金属シリケート膜を形成する方法が提供される。本方法は、基板を、金属源化学物質、ケイ素源化学物質及び酸化剤の交互且つ連続した気相パルスに接触させることを含む。好ましい実施形態では、アルキルアミド金属化合物及びハロゲン化ケイ素化合物が使用される。好ましい実施形態による方法を使用して、高アスペクト比の形状（たとえばビア及び／又はトレンチ）を有する基板表面上に、膜カバレッジがほぼ均一であるハフニウムシリケート膜及びジルコニウムシリケート膜を形成することができる。 （もっと読む）

反復して行うブランケット堆積と選択的エッチングとのサイクル的なプロセスによって、半導体ウィンドウ（１１４）内にエピタキシャル層（１２５）を選択的に形成する。ブランケット堆積フェーズは、フィールド酸化物等の絶縁領域（１１２）上へ非エピタキシャル材料（１２０）を残し、選択的なエッチングフェーズは、優先的に非エピタキシャル材料（１２０）を除去し、且つ、堆積されるエピタキシャル材料（１２５）はサイクル毎に堆積される。エピタキシャル材料（１２５）の品質は、絶縁体（１１２）上で堆積が発生しない選択的プロセスよりも向上する。プロセスのエッチングフェーズ中にゲルマニウム触媒を使用することは、エッチング速度を促進し、且つ、複数のサイクルを介する等温および／または等圧条件の維持費用の節約を容易にする。スループットおよび品質は、トリシランの使用、絶縁領域（１１２）上への非晶質材料（１２０）の形成、および各堆積フェーズにおける非晶質：エピタキシャル材料の厚さの比の最小化によって向上する。 （もっと読む）

【課題】高温、低圧プロセスに耐え、ウエーハ温度の均一性及びガスフロー特性を改善することができるプロセスチャンバを提供する。
【解決手段】チャンバは、凸面状の上部壁及び下部壁１２、１４の間に水平方向に長く垂直方向に短いレンズ状の縦断断面を有する。中央の水平な支持プレート４０が、チャンバの二つの側部レール１６、１８の間に備えられる。支持プレートは、プロセスチャンバを上部領域及び下部領域６６、６８に区分けし、パージガスが下部管を通って下部領域に導入され、そこでの不要な成長を防止する。温度補償リングは、サセプタを囲み、チャンバ壁よりも高い効率で熱を吸収する材料からなる。ガス噴射機は、チャンバを縦方向に横断して配置されて独立に制御される複数の通路を備え、通路は、噴射機の出口で一つにまとめられ、ウェーハに達する前に近接する縦方向縁の分離された流れを十分に混合することができる。 （もっと読む）

マイクロ電子システム及び／又は微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）等の種々のデバイスの加工に有用な薄膜を選択的に堆積させる方法及びシステムに、クロロポリシランを利用する。 （もっと読む）

厚い傾斜バッファ層中の貫通転位のパイル−アップは、転位映進を促進することにより低減される。傾斜ＳｉＧｅバッファ層の形成中に、シリコン前駆体及びゲルマニウム前駆体からのＳｉＧｅ堆積は、１つ以上の期間において中断される。該期間においては、基板へのゲルマニウム前駆体のフローが維持されているが、基板へのシリコン前駆体のフローが止められている。 （もっと読む）

原子層蒸着（ＡＬＤ）反応器へ１つまたはそれ以上のガスを分配するためのシステムおよび方法。シャワーヘッドアセンブリ上へ取り付けられる一体式のインレットマニホールドブロックは、前記アセンブリ上へ直に取り付けられる高温（２００℃まで）定格バルブと、容易にパージされる短い反応物ラインとを含む。一体式の通路および金属シールは、流路に沿ったＯリングおよび付帯的なデッドゾーンを省く。マニホールドは、反応物ラインを前記ブロックのインレットマニホールド内にパージするための内部不活性ガスチャネルを含む。
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炭素ドープされたエピタキシャル半導体薄膜（３０）の堆積方法であって、露出した単結晶物質（２０）を有するパターニングされた基板（１０）を収容するプロセスチャンバ（１２２）内を、約７００ｔｏｒｒより高い圧力に維持するステップを含む。前記方法はさらに、プロセスチャンバ（１２２）に、シリコンソースガスのフローを供給するステップを含む。前記シリコンソースガスはジクロロシランを含む。前記方法はさらに、プロセスチャンバ（１２２）に、炭素前駆物質（１３２）のフローを供給するステップを含む。前記方法はさらに、露出した単結晶物質（２０）上に、炭素ドープされたエピタキシャル半導体薄膜（３０）を選択的に堆積するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】ランプの寿命を改善する。
【解決手段】ランプスリーブ内に軸方向にランプフィラメント１４を配置するように改良した支持体４２を設ける。図示した支持体４２は、フィラメント１４と接触する小さい直径の中央部を含む螺旋状コイルである。フィラメント接触部の両側において、コイルが、広がって、フィラメント１４が収容された石英スリーブの内壁と接触するようにより大きな直径となっている。支持体４２は、従って、側方から見るとＨ状となっている。ランプフィラメント１４は、中央部７２の両側に膨張補償部７４も備える。膨張補償部７４のフィラメントワイヤは、巻かれて、中央部７２におけるコイルと比較して直径が大きく巻線間の間隔も広いコイルとなる。膨張補償部７４は、好ましくは、圧縮可能であって、それにより、作動中におけるフィラメント１４の熱膨張を吸収して、隣接する巻線にわたってフィラメント１４を短絡させない。 （もっと読む）

酸化に対して高安定性を有する初期状態水素終端化シリコンウェーハ表面を製造するための方法が提供される。プロセスの工程２０に従って、シリコンウェーハは陰イオン界面活性剤を伴う高純度加熱希フッ化水素酸で処理される。その後の工程３０において、水は室温で超純粋でｉｎ ｓｉｔｕですすがれて、次にその後の乾燥工程４０で乾燥される。代替的には、シリコンウェーハは工程２２で希フッ化水素酸で処理され、工程３２で水素ガス化水ですすがれて、工程４２で乾燥される。当該方法により製造されるシリコンウェーハは、３日より長い間、通常のクリーンルーム環境中で安定であり、そして８日より長い間、有意の酸化物再成長を伴わずに継続することが実証されている。 （もっと読む）

エピタキシャルＧｅ及びＳｉＧｅ膜のようなエピタキシャル膜の成長方法。高温処理（３０５）からＧｅ含有膜の低い成膜温度（３１５）に冷却する間に、基板へＳｉ又はＧｅ化合物を提供する（３１０）。滑らかな、薄い、相対的に欠陥のないＧｅ又はＳｉＧｅ膜（１１０）を得る。緩和された高Ｇｅ含有率種膜（１１０）及び歪んだ被覆膜（１２０）の間に後退化された緩和ＳｉＧｅ（１１５）をも提供する。
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