プロセスチャンバのコンポーネント上に形成されたプロセス堆積物が洗浄される。洗浄法においては、コンポーネント内のガスホールに機械的にピンを押し込み、その中のプロセス堆積物を洗浄する。その後、コンポーネントのセラミック部分を、フッ化水素酸や硝酸のような酸性溶液に晒す。酸洗浄プロセスステップの後、ガスホールのメカニカルピンニングを繰り返すことができる。その後、コンポーネントを、プラズマゾーンに非反応性ガスを導入するとともにプラズマゾーン内に非反応性ガスのプラズマを形成することによりプラズマゾーン内でプラズマ安定化させる。一変形例においては、コンポーネントは、電極を覆っているセラミックを備え且つその中にガスホールを有する静電チャックを備えている。 （もっと読む）

【課題】真空コンベヤシステムの実施形態を提供する。
【解決手段】一実施形態において、真空コンベヤシステムは、第１の真空スリーブを含み、この第１の真空スリーブは、第１の真空スリーブを通して基板をサポート及び移動する複数のローラを有している。第１の真空スリーブをプロセスチャンバに密閉可能に結合するためのポートが提供されている。第１の基板運搬部が、ポート近傍に配置されている。多数のポートを提供して、第１の真空スリーブを複数のプロセスチャンバに密閉可能に結合してもよい。専用の基板運搬部が、各プロセスチャンバに提供されている。第２の真空スリーブを、プロセスチャンバの反対側に密閉可能に結合してもよい。真空コンベヤシステムは、ロードロックチャンバを介してリンクされた独立モジュールを備えたモジュール式であってもよい。複数のローラで、搬送されている基板の前縁の垂下を打ち消してもよい。

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回転基板支持体を使用して基板を処理する方法及び装置が開示される。一実施形態では、基板を処理するための装置は、基板支持体アセンブリを内部に配設したチャンバを含む。基板支持体アセンブリは、支持表面及びこの支持表面の下に配設されたヒータを有する基板支持体を含む。基板支持体には、シャフトが結合され、このシャフトには、基板支持体へ回転移動を与えるため、ローターを介してモータが結合される。ローターの周りにシールブロックが配設され、ローターに対してシールを形成する。シールブロックは、このシールブロックとシャフトとの間の境界に沿って配設された少なくとも１つのシール及び少なくとも１つのチャネルを有する。各チャネルには、ポンプへ接続するためのポートが結合される。シャフトには、基板支持体を上昇及び下降させるためのリフト機構が結合される。 （もっと読む）

【目的】 処理チャンバ内の基板上での処理ガス流パターンの均一化。
【構成】 アーチ形の排気プレナム２３は２つの端部を有し、その間の間隙には排気プレナムからでは直接接近できない。処理チャンバ２０内の処理ガス流の分布を改善する排気バッフル６０ａは、複数の穴７６，７７，７８が貫設されており、周方向に分布されている。これらの穴は排気プレナムと連通し、基板処理中に基板表面を横切る均一なガス流を形成する。また、排気バッフルには少なくとも１つのオフセット流路８１，８２があり、この流路は、前記間隙から、基板表面に対して鋭角で処理ガスを基板表面を横切って吸引し、それにより、基板全周の処理ガス流に影響を与える排気パターンを提供するようになっている。排気バッフルは互いに接合する２つの部分７１，７２から成る複合型としてもよく、これらの部分は処理チャンバからの処理ガスを前記間隙から導く少なくとも１つのオフセット流路及び複数の穴を画成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施例は、一般に、半導体製造に用いられるスパッタリングターゲットに関する。特に、本発明は、堆積チャンバ内でスパッタリングターゲットを支持するバッキングプレートへのスパッタリングターゲットの接着に関する。
【解決手段】一実施例において、少なくとも１つのスパッタリングターゲットタイルをバッキングプレートに接着する方法は、少なくとも１つのスパッタリングターゲットタイルとバッキングプレートの間にエラストマー接着層を提供し、エラストマー接着層内に少なくとも１つの金属メッシュを提供することを含み、少なくとも１つの金属メッシュの少なくとも一部は少なくとも１つのターゲットタイルとバッキングプレートの両方に接触し、少なくとも１つの金属メッシュの少なくとも一部は直径が０．５ｍｍより大きな金属ワイヤで形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体の電気メッキ処理において、基板状に形成される導電性シード層の厚さをリアルタイムに測定し、基板状に均一なプロファイルを作り出す方法を提供する。
【解決手段】基板が電解液に接触するときに電気メッキを始めるステップと；その電解液で一連のセル電流分布を測定するステップと；一連のセル電流分布からリアルタイム厚さプロファイルを作成するステップと；そのプロファイルに従い処理パラメータを調整するステップを備える。 （もっと読む）

第一態様において、第一方法が提供される。第一方法は、（１）プロセスチャンバを攻撃プラズマで前処理するステップと、（２）プロセスチャンバ内に基板を装填するステップと、（３）プロセスチャンバ内で基板上にプラズマ窒化物形成を行うステップとを含む。プロセスチャンバは、基板のプラズマ窒化物形成中に用いられるプラズマ電力より少なくとも１５０％大きいプラズマ電力を用いて前処理される。 （もっと読む）

【課題】複数のターゲットタイル（３０）を含むターゲットアセンブリで用いられるタイルセットであって、ターゲットタイルはアレイ内で他の物質のバッキングプレート（２４）に接着されているターゲットタイルセットを提供する。
【解決手段】アレイ内部のタイルの端部（３２、３４）は相互的な傾斜端部となるように形成され、これによってタイル間に傾斜間隙（３６）を形成する。間隙はターゲットの垂線に対し１０°と５５°の間、好ましくは１５°と４５°の間の角度で傾斜していてもよい。垂直及び傾斜間隙の両方において、タイルの対向側部はビードブラスト法により荒仕上げ加工されていてもよい。垂直又は傾斜間隙の両方において、間隙の下方のバッキングプレートの領域（４８）は荒仕上げ加工されていてもよく、ターゲット材料の領域でコーティング又は被覆されていてもよい。 （もっと読む）

基板を処理するための研磨機器の実施形態が提供される。一実施形態において、基板を処理するための研磨機器は、導電層をその上に配置したファブリック層を備える。導電層は織込みまたは不織であってもよい。導電層は軟質材料から構成されてもよく、また一実施形態においては、暴露表面は平面であってもよい。
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研磨パッドコンディショニング機構を監視するための方法及び装置が提供される。１つの実施形態では、半導体基板研磨システムは、すすぎ洗いステーション、研磨表面、コンディショニング要素及びコンディショニング機構を含む。コンディショニング機構は、コンディショニング要素を研磨表面上及びすすぎ洗いステーション上に選択的に配置する。少なくとも１つのセンサが設けられ且つすすぎ洗いステーション上に配置されるときのコンディショニング要素の第１の位置及び第２の位置を検出するように構成される。 （もっと読む）