インクジェット印刷のための方法及びシステムは、１つ以上のインクジェットヘッドがその上に配置され、第１軸に沿って移動するように構成されたインクジェット印刷モジュール支持体（１６０）を含む。基板ステージ（１３０）は第１軸に直交する第２軸に沿って移動するように構成されている。ステージ（１３０）は第１又は第２軸に整列していないパターン状の１つ以上のインク着地位置を有する基板（１５０）を支持している。印刷作業中、システム制御装置（１０２）がインクジェットヘッド（１２２、１２４）と基板ステージ（１３０）を同時に移動させることでインクがインク着地位置に分注される。
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基板処理チャンバ内に配置された基板上に膜を堆積する方法。該基板は、隣接する隆起した面の間に形成されたギャップを有する。第１の前駆物質堆積ガスのフローが、該基板処理チャンバに提供される。第１の高密度プラズマが、該第１の堆積ガスのフローから形成されて、該ギャップが塞がれるまで、同時に起こる堆積およびスパッタリング要素を有する第１の堆積プロセスによって、該基板上および該ギャップ内に該膜の第１部分を堆積する。該膜の第１の大部分は、該ギャップを再開口するためにエッチバックされる。第２の前駆物質堆積ガスのフローが該基板処理チャンバに供給される。第２の高密度プラズマが、該第２の前駆物質堆積ガスのフローから形成されて、同時に起こる堆積およびスパッタリング要素を有する第２の堆積プロセスによって、該基板上および該再開口されたギャップ内の該膜の第２部分を堆積する。 （もっと読む）

一実施形態では、誘電材料を形成する方法が提供され、この方法は、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス中に酸化金属を形成しながら、基板を金属含有前駆物質および酸化ガスに連続的に露出させるステップと、次に、基板を不活性プラズマプロセスおよび熱アニーリングプロセスに連続的に露出させるステップとを含む。一般的に、酸化金属はハフニウム、タンタラム、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、ランタン、またはこれらの組合せを含有する。一例では、基板は、窒素を含まない、または実質的に窒素を含まない不活性プラズマガスに露出される。次に、熱アニーリングプロセス中に、基板が酸素の環境に露出される。別の例では、ＡＬＤプロセス中に、基板を金属前駆物質と、水蒸気を含有した酸化ガスとに連続的に露出することで、酸化金属材料が形成される。水蒸気は、水素源および酸素源を消費する触媒水蒸気生成器によって形成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】スパッタターゲットタイルを溶接して、大型スパッタターゲット及びターゲットアセンブリを提供する。
【解決手段】支持部の表面上に少なくとも２個のターゲットタイル５０１Ａ、５０１Ｂを並べて配置し、少なくとも２個のターゲットタイルの端部は隣接し、ターゲット材料の小片５５２又は粉体５５３上に少なくとも１の境界ライン５２１Ａを形成し、電子ビーム溶接チャンバ内のガスを排出し、少なくとも２個のターゲットタイル５０１Ａ、５０１Ｂ及びターゲット材料の小片５５２又は粉体５５３を、ターゲットタイルの溶融が開始する温度、物理的状態が変化する温度又は実質的に分解する温度以下の予備加熱温度まで予備加熱し、並べて配置された少なくとも２個のターゲットタイル５０１Ａ、５０１Ｂを大型ターゲットに溶接する。 （もっと読む）

一般的に、本発明の実施形態は、シリコン含有膜を堆積させる方法を提供する。一実施形態では、基板上にシリコン含有材料膜を堆積させる方法は、堆積チャンバ内に窒素と炭素を含有した化学物質を流すステップと、窒化シリコン化学結合を有するシリコン含有源化学物質を処理チャンバ内に流すステップと、チャンバ内に配置した基板を、摂氏５５０度未満の温度に加熱するステップを含む。別の実施形態では、シリコン含有化学物質はトリシリルアミンであり、窒素と炭素を含有した化学物質は（ＣＨ３）３−Ｎである。 （もっと読む）

