【課題】セラミック部材の中に配置されたワイヤが、セラミック部材の長手方向の伸長に対してさらに長手方向に伸びるのを可能にする熱電温度計を提供すること。
【解決手段】熱電温度計は異なる金属からなる一対のワイヤを収容するように構成される支持チューブを有する。熱電温度計の一対のワイヤは支持チューブの一端に隣接する接続部に接続される。熱電温度計はさらに支持チューブの他端に取り付けられるキャップを備え、そのキャップは一対のワイヤの自由端を収容する。キャップは、一対のワイヤが、支持チューブの熱伸縮に対する一対のワイヤの熱伸縮の相違に適合するために前記キャップを通して自由に移動することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉ含有膜の製造における幾つかの問題を解決すること。
【解決手段】 シリコン合金およびドープシリコン膜が、ＩＩＩ族およびＶ族の原子の供給源としてＳｉを含有する化学前駆体を用いたイオン注入法によって調製される。好ましいドーパント前駆体には、（Ｈ_３Ｓｉ）_３−ｘＭＲ_ｘ、（Ｈ_３Ｓｉ）_３Ｎ、および（Ｈ_３Ｓｉ）_４Ｎ_２（ここで、ＲはＨまたはＤであり、ｘは０、１または２であり、ＭはＢ、Ｐ、ＡｓおよびＳｂからなる群の中から選択される）が含まれる。好ましいイオン注入法によって、結晶膜を含めて、水素非添加のシリコン合金膜およびドープシリコン膜が製造される。 （もっと読む）

【課題】高熱安定性金属シリサイド、及び当該金属シリサイドを半導体の加工に使用する方法を提供する。
【解決手段】金属シリサイド３４ａは好ましくは、ニッケルと、約２原子％以上の置換型炭素を有する置換的に炭素ドープされた単結晶性シリコンとの反応によって形成されるニッケルシリサイドである。予想に反して、このような金属シリサイド３４ａは、約９００℃以上の温度に対して安定であり、シート抵抗は実質的に、高温に曝されても影響を受けない。金属シリサイドは、ＢＰＳＧ４２のリフローアニールを含む、後の高温加工工程に適応する。 （もっと読む）

【課題】導電窒化タンタル膜を制御可能に形成する方法を提供すること。
【解決手段】タンタルソース物質、水素のプラズマ励起種、及び窒素ソース物質の交互的パルスを順に、反応空間内で基板と接触させるステップを含む。水素のプラズマ励起種はタンタルの酸化状態を低減し、それによって、基板上に実質的に導電性の窒化タンタル膜を形成する。いくつかの実施の形態では、水素のプラズマ励起種は、形成された金属の膜の中のハロゲン化残留物と反応し、該残留物を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハハンドリング装置を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハを移送するためのベルヌーイ・ワンド（５０）であり、そのワンド（５０）は、ウエハの上方表面と下方表面との間に圧力差を生成するために、ウエハの上方表面に沿ってガスの流れを生成するように構成された、複数のガス出口（７４、７５）を有するヘッド部（５４）を有する。圧力差は、ベルヌーイの原理を用い、略非接触状態にて、ワンドのヘッド部（５４）の下方にてウエハを支持する持上げ力を生成する。ワンド（５０）は、異なるセットのガス出口穴（７４、７５）に流れを提供するように構成された、独立して制御可能なガス流路（７０、８０）を有する。ガス出口穴（７４、７５）およびガス流路（７０、８０）はベルヌーイの原理を用い、ウエハを支持するように構成される。 （もっと読む）

金属炭化物薄膜を形成する方法が提供される。好ましい実施形態によれば、金属炭化物薄膜は、反応空間中で基板を、金属源化学物質、還元剤および炭素源化学物質の空間的にかつ時間的に分離された気相パルスと交互的かつ逐次的に接触させるステップによって、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスで形成される。この還元剤は、好ましくは水素の励起された種およびケイ素含有化合物からなる群から選択される。 （もっと読む）

前駆体原料容器１００が、容器本体１０４、容器本体１０４内の通路１４５、及び本体１０４の表面に取り付けられる弁１０８、１１０、２１０を備える。内部チャンバ１１１が化学反応物を収容するようになっており、通路１４５は、本体１０４の外側からチャンバ１１１まで延びる。弁１０８、１１０、２１０は、通路１４５を通る流れを調整する。容器１００は、入口弁１０８及び出口弁１１０、及び場合によっては内部ガスを抜くためのベント弁２１０を有する。外部ガスパネル９７が、出口弁１１０と基板反応チャンバ１６２との間に流体的に介装される少なくとも１つの弁１８２を含み得る。ガスパネル弁１８２は、容器１００の平坦な表面と概ね平行でありこの表面からの距離が約１０．０ｃｍ以下である平面に沿ってそれぞれが位置決めされ得る。容器蓋１０６又は壁にあるフィルタ１３０が、容器の弁１０８、１１０、２１０を通るガス流を濾過する。クイック接続アセンブリ１０２が、ガスパネル９７への容器１００の迅速で容易な接続を可能にする。 （もっと読む）

【課題】ねじの交換を容易にできかつねじが不用意に外れない、半導体加工リアクタ内にランプをねじ留めするための締結具を提供する。
【解決手段】放射加熱された半導体加工リアクタ内にランプを取り付け得る被捕捉型の締結具３８は、ランプの各端部のハトメ形末端部３２内に捕捉され、これにより、締結具３８が、ランプに回転式に留められる。ハトメ形末端部３２は、締結具３８のねじ切りされた部分内に螺合される、ねじ切りされた開口部を具え得る。あるいは、末端部を適合させることは、末端部から挿入される締結具の上部上にタブ、導電体延長部、またはハウジングアセンブリを重ね合わせることで行い得る。別の実施形態では、末端部を適合させることは、末端部を通って挿入される締結具の円形の蟻溝とノッチ付き突起部とを係合させることで行い得る。 （もっと読む）

薄い（例えば、２００ｍｍ）半導体ウェーハ（６０）をラックと熱プロセスチャンバとの間で搬送するためのベルヌーイワンド（５０）。ワンド（５０）は、ウェーハ（６０）全体を覆うように構成されるヘッド部分（５４）を有する。ヘッド（５４）は、ウェーハ（６０）の上面（６２）とウェーハの下面（６８）との間に圧力差を生み出すために、ウェーハ（６０）の上面に沿ってガスの流れを生成するように構成される複数のガス出口（７４）を有する。圧力差は、ベルヌーイの原理を使用して、ウェーハ（６０）をワンド（５０）のヘッド部分（５４）より下に実質上非接触式に支持する揚力を発生させる。 （もっと読む）

基板１０と、前記基板上へ形成される傾斜部分を含む緩和バッファ層１４、１８と、前記緩和バッファ層１４、１８の傾斜部分内部の少なくとも１つの歪み遷移層１６とを含む半導体ワークピースと、その製造方法。少なくとも１つの歪み遷移層１６は、緩和バッファ層１４、１８と基板１０との間の熱膨張収縮係数の差分に起因するワークピースの反りの量を低減する。 （もっと読む）