【課題】ハードマスクを使用するフォトマスクの製作方法において、フォトレジストの縁の荒さやエッチング中のレジスト開口の拡大が、パターンの不均一性をもたらすため、特に臨界寸歩の小さいパターンを高精度に製造する製造方法を提供する。
【解決手段】ハードマスク堆積チャンバと、クロムをエッチングするように構成されたプラズマチャンバとを結合している真空移送チャンバを含んだクラスターツールを用いて製造する。また、第１の処理チャンバにおいて基板上にハードマスクを堆積するステップと、レジスト層を該基板上に堆積するステップと、該レジスト層をパターニングするステップと、第２のチャンバにおいて該パターニング済みレジスト層上に形成されたアパーチャを介して該ハードマスクをエッチングするステップと、第３のチャンバにおいて該ハードマスクに形成されたアパーチャを介してクロム層をエッチングするステップと、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバ内の基板の温度を制御するための基板支持アセンブリ及び方法が提供される。
【解決手段】基板支持アセンブリは、ステンレス鋼材料を含む熱伝導体と、熱伝導体の表面上にあり、大きい面積の基板を支持する基板支持表面と、熱伝導体内に埋設された１つ以上の加熱エレメントと、熱伝導体の下に位置する冷却プレートと、冷却プレートの下に位置し、熱伝導体を構造的に支持する、ステンレス鋼材料を含むベース支持構造と、ベース支持構造により支持され、冷却プレートとベース支持構造との間に位置する１つ以上の冷却チャネルとを含む。また本発明の基板支持アセンブリを含むプロセスチャンバが提供される。 （もっと読む）

基板表面から導電材料を除去するための研磨材料及び方法が提供される。一態様において、電気化学機械的研磨技法よって基板に形成された狭い特徴画成部の上に配置された導電材料を基板に形成された広い特徴画成部より上に配置された導電材料より速い除去速度で除去するために基板を処理し、その後、少なくとも化学機械的研磨技法によって基板を研磨する方法が提供される。 （もっと読む）

電界効果トランジスタ内に用いられるゲート電極構造及び集積回路及び製造方法が開示される。その方法と構造によって仕事関数と閾値調整が改善される。 （もっと読む）

【課題】主処理チャンバ（１４）と移動するマグネトロン（３０）を収納する真空チャンバ（３２）の両方に封止されるターゲットアセンブリを有する大面積パネルプラズマスパッタリアクタに特に有用なスパッタターゲットアセンブリ（１８、２０）を提供する。
【解決手段】ターゲットタイルが接着されたターゲットアセンブリは、主面に平行にドリルで穴開けされた平行な冷却ホール（６４）を備えた一体型のプレート（６２）を含む。ホールの端部は封止（７４）され、垂直に伸びているスロット（６６、６８、７０、７２）は各々の端部で２つの千鳥状のグループで配列され、バッキングプレートの対向側部において対として冷却ホールの各々の対に機械加工される。４個のマニフォルドチューブ（１０４、１０６）はスロットの４つのグループに封止され、カウンタフローの冷媒経路を提供する。 （もっと読む）

矩形スパッタターゲット（１６）の背面に配置され、ターゲットに近接するプラズマトラックに対応して、間にギャップを形成するように配置された反対の極性の磁石（１６４）を有し、プラズマを強化して、ターゲットからスパッタされた材料を矩形パネル（１４）にコートさせる矩形マグネトロン（１６０）。ギャップは、蛇行又は螺旋形状を有する閉鎖ループで延在している。マグネトロンは、ターゲットより幾分小さなサイズであり、ターゲットの２つの垂直な方向に走査される。走査長は、例えば、２ｍのターゲットについては、約１００ｍｍである。走査は、ターゲット側部及び２つの接続対角に平行な２つのリンクに沿って、二重Ｚパターンに従う。チャンバ壁（２７６）で垂直にスライドするガントリ（３６４）からスライド可能に懸架されており、外部アクチュエータ（４１６）は、２次元パスに沿ってマグネトロンを動かす。
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【課題】 半導体処理チャンバにおいて、第１の部分を第１の圧力に、第２の部分を第２の圧力にするシール部材を熱膨張係数の異なる部材間に適用。
【解決手段】異なる熱膨張係数を有する上部平盤１０６と支持プラットフォームハウジング１０８の延長部材１４２との間にろう付け材料２０４を介して金属包含層２０２をもったシール手段１４０をろう付けする。 （もっと読む）

【課題】１つ又は複数のシリコン含有層及び１つ又は複数の金属含有層を含む積層膜を製造する方法及び基板上に積層膜を形成するための基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システムは、１つ又は複数のロードロックチャンバに接続された１つ又は複数の搬送ポット及び２つ以上の異なるタイプの処理チャンバを含む。２つ以上のタイプの処理チャンバは、真空を破ることなく、基板処理システムから基板を取り出して、同一の基板処理システムで１つ又は複数のシリコン含有層及び１つ又は複数の金属含有層を蒸着するために使用され、表面汚染、酸化などを防ぎ、別の洗浄や表面処理ステップを排除することができる。基板処理システムは、その場の基板処理のための高処理能力及びコンパクトな専有面積を提供し、かつ異なるタイプの処理を行うように構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板処理の間に発生するパーティクルを低減するプロセスキット及びプロセスキットの設計を実現するための方法が提供される。
【解決手段】プロセスキットの内部表面は、より小さいＲＭＳ表面粗さを有する第１の材料層によりその表面をコーティングされ、より大きいＲＭＳ値を有する第２の材料層若しくは追加の材料層によりアークスプレーすることによってテクスチャード加工される。第１の材料層はビーズブラスティング、プレイティング、アークスプレー、熱溶射、若しくは他のプロセスによりコートされうる。更に、本発明は保護層により、プロセスキットの内部表面を選択的にコーティングすること、及びプロセスキットの内部表面の物質と同じ物質であるかもしれない他の材料層により保護層の表面をアークスプレーすることを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一般に、大面積の基板の堆積の均一性を高めるために陽極の表面積を増やした物理気相蒸着（ＰＶＤ）チャンバで、基板の表面を処理する装置及び方法を提供する。
【解決手段】一般に、本発明の様々な側面はフラットパネルディスプレイ処理、半導体処理、太陽電池処理、又はその他あらゆる基板処理に使用できる。１の態様において、処理チャンバは、陽極の表面積を増やして、それを処理チャンバの処理領域全体により均一に分布させるために使う１又は複数の陽極アセンブリを含む。１の態様において、陽極アセンブリは、導電部材と導電部材支持部とを含む。１の態様において、処理チャンバは、処理チャンバから大型の要素を取り外さなくても、導電部材を処理チャンバから取り出せるようになされている。 （もっと読む）