【課題】大面積基板上に形成された複数の電子デバイスを検査するための方法及び装置が開示されている。
【解決手段】一実施例において、本装置は検査されるべき基板の大きさよりもちょっと幅広い少なくとも１つのチャンバ内で、一線形軸において前記基板上において検査を行なう。クリーンルームのスペース及びプロセスの時間は、システムのより小さいサイズ及び容量によって最小化される。 （もっと読む）

【課題】大きなフラットパネルディスプレイの製造に関し、電子デバイス製造チャンバ、及びチャンバを輸送する方法を提供する。
【解決手段】第１の態様において、第１のマルチピースチャンバ１０１が提供される。該第１のマルチピースチャンバ１０１は、（１）第１の側部及び第２の側部を有する中央ピースと１１３、（２）該中央ピース１１３の該第１の側部と結合するように適合された第１の側部ピース１０９と、（３）該中央ピース１１３の該第２の側部と結合するように適合された第２の側部とを含む。該中央ピース１１３、第１のピース１０９及び第２の側部ピース１１１は、一緒に結合されたときに、実質的に円筒形の内部チャンバ領域を形成する。 （もっと読む）

半導体ウェーハをプロセスするための統合型システムであって、このシステムは熱吸収層を堆積させるトロイダルソースプラズマリアクタを含み、このリアクタは、ウェーハ支持部と、チャンバの一般的に両側に結合しているリアクタチャンバおよび外部再入トロイダル導管と、外部再入導管の１区間に電力を結合するためのＲＦソース電力アプリケータと、熱吸収材料前駆物質ガスを含有するプロセスガスソースとを含む。統合型システムはさらに光アニーリングチャンバを含む。 （もっと読む）

ワークピースをプロセスする方法であって、この方法が、光吸収体材料前駆物質ガスをワークピースを含有したチャンバ内に導入するステップと、ＲＦソース電流を印加することで、ワークピースの上にあるプロセスゾーンを含む再入経路内にＲＦ発振トロイダルプラズマ電流を生成して、ワークピース上に光吸収体材料の層を堆積させるステップと、ワークピースを、光吸収体層内に少なくとも部分的に吸収される光放射に露光させるステップとを備える。 （もっと読む）

ワークピース上にカーボン層を堆積させる方法であって、この方法は、上記ワークピースをリアクタチャンバ内に配置するステップと、カーボン含有プロセスガスを上記チャンバ内に導入するステップと、プラズマＲＦソース電力を再入経路の外部に結合することによって、ワークピースの上にプロセスゾーンを含む上記再入経路内で再入トロイダルＲＦプラズマ電流を生成するステップと、ＲＦプラズマバイアス電力またはバイアス電圧を上記ワークピースに結合させるステップとを備える。 （もっと読む）

ワークピースの半導体材料内に半導体接合部を形成する方法は、半導体材料の選択された領域内にドーパント不純物をイオン注入するステップと、ワークピースを含有したチャンバ内に光吸収体材料前駆物質ガスを導入するステップと、ＲＦソース電流を印加することで、ワークピースの上にあるプロセスゾーンを含む再入経路内にＲＦ発振トロイダルプラズマ電流を生成して、ワークピース上に光吸収体材料の層を堆積させるステップと、ワークピースを任意でアニーリングして、半導体材料内でドーパント不純物を活性化するステップとを備える。 （もっと読む）

一実施形態において、開口を封止するように適合され、かつ第１の壁と、該第１の壁に形成された第１の開口（１１５）と、第２の壁と、該第２の壁に形成された第２の開口（１１７）とを有するバルブハウジング（１０５）を含むスリットバルブ（１０１）が提供される。該スリットバルブはまた、該第２の壁に接触して、かつ該第２の開口を封止するように適合された封止部（１０７）と、該封止部に対して移動可能であり、かつ該第１の壁に接触するように適合された支持部材（１０９）とを有する閉鎖部材（１０３）を含む。該スリットバルブはさらに、（１）該封止部を該第２の壁に向かって、かつ該第２の壁に接触して移動させるように、また（２）該封止部を該第２の壁に対して支持するために、該支持部材を該封止部から離して、かつ該第１の壁に接触して移動させるように適合された少なくとも１つの作動機構を含む。多数の他の態様が提供される。
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【課題】半導体基板処理チャンバ内のプラズマを制御するための方法を提供する。
【解決手段】この方法は、第１の周波数によりプラズマシースの発振を引き起こすよう選択された第１の周波数により処理チャンバ内の第１の電極に第１のＲＦ信号を供給し、第２の周波数によりプラズマシースの発振を引き起こすよう選択された第２の周波数で第１の電極に前記電源から第２のＲＦ信号を供給し、第２の周波数は、所要の周波数でプラズマシースの発振を引き起こすよう選択された所要の周波数に等しい差分だけ、第１の周波数から離れている。

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相互接続構造において導電性バリヤ層又は他のライナ層を堆積させるための製造法、プロダクトストラクチュア、製造法、及びスパッタリングターゲット。バリヤ層（８２）は、アモルファスであってもよいがそうである必要がない、耐火性貴金属合金、例えば、ルテニウム/タンタル合金の導電性金属を含む。バリヤ層は、同様の組成のターゲット（９０）からスパッタすることができる。バリヤとターゲットの組成は、耐火性金属と白金族金属の組合わせ、例えば、ＲｕＴａから選ばれてもよい。銅貴金属シード層（１１２）は、誘電体（６６）の上のバリヤ層（７０）と接触させた銅とルテニウムの合金から形成することができる。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの製造設備内で基板キャリアを搬送するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】キャリアを運ぶコンベヤ・システムに結合された複数のキャリア支持体を含むと共に、複数の基板ローディング・ステーションを含む電子デバイス製造設備の第１の基板ローディング・ステーションから第２の基板ローディング・ステーションへキャリアを搬送する要求を受信し２０５、少なくともこの搬送のために必要とされる時間が短くなり、且つ、コンベヤ・システムのバランスが維持されるように、第１の基板ローディング・ステーションから第２の基板ローディング・ステーションへ、キャリアを搬送するために、複数のキャリア支持体のうちの１つを割り当て２０７、第１の基板ローディング・ステーションからキャリアを運び２０９、第２の基板ローディング・ステーションへキャリアを運ぶ２１１ステップを含む。 （もっと読む）