【課題】高ｋゲート絶縁膜上のドープされたシリコンゲート間に短絡をもたらす欠陥、トラッピングを回避する、前記高ｋゲート絶縁膜および前記高ｋゲート絶縁膜上のシリコンオキサイド膜の製造法を提供する。
【解決手段】原子層堆積プロセスを用いて基板上に高ｋゲート絶縁材料を堆積することを包含する、半導体基板上に集積回路構造を形成するための方法。シリコンオキサイドキャッピング層は、高速熱化学蒸着プロセスにおいてゲート絶縁材料上に堆積される。ゲート電極は、シリコンオキサイドキャッピング層上に形成される。 （もっと読む）

多結晶Ｓｉ含有膜の粒子構造を制御するための方法は、最初の段階で堆積される第１の膜層のモフォロジーが、後の段階で堆積される第２の膜層のモフォロジーに有利に作用するような、膜を段階的に堆積するステップを含む。例示する実施形態では、最初の段階は、アニーリングするステップを含む。別の実施形態では、後の段階は、第１の層用とは異なる堆積条件下で第２の層を堆積するステップを含む。
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【課題】基板処理の加工レシピにおいて、各個々のステップ、プロセス、および／または段階用に複数のインジェクタの設定を最適化し得るガスインジェクタを提供する。
【解決手段】基板処理装置は、コンピュータ制御によるインジェクタ（１８Ａ〜１８Ｅ）を有している。コンピュータ（２２）は、傾斜層の堆積中、２つの異なる層を堆積させる合間に、または堆積ステップと反応室洗浄ステップとの間などに、複数のインジェクタ（１８Ａ〜１８Ｅ）を調節するように構成される。 （もっと読む）

ガス状の前駆体混合物を形成するためにシリコンソース、ゲルマニウムソース及びエッチャントを混合することを含む、ＳｉＧｅ膜（３０）をブランケット堆積する方法。本方法はさらに、化学気相成長条件下において、ガス状の前駆体物質を基板（１０）上に流し、パターンの有無に関わらず、基板（１０）上にエピタキシャルＳｉＧｅのブランケット層（３０）を堆積させることを包含する。
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集積回路内のデュアルダマシン構造のコンフォーマルなライニングのための方法および構造を提供する。好ましい実施形態は、多孔性物質で形成された開口を覆うコンフォーマルなライニングの提供に向けられる。トレンチが絶縁層内に形成される（１００）。その後、その層が、特別のプラズマプロセスで適切に処理される（１０１）。このプラズマプロセスに引き続き、自己制限的、自己飽和的原子層堆積（ＡＬＤ）反応（１１５）が、細孔の著しい埋め込みなしに起こり、改善された相互接続を形成する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】比較的高いレベルの第ＩＩＩ族／第Ｖ族ドーパントを含有するＳｉ含有膜の製造方法は、トリシランおよびドーパント前駆体を使用しての化学蒸着を包含する。少なくとも約３×１０^２０原子ｃｍ^−３の電気的に活性なドーパントを含有する結晶性ケイ素膜を含む、非常に高いレベルの置換型組み込みが、得られ得る。置換的にドープされたＳｉ含有膜は、堆積の間にエッチャントガスを導入することによって、混合基板の結晶性表面上へ選択的に堆積され得る。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】比較的高濃度の置換型ドーパントを含むＳｉ含有膜を製造する方法は、トリシランおよびドーパント前駆体を用いる化学気相成長法を含む。２．４原子％以上の置換型炭素を含む結晶性シリコン膜を含む、極めて高濃度の置換型の取込みを得ることが可能である。置換的にドーピングされたＳｉ含有膜を、堆積中にエッチャントガスを導入することによって、混合基板の結晶性表面上に選択的に堆積することが可能である。 （もっと読む）

【課題】混合基板の選択された領域上に、Ｓｉ含有膜を選択的に堆積するためのトリシランおよびハロゲン含有エッチャントソース（塩素など）を使用する化学気相成長方法を提供すること。
【解決手段】ドーパントソースは、ドープしたＳｉ含有膜を選択的に堆積させるために、トリシランおよびエッチャントソースと混合することもできる。この選択的堆積方法は、半導体製造などの様々な用途に有用である。 （もっと読む）

原子層堆積（ＡＬＤ）式薄膜堆積装置は、堆積チャンバを含み、当該堆積チャンバは、その内部に画定された空間内において載置されたウエハ上に薄膜を堆積させるように構成される。堆積チャンバは、その空間と連通するガス流入口を備える。ガスシステムは、堆積チャンバのガス流入口にガスを送出するように構成される。ガスシステムの少なくとも一部分が、堆積チャンバ上方に配置される。ガスシステムは、複数のガスの流れを混合する混合器を含む。移送部材は、混合器およびガス流入口と流体連通する。移送部材は、水平方向に末広形になった一対の壁を含み、当該壁は、ガス流入口に入る前に水平方向にガスを拡散させるように形成される。
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半導体ウェハの支持ピン部材である。サセプタは、サセプタの上面の上側にウェハを上げるように構成された少なくとも３つのピンを含む。それぞれの支持ピンは、上側ピンおよび下側ピンを含み、バヨネットマウントの形態で即時に解除できる手段により互いに固定されている。上側ピンは、ポリベンゾイミダゾールのような非金属の材質で形成されている。サセプタは、電気モータまたは空気圧シリンダにより駆動される持上げ機構により上下に駆動される。サセプタは、支持ピンに対して相対的に上下に移動する。
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