【課題】窒素含有材料を形成するために窒素を組み込むための改良方法を提供すること。
【解決手段】ＮＨ_３の供給源とガス連通しており、励起種ジェネレータとガス連通している単一基板反応チャンバを備えること；該反応チャンバ中に半導体基板を提供すること；
該励起種ジェネレータ中で励起種を生成すること；ＮＨ_３を該基板の上流及び該励起種ジェネレータの下流で該励起種に曝露すること；および該ＮＨ_３の該励起種への曝露の後に、該基板を該ＮＨ_３及び該励起種に曝露することを含む半導体加工方法。 （もっと読む）

半導体処理ツールは、二重に角度をつけたロードロックシステムを有し、各ロードロックチャンバを通る基板通路は、ゲートバルブの一方の側に向かって、角度をつけられ片寄せられる。ウエハハンドリングチャンバは、ロードロックチャンバと選択的に連通する。ウエハハンドリングチャンバは、ロードロックチャンバの両方において基板にアクセスし得るロボットを有する。ゲートバルブは、ロードロックの一方からウエハハンドリングチャンバを隔てる壁のインサートと、インサートに装着されウエハハンドリングチャンバ内へ突出するライナーとを含む。
（もっと読む）

インサイチュドープトエピタキシャル半導体層を堆積するための方法は、パターニングされた基板を収容する処理チャンバ内を約８０ｔｏｒｒより高圧に維持するステップを含む。本方法は更に、前記処理チャンバ内へジクロロシランのフローを提供するステップを含む。本方法は更に、前記処理チャンバ内へドーパント水素化物のフローを提供するステップを含む。本方法は更に、パターニングされた前記基板上の単結晶物質上に、約３ｎｍ ｍｉｎ^−１より速い速度で、前記エピタキシャル半導体層を選択的に堆積するステップを含む。
（もっと読む）

【課題】シード堆積プロセス１３０において、第一温度でシリコン含有表面上にゲルマニウムのシード層を堆積させることを含む方法。該シード層は、約１モノレイヤーと約１０００Åの間の厚みを有する。該方法はさらに、該シード層堆積後、温度ランププロセス１４０においてゲルマニウムを堆積し続けながら該反応チャンバーの温度を上昇させることを含む。該方法はさらに、バルク堆積プロセス１５０においてゲルマニウムを堆積し続けながら、第二温度範囲で該反応チャンバーを保持することを含む。該第ニ温度範囲は該第一温度より高い。 （もっと読む）

基板支持システム（１４０、２００、３００）は、比較的薄く円形の基板ホルダ（１００）を備え、当該基板ホルダは、その上面と底面との間を延びる複数の通路（１１６、１１８、１２０、２４０、３４０）を有する。基板ホルダ（１００）は、単一の基板支持用棚状部または複数の基板支持用スペーサー羽根（１２４）を含み、当該羽根（１２４）は、基板裏面（１５４）の周縁部を支持するように形成されて、その結果、基板（１６）と基板ホルダ（１００）との間に狭い隙間（１５２）が形成される。羽根（１２４）には、基板ホルダ（１００）が回転すると反応ガスが裏面に堆積しないように角度をつけ得る。中空の支持部材（２２、２０４、３０４）は、基板ホルダ（１００）の裏面（１０６）を支持し得る。中空支持部材（２２、２０４、３０４）は、ガス（例えば、不活性ガスまたは洗浄ガス）を、基板ホルダ（１００）の複数の通路の１つまたはそれ以上の通路（１１６、２４０）内に上方へ輸送するように形成される。上方へ輸送されたガスは、基板（１６）と基板ホルダ（１００）との間の隙間（１５２）内に流れる。本発明の実施形態によって、隙間（１５２）内のガスは、次に、基板の縁（１７）の周りを外側また上方へ、またはもし存在する場合、中空支持部材（２２、２０４、３０４）内に通じていない基板ホルダ（１００）の通路（１１８、１２０、３４０）を通って下方へ流れる。基板縁（１７）の周りを外側および上方へ流れるガスが、基板（１６）上方の反応ガスの裏面への堆積を妨げる。支持部材（２２、２０４、３０４）に通じておらず、通路（１１８、１２０、３４０）を通って下方へ流れるガスが、外方拡散するドーパント原子を基板の表面（１５５）から押し流すことにより、オートドーピングを妨げることが好ましい。一実施形態では、支持部材は、中空の多数のアーム付きの支持スパイダー（２２）を含み、当該支持スパイダー（２２）は、複数の通路（１１６）から選択された通路内にガスを輸送する。他の実施形態では、支持部材は、ボウル状またはカップ状の構造体（２０４）を含み、当該構造体（２０４）は、ガスを上方に全通路（２４０）内に輸送する。さらに他の実施形態では、支持部材は、ボウル状またはカップ状の構造体（３０４）を含み、当該構造体（３０４）は、複数の通路（２４０）の全てに、しかしながら１つまたはそれ以上の通路内に上方へガスを輸送する。
（もっと読む）

