少なくとも１つの温度測定装置を収容するワンピースサセプタリングが提供される。サセプタリングは、形成された開口を有するプレートと、プレートの下面に一体的に接続される一対の側面リブと、を含む。側面リブは、開口の反対側に位置する。サセプタリングは、一対の側面リブそれぞれに形成される穴を含む。各穴は、温度測定装置を受け入れるように構成される。 （もっと読む）

【課題】低温で二酸化ケイ素の薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。
【解決手段】一部の実施形態において、基板は、約２００℃未満の温度で、トリメチルアルミニウムなどの金属前駆体、およびＴＰＳなどのシラノールと交互におよび連続して接触される。この方法は、種々の状況において二酸化ケイ素の薄膜を形成するために使用され得る。一部の実施形態において、この方法は、反応物のチャンバ内に金属前駆体を含む気相反応物パルスを与えて、基板上に金属前駆体のほぼ単一分子層のみを形成する工程と、必要な場合、反応物のチャンバから過剰な反応物を除去する工程と、反応物のチャンバにＴＰＳを含む気相反応物パルスを与える工程と、反応物のチャンバから過剰なＴＰＳおよび任意の反応副産物を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

半導体処理リアクタ内で使用される熱電対について記載される。熱電対は、端部に測定先端と、他端に開口部と、を有する、シースを含む。長さに沿って形成されるボアを有する支持部材は、シース内に配置される。異種金属から形成される一対のワイヤは、ボア内に配置され、ワイヤの端部は、融合され、接点を形成する。ワイヤは、ボアの長さに沿って延在する。ワイヤが、ボアから延出するにつれて、空間的または物理的に分離され、その間の短絡を防止する。また、ボアから延出するワイヤの両端は、長手方向に自由に熱膨張し、それによって、ワイヤが微量の滑動によって故障する潜在性を低減または排除する。
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【課題】堆積の前に半導体表面から不純物を除去する低圧でのベーキングのための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】短時間で、低温での処理が、熱履歴の僅か一部のみを消費するが、有利にも、半導体表面から界面酸素を除去するのに効果がある。本方法およびシステムは特に、エピタキシャルの前に半導体表面を処理するのに適している。本発明の一態様によれば、基板を、化学気相成長法の反応チャンバ内の基板支持部に負荷することと、この反応チャンバ内の圧力を、約１×１０^-6Ｔｏｒｒ（約１３３．３２×１０^-6Ｐａ）から１０Ｔｏｒｒ（約１３３３．２２Ｐａ）の間のベーク圧力にまで低減すること、によって半導体基板を処理する方法が提供される。 （もっと読む）

金属炭化物膜を形成する方法が提供される。いくつかの実施形態では、基体は、遷移金属種およびアルミニウム炭化水素化合物（ＴＭＡ、ＤＭＡＨ、またはＴＥＡなど）の交互のパルスに曝露される。このアルミニウム炭化水素化合物は、アルミニウム濃度、抵抗率、接着および耐酸化性などのその金属炭化物膜の所望の特性を達成するように選択される。いくつかの実施形態では、この方法は、フラッシュメモリにおける制御ゲートの仕事関数を決定する金属炭化物層を形成するために使用される。 （もっと読む）

【課題】阻害反応物を用いてドーパント前駆体が利用可能な結合部位の一部を阻害することによって、堆積したドーパントの濃度および均一性を制御することができる。ＡＬＤプロセスにおいて、阻害反応物をドーパント前駆体の導入前に導入することができる、または阻害反応物およびドーパント前駆体を同時に導入することができる。
【解決手段】原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）によって、基板表面または２つの薄膜間の界面をドープする方法が提供される。 （もっと読む）

膜の選択的なエピタキシャル形成のための方法および装置であって、ＣＶＤチャンバ（３００）へ、反応種（１０、２０）を別々に注入する。本方法は特に、前駆体（１０）およびエッチャント（２０）の揮発性の組合せを用いた選択成長に有用である。形成プロセスは、選択成長のための前駆体（１０）およびエッチャント（２０）の同時供給、または、周期的なブランケット堆積および選択的なエッチングの連続的な供給を含む。いずれに場合にも、前駆体（１０）およびエッチャント（２０）は、より制限された上流の場所よりもむしろ、比較的開いた反応スペース（３４０）において交差する別々の流路に沿って提供される。 （もっと読む）

１つの実施形態は、単結晶膜を選択的に堆積するための方法を提供する。この方法は、第１の表面形態を有する第１の表面およびこの第１の表面形態とは異なる第２の表面形態を有する第２の表面を含む基体を準備する工程を含む。シリコン前駆体［１０８］およびＢＣｌ_３［１３４］は相互混合され、これにより供給ガスが形成される。この供給ガスは、化学気相成長条件［１２２］下でこの基体へ導入される。Ｓｉ含有層は、供給ガス［１２０］を導入することにより、第２の表面上に堆積することなく、第１の表面上に選択的に堆積される。 （もっと読む）

【課題】チャネルに対して設計されたひずみを与えるストレッサー及びその形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板が、異なる不純物濃度を有する異なる部分を有するヘテロエピタキシャル・シリコン含有物質で埋め込まれたリセスを備える。歪まされた膜が、リセスされたソース／ドレイン領域を、傾斜してボトム−アップで埋め込むことができる。膜は、所定の濃度のひずみを引き起こす不純物でリセス側壁をラインし、より低い濃度の不純物でリセスの残りの部分を埋め込む。後者の場合では、側壁ライナーは先細りになりえる。 （もっと読む）

化学蒸着リアクタ中で処理されている基材に隣接する位置で温度を測定するための熱電対を提供する。熱電対は、測定先端部を有するシースを含む。熱電対はまた、シース内に配置される支持管も含む。熱電対はさらに、支持管によって支持される第１および第２のワイヤも含む。第１および第２のワイヤは、異なる金属で形成される。接合点が第１および第２のワイヤの間に形成され、接合点は、支持管の遠位端部に隣接して位置する。バネが支持管の一部分の周囲に配置される。バネは、支持管にバネ力を及ぼして、測定先端部に対して接合点を付勢し、測定先端部と連続的に接触した接合点を維持するように、圧縮される。バネ力は、接合点の有意な変形を防止するのに十分小さく、ならびに、１つの熱電対から別の熱電対へのバネ力または接合点位置の変動を低減する。
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