを含む。上記第１及び第２の弁ギャップは、前記弁ハウジングの一方の側におけるガスの流れを所定の圧力限界まで阻止し、それにより、Ｏリングの必要性をなくすに十分なほど小さい。 （もっと読む）

半導体ウエハ処理システム（４０）は、大気圧で動作し複数のウエハカセットを取り付ける工場インターフェース（２６）を含み、更に、フレーム（１６）に取り付けられ工場インターフェースにそれぞれのスリット弁を通して接続される複数のウエハ処理チャンバ（４２、４４）を含む。工場インターフェースにおけるロボットにより、カセットと処理チャンバとの間にウエハ（３２）を移送することができる。処理チャンバのうちの少なくとも１つは、減圧状態で動作でき、フレームに取り付けられた真空ポンプ（４６）によって排気される。その処理チャンバは、ウインドー（６０）を通して処理空間（１００）を照射するランプ（６６）のアレイを含む急速熱処理チャンバ（５２）であることができる。ランプヘッドは、処理空間の圧力とほぼ同じ圧力まで真空排気される。マルチステッププロセスは、異なる圧力で行うことができる。本発明は、また、スリット弁の外側に不活性ガスを流し込み（２１０）、開放されたスリット（２０６）の外側にガスカーテンを形成して毒性処理ガスの流出を阻止することができるようにする、熱処理チャンバのウエハアクセスポート（２０２）を含む。 （もっと読む）

システムスループットを増加させ、システムの信頼性を増加させ、装置歩留まり性能を向上させ、ウェーハ処理履歴をより繰り返し可能にし、フットプリントを減少させるマルチチャンバ処理システムを使用して、基板を処理する方法および機器である。クラスタツールの様々な実施形態は、所望の処理シーケンスを実行できるように、処理ラック内に維持された様々な処理チャンバ間で基板を移送する、平行処理構成にて構成された２つ以上のロボットを利用することができる。１つの態様では、平行処理構成は、処理ラック内に維持されている様々な処理チャンバにアクセスするために垂直および水平方向へ移動するように適合された、２つ以上のロボットアセンブリを含有している。一実施形態では、ロボットブレードは、移送処理中に基板が経験する加速によってロボットブレード上での基板の位置が変更しないよう、基板を拘束するように適合されている。 （もっと読む）

加工物を処理するためのリアクタ内で用いられるリフトピンアセンブリには、リフト方向とほぼ平行に伸長する複数のリフトピンが含まれ、複数のリフトピンのそれぞれは加工物を支持するための最上端と最下端とを有する。リフトテーブルは、ピンの最下端に面し、リフト方向とほぼ平行な方向に移動する。小さい力検出器は、チャックされたウエハを示すのに十分に大きく且つウエハのチャック開放を回避するのに十分に小さいリフトピンによって加えられる力を感知する。大きい力検出器は、ウエハをチャック開放するのに十分な範囲でリフトピンによって加えられる力を感知する。 （もっと読む）

一態様では、基板の縁部を洗浄する装置が提供される。該装置は（１）基板の縁部に接触して、かつ該基板を回転させるように適合された第１の直径の１つ以上のローラと、（２）該基板の縁部に接触して、かつ該基板の該縁部を洗浄するように適合された該第１の直径よりも大きな第２の直径の１つ以上のローラとを含む。該第１の直径の該１つ以上のローラおよび該第２の直径の該１つ以上のローラは、実質的に同一スピードで回転するように適合されてもよい。多数の他の態様も提供される。 （もっと読む）

一実施形態において、本発明は、第１軸運動に沿って位置決め可能なキャリッジと、上記キャリッジに結合され、第１軸運動と実質的に直交して向けられた第２軸運動に沿って上記キャリッジに関し位置決め可能な第１基板グリッパと、上記キャリッジに結合され、上記第２軸運動に対し実質的に平行に向けられた第３軸運動に沿って上記キャリッジに関し位置決め可能な第２基板グリッパと、を備える基板ハンドラであって、上記第２グリッパは、第１グリッパに関し独立して移動可能である、上記基板ハンドラを提供する。
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第１のレーザソース（４０）、例えば、１０．６μｍで放出するＣＯ_２レーザが、ラインビーム（４８）としてシリコンウェーハ（２０）上に集束され、第２のレーザソース（２６）、例えば、８０８ｎｍで放出するＧａＡｓレーザバーが、該ラインビームを取り囲むより大きなビーム（３４）として該ウェーハ上に集束される熱処理装置及び方法。該２つのビームは、該ラインビームの狭い寸法方向に同期して走査され（２４、２２）、該より大きなビームによって活性化されたときに、該ラインビームから狭い加熱パルスを生じさせる。ＧａＡｓ放射のエネルギは、シリコンバンドギャップエネルギよりも大きく、自由キャリアを生じさせる。ＣＯ_２放射のエネルギは、シリコンバンドギャップエネルギよりも小さいため、シリコンは、そうでなければ該放射に対して透過性であるが、長い波長の放射は、自由キャリアによって吸収される。 （もっと読む）

処理槽における局所研磨および堆積制御のための方法および装置が一般的に提供される。一実施形態では、基板を電気化学的に処理するための装置が提供され、処理面積にわたって電気的バイアス輪郭を制御することで基板の別々の導電部分を選択的に研磨し、それによって、基板における２つ以上の導電部分の間の処理速度を制御する。 （もっと読む）

半球粒状シリコン層とナノ結晶粒サイズのポリシリコン層を堆積させる方法が提供される。半球粒状シリコン層とナノ結晶粒サイズのポリシリコン層は、単一基板化学気相堆積チャンバ内で堆積される。半球粒状シリコン層とナノ結晶粒サイズのポリシリコン層は、半導体デバイスにおいて電極層として用いることができる。一態様において、二ステップ堆積プロセスは、粗さが減少したナノ結晶粒サイズのポリシリコン層を形成するために提供される。 （もっと読む）

【課題】イオン注入において、基板の異なる部分が、注入プロセス中に異なるレシピに従って異なる線量を受けることを可能にする、イオンビームを使用して基板に注入する方法を提供する。
【解決手段】注入方法に関し、第１の方向に延びる一連の走査線に沿って基板に対してイオンビームを走査するステップと、該基板と該イオンビーム間の相対的な回転をもたらすステップと、異なる方向に一連の第２の走査線に沿って該イオンビームを走査するステップとを備えている。注入レシピは、異なる領域が各走査ステップ中に生成されるように、各方向の走査中に変化される。該２つの走査ステップ中にこのように形成された領域は、該基板の異なる部分が、注入プロセス中に異なるレシピに従って異なる線量を受け取るように重複する。該異なるレシピは、異なるドーパント濃度、ドーピング深さ、または異なるドーパント種をも生じることがある。 （もっと読む）