反応炉が基板処理用の反応チャンバを画定する。反応炉には第１反応物質を反応チャンバへ提供するための第１取込口および第２反応物質を反応チャンバへ提供するための第２取込口が含まれる。第１排気口はガスを反応チャンバから取り除く。第２排気口もガスを反応チャンバから取り除く。流れ制御装置が第１および第２排気口を通じて流れを交互に閉塞するように構成される。反応チャンバはこの反応チャンバ内の拡散障壁用に構成される。
（もっと読む）

後の堆積、特に原子層堆積（ＡＬＤ）によるゲート絶縁体堆積のための調製において、ゲルマニウム表面（２００）を処理するための方法が提供される。堆積の前に、該ゲルマニウム表面（２００）は、プラズマプロダクトを用いて反応されるか、又は気相反応物を用いて熱的に反応される。表面処理の例は、ＡＬＤ反応物により容易の吸着する酸素ブリッジ、窒素ブリッジ、−ＯＨ、−ＮＨ、及び／又は−ＮＨ_２末端を残す。該表面処理は、該反応物の該ゲルマニウムバルクへの深い浸透を回避するが、核形成を改良する。

（もっと読む）

緩和シリコンゲルマニウム構造は、約１Ｔｏｒｒより高い操作圧力での化学気相成長法を用いて提供されるシリコンバッファ層を含む。この緩和シリコンゲルマニウム構造は、シリコンバッファ層上に堆積されたシリコンゲルマニウム層をさらに含む。このシリコンゲルマニウム層は、１平方センチメートル当り約１０^７未満の貫通転位を有する。減少した堆積速度でシリコンバッファ層を堆積させることによって、シリコンゲルマニウム層に「クロスハッチフリー」表面が付与され得る。
（もっと読む）

欠陥を最小限としながら、ＳｉＧｅ−オン−インシュレーター構造を製造するため及びシリコン上に歪み緩和ＳｉＧｅ層を製造するための方法が提供される。アモルファスＳｉＧｅ層が、トリシラン及びＧｅＨ_４からＣＶＤによって堆積される。これらのアモルファスＳｉＧｅ層は、融解または固相エピタキシー（ＳＰＥ）プロセスによってシリコン上に再結晶される。融解プロセスは、好ましくは、全体のゲルマニウム含量を希釈するようなゲルマニウムの拡散も引き起こし、そして絶縁体の上層のシリコンを実質的に消費する。ＳＰＥプロセスは、下地のシリコン中へのゲルマニウムの拡散を用いてまたは用いずに実際され得、従って、ＳＯＩ及び従来の半導体基板に適用可能である。
（もっと読む）

保護層（２０８）が、原子層堆積（ＡＬＤ）又は化学気相成長（ＣＶＤ）リアクタ１００の表面上に形成される。ＡＬＤ又はＣＶＤのリアクタ（１００）のための反応スペース（２００）を明確にする部分は、反応スペース表面（２１０）上の反応性部位（２１０）を不活性化する化学物質（２０６）を用いてインサイチュ又はエクスサイチュで処理され得る。前処理ステップ（５０２）は、処理ステップ（５０４）の前に、存在する反応性部位（２１０）を最大限にすることができる。吸着した処理反応物（２０８）によって反応性部位（２１０）が不活性化されると、後のプロセシング時に反応物ガス（２１４）は、これらの処理された表面上の反応性又は堆積を低減した。従って、パージステップ（３１０，３１４）が非常に短縮され、そしてより多くの数のラン（run）が、リアクタの壁上に蓄積した堆積を除去するためのクリーニングステップの間に実施され得る。

（もっと読む）