基板からの反射光の現在のスペクトルのシーケンスを受け取ることと、現在のスペクトルのシーケンスに含まれる現在の各スペクトルを参照スペクトルライブラリの複数の参照スペクトルと比較して、最良一致参照スペクトルのシーケンスを生成することと、最良一致参照スペクトルのシーケンスの適合度を求めることと、適合度に基づき、研磨速度を調整すべきかどうか、または研磨速度の調整量のうちの少なくとも１つを決定することとを含む、コンピュータで実施される方法。
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【課題】半導体基板を速やかに、かつ高い信頼性をもってリンスおよび乾燥する装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るスピンドライヤ１０１は、スピンドライヤ内に配置された縦向きの基板２０１から移動した流体を受けるように配置されたシールドシステムを有する。このシールドシステムは、流体がシールドに衝突すると少なくとも部分的に流体を跳ね返すように配置された一以上のシールド２１３、２１５、２１７を有している。このシールドは、シールドに沿った流体の流れを促進するように傾斜しており、液滴が生じないように好ましくは親水性である。スピンドライヤの内部にわたって圧力勾配を加えることにより、流体をシールドシステムに沿って所望の方向に移動させる空気流を形成することができる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、低温を包含する拡張温度範囲にわたる基板の急速熱処理のための方法および装置を対象としている。透過放射検出器システムを用いる拡張温度高温測定システムを使用するためのシステムおよび方法が開示される。透過放射検出器システムおよび放出放射検出器システムを組み合わせるシステムも記載される。
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【課題】膜厚及び膜特性の均一性を改善するガスディフューザを提供する。
【解決手段】ガス分散プレートは、ディフューザプレートの上流側と下流側との間の複数のガス流路とを含み、ガス流路は、上流面に第１の径を有し、第１の径よりも大きい第２の径を下流面に有する。プラズマのイオン化を強めるために、下流側に第２の径を有する中空カソードキャビティを含む。下流端部まで伸びるガス流路の中空カソードキャビティ（円錐体形状の孔）の深さ、径、表面積及び密度はディフューザプレートの中心部から縁部に向かって徐々に増加させて、基板全域での膜厚及び特性の均一性を改善することができる。 （もっと読む）

本明細書内に開示される実施形態は、概して、スリットバルブドアで処理チャンバを密閉する方法に関する。ドアは、最初に、処理チャンバ用開口の下方の位置から高い位置まで持ち上げられる。その後、ドアは、ドア表面にあるＯリングがシール面にちょうど接触するまで拡張する。そして、ドアは、シール面に対してＯリングを圧縮するために再び拡張する。ドアは、ドアの内部容積内にガスを流すことによって拡張する。ドア内の圧力蓄積を制御することによって、ドアが拡張する速度は制御され、これによってドアが静かにシール面に接触し、その後、シール面に対して圧縮することを保証する。従って、処理チャンバに衝撃を与える又は振動させ、プロセスを汚染する可能性のある望まれない粒子を生成するかもしれない過大な力でシール面にドアが接触することを防ぐかもしれない。
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本発明の実施形態は、太陽電池デバイスを形成する新規の加工シーケンスを使用して高効率の太陽電池を形成することを企図している。高効率の太陽電池を形成する方法は、金属化された太陽電池デバイスに接着される予め製作されたバックプレーンを使用して、相互接続された太陽電池モジュールを形成することを含むことができる。本発明から利益を得ることができると思われる太陽電池には、まず、電池の背面上に正と負の両方のコンタクトをもつ単結晶または複結晶シリコンを含む活性領域を有するものが含まれる。
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本発明は、一般に、真空処理チャンバ内に大面積基板を搬送するためのロードロックチャンバを含む。ロードロックチャンバは、１以上の分離され周囲から隔離される環境を有してもよい。夫々の処理環境は、真空に引くための複数の排気ポートを有してもよい。排気ポートは、処理環境の角部に配置されてもよい。基板がファクトリインタフェースからロードロックチャンバ内へ挿入されるとき、環境を排気する必要があるかもしれない。環境の角部に位置する排気ポートのため、存在するかもしれないどんな粒子又は汚染物質も、最も近い角部へ引かれ、基板を横切って引かれること無くロードロックチャンバから外へ引かれるかもしれない。従って、基板汚染は軽減するかもしれない。
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本発明は、コーティングチャンバであって、コーティング源と、コーティング源に対して少なくとも１つのコーティング位置へコーティングされる基板を運ぶことができるように適合された基板キャリアを移動させるための搬送装置とを含み、これによって基板はコーティングされ、コーティングチャンバは、基板のコーティング位置とコーティング源の間の領域内に配置される少なくとも１つの第１シールドを更に含み、これによってコーティングされる基板の表面以外の領域のコーティングを防ぎ、第１シールドは、移動装置と、第１シールドと前記基板キャリアを結合する結合装置とを含み、これによって第１シールド及び基板キャリアは共に移動可能となるコーティングチャンバ、及びコーティングチャンバを運転する方法について言及する。
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本発明の実施形態は、障壁層上にコバルト層を堆積させた後、コバルト層上に銅または銅合金などの導電材料を堆積させるプロセスを提供する。一実施形態では、基板表面上に材料を堆積させる方法であって、基板上に障壁層を形成するステップと、気相成長プロセス（たとえば、ＣＶＤまたはＡＬＤ）中に基板をジコバルトヘキサカルボニルブチルアセチレン（ＣＣＴＢＡ）および水素に露出させて障壁層上にコバルト層を形成するステップと、コバルト層を覆うように導電材料を堆積させるステップとを含む方法が提供される。いくつかの例では、障壁層および／またはコバルト層は、熱プロセス、インサイチュプラズマプロセス、または遠隔プラズマプロセスなどの処理プロセス中にガスまたは試薬に露出させることができる。
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本明細書内で開示される実施形態は、概して、チャンバ内の開口を密閉するためのスリットバルブドアアセンブリに関する。スリットバルブの開口を密閉するためにチャンバに対して押し付けられるスリットバルブドアは、スリットバルブの開口が縮むとき、チャンバと共に移動するので、スリットバルブドアとチャンバの間で押し付けられるＯリングは、スリットバルブドア及びチャンバと共に移動できる。従って、チャンバに対するＯリングの摩擦は、ほとんど起こらないかもしれない。摩擦がほとんど無いので、粒子はほとんど発生しないかもしれず、Ｏリングの寿命が延びるかもしれない。Ｏリングのより長い寿命によって、基板のスループットは増加するかもしれない。
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