【課題】 水素を含むガスが導入されたチャンバを短時間に減圧可能な方法、及び当該方法に好適な処理装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明の一実施形態に係る方法は、水素を含むガスが導入されたチャンバを減圧する方法であって、（１）チャンバ内、又はチャンバとポンプとを連通する接続部の内部に、チャンバの外部から水蒸気を供給する工程と、（２）チャンバの内部をポンプによって減圧する工程と、を含んでいる。 （もっと読む）

光学検出器を製造する方法において、光学導波器が形成された基板であって、マイクロエレクトロニック回路を製造するための表面を有する基板を用意するステップと、上記基板にマイクロエレクトロニック回路を製造するステップであって、上記製造が複数の逐次プロセス段階を含むようなステップと、上記複数の逐次プロセス段階の選択された１つが行われた後であって、且つ上記複数のプロセス段階の上記選択された１つの後の、次のプロセス段階が開始する前に、上記光学導波器内に光学検出器を製造するステップと、上記導波器内に上記光学検出器を製造した後に、上記マイクロエレクトロニック回路を製造するための上記複数の逐次プロセス段階を完了するステップと、を備えた方法。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に、窒化シリコン含有層を基板上に堆積する方法を提供する。該方法は、処理チャンバ内に配置された基板を、約６５０℃未満の温度に加熱することと、窒素含有ガスを該処理チャンバ内に流すことと、窒化シリコン含有層を基板上に堆積することとを含む。一実施形態において、該シリコン含有ガスは、アミノジシラン化合物、シリルアジド化合物、シリルヒドラジン化合物またはアルキルシラザン化合物のうちの少なくとも１つを含有する。一つの実施例において、該アミノジシラン化合物は、Ｒ_２ＮＳｉＲ’_２ＳｉＲ’_２ＮＲ_２という化学式を有し、シリルアジド化合物は、Ｒ’_３ＳｉＮＲＮＲ_２という化学式を有し、シリルヒドラジン化合物は、Ｒ’_３ＳｉＮＲＮＲ_２という化学式を有し、ここで、Ｒ及びＲ’は、水素、ハロゲン、アルキル、アルケン、アルキン、脂肪族アルキル、環状アルキル、芳香族化合物、オルガノシラン、アルキルアミノ、または、窒素またはシリコンを含有する環状基を単独で含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ環境下で電気アーキングを減らし、多数の処理サイクル中にＲＦ電流を信頼性良く通すことができ、また、電気的接触を失うことなく、コネクタ構造体の熱膨張を許容し、さらに、容易に取り外し、交換可能な基板支持体用電気コネクターを提供する。
【解決手段】
基板支持体は、電極端子を通して充電可能な電極を備えたセラミック製ディスクを備える。電気コネクタ２０は、外部電源を電極端子２６に接続する。電気コネクタ２０は、一対の対向したピンサーアーム７４ａ、７４ｂと、電極端子２６の周りに適合する大きさの溝９０と、電極端子２６付近で対向したピンサーアームを締め付けることができる締付けアセンブリ１０８を受容する為の互いに整列されたスルーホール１０４ａ〜１０４ｄと、を有する。 （もっと読む）

プロセスチャンバのコンポーネント上に形成されたプロセス堆積物が洗浄される。洗浄法においては、コンポーネント内のガスホールに機械的にピンを押し込み、その中のプロセス堆積物を洗浄する。その後、コンポーネントのセラミック部分を、フッ化水素酸や硝酸のような酸性溶液に晒す。酸洗浄プロセスステップの後、ガスホールのメカニカルピンニングを繰り返すことができる。その後、コンポーネントを、プラズマゾーンに非反応性ガスを導入するとともにプラズマゾーン内に非反応性ガスのプラズマを形成することによりプラズマゾーン内でプラズマ安定化させる。一変形例においては、コンポーネントは、電極を覆っているセラミックを備え且つその中にガスホールを有する静電チャックを備えている。 （もっと読む）